| 主权项 |
1.一种预备石英坩埚之方法,该石英坩埚具有一搀钨层;该石英坩埚具有一内表面及一外表面;该方法包括将钨沉积于该坩埚之一表面,并将钨扩散至该表面中。2.如申请专利范围第1项之方法,其中钨系沉积并扩散于该坩埚之内表面。3.如申请专利范围第1项之方法,其中钨系沉积并扩散于该坩埚之内表面,藉以形成一搀钨层,该搀钨层之钨浓度至少约为100ppba,该搀钨层之厚度约介于0.1公厘与4公厘之间。4.如申请专利范围第1项之方法,其中钨系沉积并扩散于该坩埚之内表面,藉以形成一搀钨层,该搀钨层之厚度约介于0.1公厘与4公厘之间,且含钨区域内全无直径至少约为15微米之气泡。5.如申请专利范围第1项之方法,其中钨系沉积并扩散于该坩埚之外表面。6.如申请专利范围第1项之方法,其中钨系沉积并扩散于该坩埚之外表面,藉以形成一搀钨层,该搀钨层之钨浓度至少约为100ppba,该搀钨层之厚度约介于0.1公厘与6公厘之间。7.如申请专利范围第1项之方法,其中钨系沉积并扩散于该坩埚之外表面,藉以形成一搀钨层,该搀钨层之厚度约介于0.1公厘与6公厘之间,且含钨区域内全无直径至少约为15微米之气泡。8.一种预备石英坩埚之方法,该石英坩埚具有两搀钨层;该石英坩埚具有一内表面及一外表面;该方法包括:将钨沉积于该坩埚之内表面,并将钨扩散至该内表面中;及将钨沉积于该坩埚之外表面,并将钨扩散至该外表面中。9.如申请专利范围第8项之方法,其中钨系沉积并扩散于该坩埚之内表面,藉以在该坩埚之内表面上形成一搀钨层,该搀钨层之钨浓度不小于约100ppba,该搀钨层之厚度约介于0.1公厘与4公厘之间;且钨系沉积并扩散于该坩埚之外表面,藉以在该坩埚之外表面上形成一搀钨层,该搀钨层之钨浓度不小于约100ppba,该搀钨层之厚度约介于0.1公厘与6公厘之间。10.一种石英坩埚,其于一内表面上具有一搀钨层,位于该内表面上之搀钨层其钨浓度不小于约100ppba,其厚度约介于0.1公厘与4公厘之间。11.一种石英坩埚,其于一外表面上具有一搀钨层,位于该外表面上之搀钨层其钨浓度不小于约100ppba,其厚度约介于0.1公厘与6公厘之间。12.一种石英坩埚,其于一内表面上具有一搀钨层,亦于一外表面上具有一搀钨层,位于该内表面上之搀钨层其钨浓度不小于约100ppba,其厚度约介于0.1公厘与4公厘之间;位于该外表面上之搀钨层其钨浓度不小于约100ppba,其厚度约介于0.1公厘与6公厘之间。13.一种用于将钨扩散至一石英坩埚之一表面内之装置,藉以形成一搀钨层,该石英坩埚具有一内表面及一外表面,该装置包括:一水平支撑件,用于支撑该石英坩埚,该石英坩埚放置于该水平支撑件上之方式可使该坩埚之开口端接触该水平支撑件;一钨源,穿过该水平支撑件,并进入受支撑之坩埚之内部;一电源,用于供电至该钨源并为其加热,藉以产生含钨之热蒸汽;一气体入口,位于该水平支撑件上,可将一冲洗气体导入受支撑之坩埚内,以便将氧气自受支撑之坩埚内冲出;及一气体出口,位于该水平支撑件上,可将该冲洗气体自受支撑之坩埚内排除。14.如申请专利范围第13项之装置,尚包括:一容器,可包围受支撑之坩埚;一第二钨源,穿过该容器;一第二电源,用于供电至该第二钨源并为其加热,藉以产生含钨之热蒸汽;一气体入口,位于该容器上,可将一冲洗气体导入该容器内、受支撑之坩埚之周围环境中,以便将氧气自容器之内部冲出;及一气体出口,位于该容器上,可将该冲洗气体自该容器之内部排除。图式简单说明:第一图为一装置之图式,该装置可将一钨掺杂物退火并扩散至一坩埚之内表面中。第二图为一石英坩埚之图式。第三图为一装置之图式,该装置可将一钨掺杂物退火并扩散至一坩埚之内表面及/或外表面中。 |
