| 主权项 |
1.一种形成金属线段以运用于具有弹性库划分架构之同时操作快闪记忆装置的方法,该方法所包括之步骤有:(a)提供多数条以多数个间隙分隔之基本金属层分段,每一个间隙有预定之间隙区间长度;及(b)在基本金属层分段上面提供包括多数个金属选项层分段之金属选项层,每一个金属选项层分段之长度至少和基本金属层分段间诸间隙中对应的一个间隙之长度一样长,金属选项层分段和基本金属层分段间之部份间隙重叠,但保持一个间隙开路,俾使保持开路之间隙除外的诸间隙间形成传导路径,基本金属层分段和金属选项层分段一起形成第一及第二金属线段,俾运用于具有弹性库划分架构之同时操作快闪记忆装置。2.如申请专利范围第1项之方法,其中提供基本金属层分段之步骤包括:(i)将基本金属层沈积于半导体基座上面;及(ii)蚀刻基本金属层,使形成基本金属层分段。3.如申请专利范围第2项之方法,其中提供基本金属层分段之步骤尚包括:(iii)以由间隙分隔之基本金属层分段之样式制作第一光罩;及(iv)在蚀刻基本金属层之步骤前将第一光罩定置于基本金属层上。4.如申请专利范围第1项之方法,其中在基本金属层分段上面提供金属选项层之步骤包括于基本金属层分段间之各间隙上沈积出金属选项层分段之步骤。5.如申请专利范围第4项之方法,其中在基本金属层分段上面提供金属选项层之步骤进一步包括在各间隙上沈积出金属选项层分段步骤前,提供于基本金属层分段上之光罩,俾将待和金属选项层分段重叠之对应间隙露出之步骤。6.如申请专利范围第1项之方法,其中金属选项层分段之个数比基本金属层分段间之间隙个数少一。7.如申请专利范围第1项之方法,其中基本金属层分段为各能够支援在记忆体装置中记忆体之至少一个区段。8.如申请专利范围第1项之方法,其中于基本金属层分段上面提供金属选项层的步骤之后,于基本金属层分段间有一个被金属选项层分段保持为开路的间隙经定置后,将基本金属层分隔成可分别支援记忆装置上及下记忆库的第一及第二金属线段。9.如申请专利范围第1项之方法,其中各金属选择层分段之该长度,要大于个别间隙之间隙间隔的长度。10.如申请专利范围第1项之方法,其中提供基本金属层分段之步骤,包括对于基本金属层制备固定之光罩图案之步骤,而该基本金属层包括由间隙分隔之基本金属层分段,以及其中提供金属选择层之步骤,包括对于包含金属选择层分段之金属选择层制备光罩图案之步骤。11.如申请专利范围第10项之方法,其中对于基本金属层和对于金属选择层制备光罩图案之步骤,系由电脑施行。12.如申请专利范围第10项之方法,更进一步包括,在对于金属选择层制备光罩图案步骤之前,从在基本金属层由间隙指示之复数个预定记忆体边界,选择记忆体分隔边界之步骤。13.如申请专利范围第12项之方法,更进一步包括将用于金属选择层之光罩图案与用于基本金属层之光罩图案相叠置之步骤,而使得除了其中之一保留开口之间隙外,该金属选择层分段可函盖在基本金属层上之一些间隙,该开口间隙指示选择之记忆体分隔边界。14.如申请专利范围第13项之方法,其中将用于金属选择层之光罩图案与用于基本金属层之光罩图案相叠置之步骤,系由电脑施行。15.一种形成金属线段以运用于具有弹性库划分架构之同时操作快闪记忆体装置的方法,该方法包括之步骤有:(a)将基本金属层沉积于半导体基座上面;(b)藉由在基本金属层上设有复数个间隙,而形成复数个基本金属选择层分段,各间隙具有预定之间隙间隔长度;(c)提供金属选择层,此金属选择层包括复数个在基本金属层上之金属选择层分段,各金属选择层分段具有至少与基本金属层之金属选择层个别其中一个间隔之间隙间隔长度等长之长度,金属选择层分段叠置一些于基本金属层上之间隙,但是留下在基本金属层上之其中一个间隙开口,以形成于基本金属层上除了该其中一个留下开口之间隙外之间隙间之导通路径,此基本金属层分段与金属选择层分段共同形成第一和第二金属线分段,用于以弹性库划分架构同时操作之快闪记忆体装置。