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1.一种制造具有极低金属离子含量的光阻剂组合物的方法a)1)以去离子水清洗具有成对亚胺二乙酸酯或亚胺二乙酸官能基之钳合离子交换树脂,接着以5-98%无机酸溶液清洗,再以去离子水清洗,于是使离子交换树脂中之钠与铁离子含量降至低于100 ppb;或2)以去离子水清洗具有成对亚胺二乙酸酯或亚胺二乙酸官能基之钳合离子交换树脂,接着5-98%以无机酸溶液清洗,再以去离子水清洗,接着以氢氧化铵溶液清洗,于是使该钳合离子交换树脂转化成铵盐,接着以去离子水清洗,于是使离子交换树脂中之钠与铁离子含量各降至低于100 ppb;b)除去1)或2)之离子交换树脂中的水份,接着以一种光阻溶剂清洗,此溶剂可与用以纯化光阻剂组合物的溶剂相容;c)将光阻剂组合物与钳合离子交换树脂之铵盐或钳合离子交换树脂之酸形式混合,并在30至90℃范围内加热1至80小时,接着经过0.05至0.5微米滤器过滤,于是使光阻剂组合物中之钠与铁离子含量各降至低于50ppb。2.根据申请专利范围第1项的方法,其中该离子交换树脂系经洗涤而使钠与铁离子含量各降至低于50ppb。3.根据申请专利范围第1项的方法,其中该离子交换树脂系经洗涤而使钠与铁离子总含量各降至低于20ppb。4.根据申请专利范围第1项的方法,其中光阻溶剂与用以清洗该离子交换树脂的溶剂是相同的。5.根据申请专利范围第4项的方法,其中该溶剂系迳自包括乙酸丙二醇甲基醚酯、3-乙氧丙酸乙酯与乳酸乙酯。6.一种藉由在适当基材上产生光影像以制造半导体装置的方法,其包括:a)1)以去离子水清洗具有成对亚胺二乙酸酯或亚胺二乙酸官能基之钳合离子交换树脂,接着以5-98%无机酸溶液清洗,再以去离子水清洗,于是使离子交换树脂中之钠与铁离子含量降至低于100ppb;或2)以去离子水清洗具有成对亚胺二乙酸酯或亚胺二乙酸官能基之钳合离子交换树脂,接着以5-98%无机酸溶液清洗,再以去离子水清洗,接着以氢氧化铵溶液清洗,于是使离子交换树脂转化成铵盐,接着以去离子水清洗,于是使离子交换树脂中之钠与铁离子含量各降至低于100ppb;b)除去1)或2)之离子交换树脂中的水份,接着以一种光阻溶剂清洗,此溶剂可与用以纯化光阻剂组合物的溶剂相容;c)将光阻剂组合物与钳合离子交换树脂之铵盐或钳合离子交换树脂之酸形式混合,并在30至90℃范围内加热1至80小时,接着经过0.05至0.5微米滤器过滤,于是使光阻剂组合物中之钠与铁离子含量各降至低于50ppb;d)以该光阻剂组合物涂布一种适当基材;e)加热处理经涂布过的基材直到实质上所有溶剂均被移除为止;f)成像曝光该光阻剂组合物;以及g)以含水硷性显影剂除去该光阻剂组合物之成像曝光区域。7.根据申请专利范围第6项的方法,其中该离子交换树脂系经洗涤而使钠与铁离子含量各降至低于50ppb。8.根据申请专利范围第6项的方法,其另外包括在去除步骤g)之前或之后,立刻烘烤经涂布基材的步骤。9.根据申请专利范围第6项的方法,其中该离子交换树脂系经洗涤而使钠与铁离子总含量各降至低于20ppb。10.根据申请专利范围第6项的方法,其中光阻溶剂与用以清洗该离子交换树脂的溶剂是相同的。11.根据申请专利范围第10项的方法,其中该溶剂系选自包括乙酸丙二醇甲基醚酯7.3-乙氧丙酸乙酯与乳酸乙酯。 |
