| 主权项 |
1.一种用以减少一溅射靶之再溅射之方法,该溅射靶上方装设有一对对置之磁体,包含:a)由靶之中线监视靶侵蚀轨;b)修正磁体之形状以提供一弯弧、单圈、具有开放端之磁体形状,使得在溅射过程中靶之侵蚀图案更加均匀。2.一种供用于溅射靶之改良之磁体对,各磁体之形状系可使得在溅射期间靶上沿着从其中线至其边缘之侵蚀均匀度达到最大,该磁体之形状为一弯弧、单圈、具有开放端之形状,且在靠近开放端之厚度约为其中间之两倍。3.一种离子化金属电浆溅射室,包含:一目标靶,一对磁体,设于目标靶之上方,一载体托架,与目标靶平行且间隔设置,一电源,连接至目标靶,一RF电源,连接至载体托架,一螺旋线圈,设于溅射室中,于目标靶与载体托架之间,以及一RF电源,连接螺旋线圈,其改良处包含:该对磁体之形状为一弯弧、单圈、具有开放端之形状,且在开放端之厚度约为其中间之两倍,使得目标靶之侵蚀图案具有足够的均匀度以减少目标靶上之再溅射。图式简单说明:第一图为一习用溅射室之剖视示意图。第二图为习知技术中一经由溅射而部份填补之凹洞之剖视示意图。第三图一提供高密度电浆之改良之溅射室之剖视示意图。第四图绘出了使用本发明之磁体之侵蚀轨迹之中线。第五图绘出了使用习知之磁体之侵蚀轨迹之中线。第六图为本发明之靶磁体与习用之靶磁体测得之侵蚀轨之比较。第七图为使用本发明之磁体之侵蚀轮廓对靶半径作图。第八图为本发明另一实施例之侵蚀轮廓之图。第九图显示使用第八图之磁体所测得之侵蚀轮廓。第十图为本发明之磁体之内外极片之顶视图。 |