16.如申请专利范围第15项之方法,其中形成基本金属层分段之步骤更进一步包括下列各步骤:(i)用由各间隙分隔之基本金属层分段图案,制成第一光罩图案;(ii)定位该第一光罩于基本金属层上;以及(iii)蚀刻该基本金属层以形成各基本金属层分段之间之间隙。17.如申请专利范围第15项之方法,其中于基本金属层上设有金属选择层之步骤,包括于基本金属层上个别间隙沉积金属选择层分段之步骤。18.如申请专利范围第17项之方法,其中于基本金属层上设有金属选择层之步骤,更进一步包括于暴露有间隙之基本金属层上提供光罩之步骤,此等间隙系在沉积金属选择层分段于个别之间隙之步骤之前,与金属选择层分段叠置。19.如申请专利范围第15项之方法,其中金属选择层分段之数目,系较于基本金属层上之间隙的数目少一。20.如申请专利范围第15项之方法,其中基本金属层分段为各能够支援至少一个于记忆体装置中之记忆体区段。21.如申请专利范围第15项之方法,其中于基本金属层上设置金属选择层之步骤之后,于基本金属层上由金属选择层分段所留下开口之一个间隙,系定位以分离该基本金属层成为能够分别支撑该记忆体装置之上和下记忆体库之第一和第二金属线分段。22.如申请专利范围第15项之方法,其中各金属选择层分段之长度,系大于于基本金属层上个别间隙之间隙间隔长度。23.一种形成金属线分段之方法,用来同时操作具弹性库划分架构之快闪记忆体装置,此方法包括下列各步骤:(a)将基本金属层沉积于半导体基座上面;(b)藉由在基本金属层上设有复数个间隙,而形成复数个基本金属选择层分段,各间隙具有预定之间隙间隔长度;(c)于暴露出间隙之基本金属层上提供光罩,此等间隙系用复数个金属选择层分段叠置,该等金属选择层分段之数目系较于基本金属层上间隙之数目少一,各金属选择层分段具有至少与于基本金属层上个别其中一个间隙之间隙间隔长度相同之长度;以及(d)于基本金属层上之个别间隙沉积金属选择层分段,金属选择层分段叠层于基本金属层上之一些间隙,但是留下在基本金属层上之其中一个间隙开口,以形成于基本金属层上除了该其中一个留下开口之间隙外之间隙间之导通路径,此基本金属层分段与金属选择层分段共同形成第一和第二金属线分段,用于以弹性库划分架构同时操作快闪记忆体装置。24.如申请专利范围第23项之方法,其中形成基本金属层分段之步骤更进一步包括下列各步骤:(i)用由各间隙分隔之基本金属层分段图案,制成第一光罩图案;(ii)定位该第一光罩于基本金属层上;以及(iii)蚀刻该基本金属层以形成各基本金属层分段之间之间隙。25.如申请专利范围第23项之方法,其中该基本金属层分段为各能支援在记忆体装置中记忆体之至少一个区段。26.如申请专利范围第23项之方法,其中于基本金属层上于个别之间隙沉积金属选择层分段之步骤之后,于基本金属层上由金属选择层分段所留下开口之一个间隙,系定位以分离该基本金属层成为能够分别支撑该记忆体装置之上和下记忆体库之第一和第二金属线分段。27.如申请专利范围第23项之方法,其中各金属选择层分段之长度,系大于于基本金属层上个别间隙之间隙间隔长度。28.一种形成金属线段以运用于具有弹性库划分架构之同时操作快闪记忆体装置的方法,该方法包括之步骤有:(a)提供由复数个间隙分离之复数个基本金属层分段,各间隙具有预定之间隙间隔长度;(b)提供包含复数个金属选择层分段之金属选择层,此等金属选择层分段之数目系较基本金属层分段之间之间隙之数目少一,各金属选择层分段具有至少与于基本金属层分段之间个别其中一个间隙之间隙间隔长度有相同之长度;以及(c)定位于基本金属层分段上之金属选择层,金属选择层分段叠置于基本金属层上之一些间隙,但是留下其中一个间隙开口,以形成该其中一个留下开口之间隙外之间隙间之导通路径,此基本金属层分段与金属选择层分段共同形成第一和第二金属线分段,用于以弹性库划分架构同时操作快闪记忆体装置。