积体记忆体

摘要

此种记忆胞具有第一差动式读出放大器(SA;SSA),其接点是与资料线对(BLL,/BLL;DL,/DL)相连接,第一读出放大器在读出过程时经由资料线对而由记忆胞中读出资讯,随后将资讯放大,且在写入过程时经由资料线对使资讯写入记忆胞中,其中相关之资讯以差动信号之形式经由资料线对而传送且在每一写入过程中资讯是由第一读出放大器暂时储存,具有一个切换单元(SW),资料线对(BLL,/BLL;DL,/DL)经由切换单元(SW)而与第一读出放大器(SA;SSA)之接点相连接,资料线对之各条导线相对于第一读出放大器之接点而依据切换状态来进行切换,切换单元(SW)之切换状态在写入过程时至少改变一次,使即将写入之资讯首先不会被第一读出放大器(SA; SAA)所反相且然后以反相方式写入相关之记忆胞(MC)中。

主权项

1.一种积体记忆体,其具有可写入之记忆胞(MC),记忆胞在记忆胞阵列中设置一些位元线(BL)及字元线(WL),其特征为:-具有第一差动式读出放大器(SA;SSA),其接点是与资料线对(BLL,/BLL;DL,/DL)相连接,第一读出放大器在读出过程时经由资料线对而由记忆胞中读出资讯,随后将资讯放大,且在写入过程时经由资料线使资讯写入记忆胞中,其中相关之资讯以差动信号之形式经由资料线对而传送且在每一写入过程中资讯是由第一读出放大器暂时储存,-具有一个切换单元(SW),资料线对(BLL,/BLL;DL,/DL)经由切换单元(SW)而与第一读出放大器(SA;SSA)之接点相连接,资料线对之各条导线相对于第一读出放大器之接点而依据切换状态来进行切换,-切换单元(SW)之切换状态在写入过程时至少改变一次,使即将写入之资讯首先不会被第一读出放大器(SA;SAA)所反相且然后以反相方式写入相关之记忆胞(MC)中。2.如申请专利范围第1项之积体记忆体,其中具有第一操作模式,此时切换单元(SW)之切换状态在写入过程时不会改变;另具有第二操作模式,此时切换单元之切换状态在写入过程时至少改变一次。3.如申请专利范围第1项之积体记忆体,其中资料线对由二条位元线(BLL,/BLL)所构成,且第一读出放大器是一种直接与位元线相连接之主读出放大器(SA)。4.如申请专利范围第1项之积体记忆体,其中-第一读出放大器是一种副读出放大器(SSA),-其具有至少二个第二读出放大器(SA1,SA2),其是一种主读出放大器且一方面分别经由至少一对位元线(BL1,/BL1;BL2,/BL2)而与记忆胞(MC)相连接且另一方面经由资料线对(DL,DL)而与第一读出放大器(SSA)相连接。5.如申请专利范围第2项之积体记忆体,其中记忆胞(MC)之记忆能力是依据所进行之写入及/或读出过程之次数而定;第一操作模式是一种正常之操作模式而第二操作模式是一种去老化之操作模式。6.如申请专利范围第5项之积体记忆体,其中记忆胞(MC)是一种铁电质记忆胞。7.如申请专利范围第6项之积体记忆体,其中-记忆胞(MC)具有铁电质记忆电容器(C)以便储存资讯,-经由记忆电容器(C)在写入过程中下降于各记忆胞(MC)上之电压在第二操作模式中较第一操作模式中者还大。8.一种积体记忆体之记忆胞(MC)去老化所用之方法,此积体记忆体是申请专利范围前几项中任一项所述者,其特征为:-读出此种储存在记忆胞(MC)中之资讯且暂时储存在第一读出放大器(SA;SSA)中,-此种暂时储存在读出放大器(SA;SSA)中之资讯至少须写回至记忆胞(MC)中二次,在每次写回之后此切换单元(SW)之切换状态须改变。图式简单说明:第一图积体记忆体之第一实施例。第二图本发明之记忆体之第二实施例。第三图记忆体之记忆胞阵列。第四图记忆体之记忆胞。