| 主权项 |
1.一种显示装置,即形成复数扫描线,复数信号线及复数共同供给电线,对应前述扫描线与前述信号线之各交点,形成开关薄膜晶体管,电流薄膜晶体管,保持容量及像素电极,前述开关薄膜晶体管系依前述扫描线之电位,控制前述信号线与前述保持容器之导通,前述电流薄膜晶体管系依前述保持容器之电位,控制前述共同供给电线与前述像素电极之导通,其特征为:前述开关薄膜晶体管系重视切断电流之减低之晶体管,前述电流薄膜晶体管系重视接通电流之增加之晶体管。2.一种显示装置,即形成复数扫描线,复数信号线及复数共同供给电线,对应前述扫描线与前述信号线之各交点,形成开关薄膜晶体管,电流薄膜晶体管,保持容器及像素电极,前述开关薄膜晶体管系依前述扫描线之电位,控制前述信号线与前述保持容器之导通,前述电流薄膜晶体管系依前述保持容量之电位,控制前述共同供给电线与前述像素电极之导通,其特征为:在前述开关薄膜晶体管之频道领域与高浓度不纯物领域间,形成低浓度不纯物领域,前述电流薄膜晶体管之频道领域与高浓度不纯物领域系直接连接。3.一种显示装置,即形成复数扫描线,复数信号线及复数共同供给电线,对应前述扫描线与前述信号线之各交点,形成开关薄膜晶体管,电流薄膜晶体管,保持容量及像素电极,前述开关薄膜晶体管系依前述扫描线之电位,控制前述信号线与前述保持容器之导通,前述电流薄膜晶体管系依前述保持容量之电位,控制前述共同供给电线与前述像素电极之导通,其特征为:在前述开关薄膜晶体管及前述电流薄膜晶体管之各频道领域与高浓度不纯物领域之间,形成低浓度不纯物领域,前述开关薄膜晶体管之低浓度不纯物领域之长度,比前述电流薄膜晶体管之低浓度不纯物领域之长度为长。4.一种显示装置,即形成复数扫描线,复数信号线及复数共同供给电线,对应前述扫描线与前述信号线之各交点、形成开关薄膜晶体管,电流薄膜晶体管,保持容量及像素电极,前述开关薄膜晶体管系依前述扫描线之电位,控制前述信号线与前述保持容量之导通,前述电流薄膜晶体管系依前述保持容量之电位,控制前述共同供给电线与前述像素电极之导通,其特征为:在前述开关薄膜晶体管之频道领域与高浓度不纯物领域之间,形成与频道领域同程度之不纯物浓度之领域,前述电流薄膜晶体管之频道领域与高浓度不纯物领域系直接连接。5.一种显示装置,即形成复数扫描线,复数信号线及复数共同供给电线,对应前述扫描线与前述信号线之各交点,形成开关薄膜晶体管,电流薄膜晶体管,保持容量及像素电极,前述开关薄膜晶体管系依前述扫描线之电位,控制前述信号线与前述保持容量之导通,前述电流薄膜晶体管系依前述保持容量之电位,控制前述共同供给电线与前述像素电极之导通,其特征为:在前述开关薄膜晶体管及前述电流薄膜晶体管之各频道领域与高浓度不纯物领域之间,形成与频道领域同程度之不纯物浓物之领域,前述开关薄膜晶体管之前述频道领域同程度之不纯物浓度之领域长度,比前述电流薄膜晶体管之前述频道领域同程度之不纯物浓度之领域长度为长。6.如申请专利范围第1-5项任一项所述之显示装置,其中前述保持容量系利用前述扫描线,与前述开关薄膜晶体管或前述电流薄膜晶体管之频道领域间之门绝缘膜形成。7.如申请专利范围第1-5项任一项所述之显示装置,其中前述保持容量系利用前述扫描线,与前述信号线间之层间绝缘膜形成。图式简单说明:第一图:显示本发明之第1实施形态之显示装置之一部分之电路图。第二图:第1实施形态之显示装置之断面图(a)及平面图(b)。第三图:显示第1实施形态之显示装置之制造工程图。第四图:显示第1实施形态之各薄膜晶体管之特性图。第五图:本发明之第2实施形态之显示装置之断面图(a)及平面图(b)。第六图:本发明之第3实施形态之显示装置之断面图(a)及平面图(b)。第七图:显示第3实施形态之显示装置之制造工程图。第八图:显示第3实施形态之各薄膜晶体管之特性图。第九图:本发明之第4实施形态之显示装置之断面图(a)及平面图(b)。第十图:电流驱动薄膜晶体管显示装置之等效电路图(a)及电位关系图(b)。 |
