| 主权项 |
1.一种在积体电路中形成二种不同厚度之闸氧化矽层的方法,包括下列步骤:a.在半导体基板上形成区域阻隔,并区分出较厚介电层区和较薄介电层区,其中所述较厚介电层区用以形成较厚氧化矽层,而较薄介电层区用以形成较薄氧化矽层;b.在半导体基板上形成一层氮化矽层;c.利用微影及蚀刻技术将位于较厚介电层区的氮化矽层去除;以及d.利用热氧化法,在较厚介电层区形成一层较厚氧化矽层,并且同时在较薄介电层区形成一层含氮之较薄氧化矽层。2.如申请专利范围第1项所述之在积体电路中形成二种不同厚度之闸氧化矽层的方法,在形成所述氮化矽层之前,更加入一含HF浸泡的清洗步骤。3.如申请专利范围第1项所述之在积体电路中形成二种不同厚度之闸氧化矽层的方法,其中所述氮化矽层系利用热氮化法所形成。4.如申请专利范围第1项所述之在积体电路中形成二种不同厚度之闸氧化矽层的方法,其中所述氮化矽层系利用化学气相沉积法所形成。5.如申请专利范围第1项所述之在积体电路中形成二种不同厚度之闸氧化矽层的方法,在进行热氧化之前,更加入一包含HF浸泡的清洗步骤。6.一种在积体电路中形成二种不同厚度之闸氧化矽层的方法,包括下列步骤:a.在半导体基板上形成区域阻隔,并区分出较厚介电层区和较薄介电层区,其中所述较厚介电层区用以形成较厚氧化矽层,而较薄介电层区用以形成较薄氧化矽层;b.在半导体基板上形成一层氮化矽层;c.利用微影及蚀刻技术将位于较厚介电层区的氮化矽层去除;d.将半导体基板放入HF酸液中浸泡;以及e.利用热氧化法,在较厚介电层区形成一层较厚氧化矽层,并且同时在较薄介电层区形成一层含氮之较薄氧化矽层。7.如申请专利范围第6项所述之在积体电路中形成二种不同厚度之闸氧化矽层的方法,在形成所述氮化矽层之前,更加入一含HF浸泡的清洗步骤。8.如申请专利范围第6项所述之在积体电路中形成二种不同厚度之闸氧化矽层的方法,其中所述氮化矽层系利用热氮化法所形成。9.如申请专利范围第6项所述之在积体电路中形成二种不同厚度之闸氧化矽层的方法,其中所述氮化矽层系利用化李气相沉积法所形成。10.一种在积体电路中形成二种不同厚度之闸氧化矽层的方法,在较厚介电层区形成较厚氧化矽层,而在较薄介电区形成较薄氧化矽层;其特征为首先在较薄介电层区形成一层氮化矽层,再利用热氧化法在较厚介电层区形成一层较厚氧化矽层,并且同时在较薄介电层区形成一层含氮之较薄氧化矽层。11.如申请专利范围第10项所述之在积体电路中形成二种不同厚度之闸氧化矽层的方法,其中所述在较薄介电层区形成一层氮化矽层的方法,首先在半导体基板上形成一层氮化矽层,接着利用微影及蚀刻技术将位于较厚介电层区的氮化矽层去除。图式简单说明:第一图A系习知技术中在整片基板上形成第一闸氧化矽层的剖面示意图。第一图B系习知技术中利用微影及蚀刻技术将位于较薄氧化矽层区的第一闸氧化矽层去除的剖面示意图。第一图C系习知技术中进行不包含HF浸泡之清洗步骤的剖面示意图。第一图D系习知技术中进行第二次热氧化步骤在整片基板上形成第二闸氧化矽层的剖面示意图。第二图A系本发明中在半导体基板上形成氮化矽层的剖面示意图。第二图B系本发明中利用微影及蚀刻技术将位于较厚介电层区的氮化矽层去除的剖面示意图。第二图C系本发明中利用HF浸泡将位于较厚介电层区的原始氧化矽层去除的剖面示意图。第二图D系本发明中利用热氧化法在较厚介电层区形成一层较厚氧化矽层,并且同时在较薄介电层区形成一层较薄氧化矽层的剖面示意图。 |
