| 主权项 |
1.一种制造矽单晶之方法,其包括制备具有尖锐尖端的矽种晶,将矽种晶从尖端到有预定厚度的位置处之部份熔化下来,接着实施颈化操作以形成一渐尖细的颈化部份与一颈部份,及随着在增加直径后拉出一单晶锭,其中该要熔下的部份为从尖端到其厚度为要形成的颈部所具直径两倍大或更大之位置处所构成的部份;该颈化操作的实施方式为使得在早期阶段经由在逐渐减小其直径到5毫米或更大的最小直径下拉取晶种而形成一渐细的颈化部份,且然后形成一颈部份,随后在增加直径之下拉取单晶锭。2.根据申请专利范围第1项之方法,该种晶所具主体之直径或边长为14毫米或更大者。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该颈化系在该矽种晶的一部份熔化到熔体内之后的5分钟内起始的。4.根据申请专利范围第2项之方法,其中该颈化系在该矽种晶的一部份熔化到熔体内之后的5分钟内起始的。图式简单说明:第一图为显示出形成厚颈部份的本发明方法之解说图。第二图为显示出在种晶熔下后的维持时间与滑动脱位密度之间的关系之图形。 |
