积体电路之金属蚀刻制程

摘要

一种积体电路之金属蚀刻制程，可有效移除积体电路之金属焊垫或金属线蚀刻制程中产生的高分子残留物。本发明所揭露之积体电路金属蚀刻制程，其系于蚀刻机内进行移除光阻的步骤时，利用水气(H20)为反应气体对晶片进行处理,用以在所述光阻移除步骤中，能同时有效去除该金属焊垫或金属线侧壁上的高分子残留物。

主权项

1.一种积体电路之金属蚀刻制程,其步骤系包括: (a)提供一已形成有金属层结构之基板;(b)进行金属蚀刻制程;(c)进行水气(H2O气体)处理。2.如申请专利范围第1项所述积体电路之金属蚀刻制程,其中所述金属层结构系为一铝金属层。3.如申请专利范围第1项所述积体电路之金属蚀刻制程,其中所述金属层结构系为一铝铜合金金属层。4.如申请专利范围第1项所述积体电路之金属蚀刻制程,其中所述金属层结构系为一铝矽铜合金金属层。5.如申请专利范围第1项所述积体电路之金属蚀刻制程,其中所述金属层结构下方系形成有一金属阻障层。6.如申请专利范围第1项所述积体电路之金属蚀刻制程,其中所述金属层结构上方系形成有一抗反射层。7.如申请专利范围第1项所述积体电路之金属蚀刻制程,其中所述金属蚀刻制程系利用含氟气体之电浆进行乾式蚀刻。8.如申请专利范围第7项所述积体电路之金属蚀刻制程,其中所述含氟气体系为CF4。9.如申请专利范围第7项所述积体电路之金属蚀刻制程,其中所述含氟气体系为CHF3。10.如申请专利范围第1项所述积体电路之金属蚀刻制程,其中所述进行H2O气体处理系于所述进行金属蚀刻制程之机台中进行。11.如申请专利范围第1项所述积体电路之金属蚀刻制程,其中所述进行H2O气体处理系于一蚀刻机台中进行。12.如申请专利范围第1项所述积体电路之金属蚀刻制程,其中所述进行M2O气体处理时,H2O气体的流量介于250sccn至800sccm之间。13.如申请专利范围第1项所述积体电路之金属蚀刻制程,其中所述进行H2O气体处理时,其反应时间介于60秒至200秒之间。14.如申请专利范围第1项所述积体电路之金属蚀刻制程,其中所述进行H2O气体处理时,其反应气压介于1000mTorr至4000mTorr之间。15.如申请专利范围第1项所述积体电路之金属蚀刻制程,其中所述进行H2O气体处理时,其RF电力的功率介于500瓦至2000瓦之间。图式简单说明:第一图为本发明实施例中一已形成有金属层结构之基板剖面示意图。第二图为本发明实施例中完成金属蚀刻制程后之基板剖面示意图。