29.如申请专利范围第28项之方法,其中提供基本金属层分段之步骤更进一步包括下列各步骤:(i)沉积基本金属层于半导体基座上面;以及(ii)蚀刻该基本金属层以形成各基本金属层分段。30.如申请专利范围第29项之方法,其中提供基本金属层分段之步骤更进一步包括下列各步骤:(iii)用由各间隙分隔之基本金属层分段图案,制成第一光罩图案;以及(iv)于蚀刻该基本金属层之步骤之前,定位该第一光罩于基本金属层上。31.如申请专利范围第28项之方法,其中于该基本金属层分段上定位金属选择层之步骤包括于基本金属层分段之间个别间隙上沉积金属选择层分段之步骤。32.如申请专利范围第28项之方法,其中各基本金属层分段为能支援在记忆体装置中记忆体之至少一个区段。33.如申请专利范围第28项之方法,其中于基本金属层分段上定位金属选择层之步骤后,藉由金属选择层分段之基本金属层分段之间之一个留下开口间隙,系定位以分离该基本金属层成为能够分别支撑该记忆体装置之上和下记忆体库之第一和第二金属线分段。34.如申请专利范围第28项之方法,其中各金属选择层分段之长度,系大于在基本金属层上个别间隙之间隙间隔的长度。35.如申请专利范围第28项之方法,其中提供基本金属层分段之步骤,包括对于包含有由该等间隙所分离之基本金属分段之基本金属层制备固定光罩图案之步骤,以及其中提供金属选择层之步骤包括对于包含金属选择层分段之金属选择层制备光罩图案之步骤。36.如申请专利范围第35项之方法,其中对于基本金属层和对于金属选择层制备光罩图案之步骤,系由电脑施行。37.如申请专利范围第35项之方法,更进一步包括,在对于金属选择层制备光罩图案步骤之前,由在基本金属层中之间隙指示之复数个预定记忆体边界,选择记忆体分隔边界之步骤。38.如申请专利范围第37项之方法,其中于基本金属层分段上定位金属选择层之步骤包括将用于基本金属层之光罩图案与用于基本金属层之光罩图案相叠置之步骤,而使得除了其中之一保留开口之间隙外,该金属选择层分段可函盖在基本金属层上之一些间隙,该开口间隙指示选择之记忆体分隔边界。39.如申请专利范围第38项之方法,其中将用于金属选择层之光罩图案与用于基本金属层之光罩图案相叠置之步骤,系由电脑施行。图式简单说明:第一图所示者为同时操作快闪记忆装置之实施例,此记忆装置包括多数个记忆胞之区块,具有多数条可将记忆体划分成上及下记忆库之弹性划分边界线;第二图显示具有复数个间隙分离基本金属层成为复数个基本金属层分段之基本金属层之简化平面视图;第三图显示第二图所示之复数个金属选项层分段设于基本金属层之前,复数个金属选项层分段之简化平面视图;第四图显示如第三图所示之金属选项层分段设于依照本发明方法之如第二图所示基本金属层之后,金属层之简化平面视图;第五图显示另一种型式之金属选项层分段设于如第二图所示之基本金属层上之前之简化平面视图;第六图显示如第五图所示之金属选项层分段设于依照本发明方法之如第二图所示基本金属层之后,金属层之简化平面视图;第七图A至第七图I显示于32MB弹性划分快闪记忆体装置具有9种可能划分边界之记忆体划分边界之例子;第八图显示具有弹性库划分架构包括记忆体阵列和X-解码器之同时操作快闪记忆体装置之例子,此记忆体阵列和X-解码器各具有复数个依照本发明方法制造之解性划分金属线分段;第九图显示具有弹性库划分架构包括记忆体阵列和2个预-解码器之同时操作快闪记忆体装置之另一个例子,此记忆体阵列和预-解码器各具有复数个依照本发明方法制造之弹性划分金属线分段;第十图显示依照本发明方法制造之具有复数个弹性划分金属线分段之解码电路之例子。 |
