| 主权项 |
1.一种光阻重做之方法,可应用于一基底上,该基底上依序形成有一物质层和一光阻层,包括:曝光该光阻层;显影该光阻层;检视该光阻层的图案尺寸,当该光阻层的图案尺寸小于规格尺寸时,重做该光阻;形成一有机物薄膜于该光阻层之表面,使该光阻层的图案尺寸合于规格尺寸;以及固化该光阻,并使该有机物薄膜反应成一有机聚合物薄膜。2.如申请专利范围第1项所述之光阻重做之方法,其中检视该光阻图案尺寸之方法包括使用扫描电子显微镜来观察。3.如申请专利范围第1项所述之光阻重做之方法,其中该有机物薄膜包括以低温化学气相沉积法所形成之一有机物单体、一有机预聚合物与一有机聚合物。4.如申请专利范围第1项所述之光阻重做之方法,其中固化该光阻之方法包括热垫板加热法。5.如申请专利范围第1项所述之光阻重做之方法,其中固化该光阻之方法包括紫外光照射法。6.如申请专利范围第1项所述之光阻重做之方法,其中固化该光阻之方法包括离子植入法。7.如申请专利范围第6项所述之光阻重做之方法,其中该离子包括硼离子。8.如申请专利范围第6项所述之光阻重做之方法,其中该离子包括砷离子。9.如申请专利范围第6项所述之光阻重做之方法,其中该离子包括二氟化硼离子。10.如申请专利范围第6项所述之光阻重做之方法,其中该离子之植入剂量约1E11至9E13 ions/cm2。11.如申请专利范围第6项所述之光阻重做之方法,其中该离子之植入能量约20至80 keV。12.如申请专利范围第1项所述之光阻重做之方法,其中该有机聚合物薄膜的材质包括一聚亚醯胺树脂。13.如申请专利范围第12项所述之光阻重做之方法,其中该聚亚醯胺树脂是以二胺基烯类与末饱和的二羧酸亚氨酸卤化物反应而成。14.如申请专利范围第13项所述之光阻重做之方法,其中聚合该聚亚醯胺树脂之反应可经由光阻成分中之质子H+催化在光阻表面之单体、预聚合物链结而成。15.如申请专利范围第14项所述之光阻重做之方法,其中聚合该聚亚醯胺树脂之反应温度约为80℃至400℃。16.如申请专利范围第1项所述之光阻重做之方法,其中该有机聚合物薄膜之厚度约为10至3K埃。17.一种光阻重做之方法,可应用于一基底上,该基底上依序形成有一物质层和显影后之一光阻层,其中该光阻层之图案尺寸比所需尺寸小,包括:形成一有机物薄膜于该光阻表面;以及固化该光阻层,使该有机物薄膜完全反应成一聚合物薄膜。18.如申请专利范围第17项所述之光阻重做之方法,其中该有机物薄膜包括以低温化学气相沉积法所形成之一有机物单体、一有机预聚合物与一有机聚合物。19.如申请专利范围第17项所述之光阻重做之方法,其中固化该光阻层之方法包括热垫板加热。20.如申请专利范围第17项所述之光阻重做之方法,其中固化该光阻之方法包括紫外光照射。21.如申请专利范围第17项所述之光阻重做之方法,其中固化该光阻之方法包括离子植入法。22.如申请专利范围第21项所述之光阻重做之方法,其中该离子植入法所使用之离子包括硼离子。23.如申请专利范围第21项所述之光阻重做之方法,其中该离子植入法所使用之离子包括砷离子。24.如申请专利范围第21项所述之光阻重做之方法,其中该离子植入法所使用之离子包括氟化硼离子。25.如申请专利范围第21项所述之光阻重做之方法,其中该离子植入法所使用之离子植入剂量约1E11至9E13 ions/cm2。26.如申请专利范围第21项所述之光阻重做之方法,其中该离子植入法所使用之离子植入能量约20至80keV。27.如申请专利范围第17项所述之光阻重做之方法,其中该聚合物薄膜包括一聚亚醯胺树脂。28.如申请专利范围第27项所述之光阻重做之方法,其中该聚亚醯胺树脂是以二胺基烯类与未饱和的二羧酸亚氨酸卤化物作用产生预聚合物,再经过聚合作用而成之。29.如申请专利范围第28项所述之光阻重做之方法,其中聚合该聚亚醯胺树脂之反应可经由光阻成分中之质子H+催化在光阻表面之预聚合物链结而成。30.如申请专利范围第28项所述之光阻重做之方法,其中形成该聚亚醯胺树脂之聚合反应温度控制约为80℃至400℃。31.如申请专利范围第17项所述之光阻重做之方法,其中该聚合物薄膜之厚度约为10至3K埃。图式简单说明:第一图A至第一图D所绘示为习知重做光阻之制造流程剖面图;以及第二图A至第二图D所绘示为依照本发明之较佳实施例一种重做光阻之制造流程剖面图。 |
