| 主权项 |
1.一种接受170至220毫微米远紫外线曝光用之感光性树脂组合物,其包含下式(I)表示的以组合物总固形物成份为基准含量0.1至20重量%之N-羟基顺丁烯二醯亚胺型磺酸酯光酸生成剂:其中R1和R2,其可相同或不同,各代表氢原子,具有1至6个碳原子的烷基,或不超过6个碳原子的环烷基;R1和R2可经伸烷基链组合形成一个环;以及R3代表烷基、全氟烷基、环烷基、或樟脑基;和以组合物总固形物成份为基准含量40重量%至98重量%之具有可经由酸增加在硷性显影剂中的溶解度之取代基的选自以下树脂之一种以上的树脂:下式所示之树脂:其中R11.R13.R15和R16可为相同或相异,各表示一个氢原子或甲基;R12代表R17代表COOCH3.COOC2H5或CN;v代表从0.3至0.7;x代表从0.2至0.6;y代表从0.05至0.3;z代表从0至0.2;和v+x+y+z=1;v、x、y和z代表各单体单元的莫耳比;下式所示之树脂:其中R18.R20和R21,其可为相同或不同,各代表一个氢原子或一个甲基;R19代表以及A1代表其中R22.R24.R25和R27,其可为相同或不同,各代表一个氢原子或一个甲基;R23和R26可为相同或不同,各代表第三丁氧基羰基、2-四氢喃基、4-甲氧基四氢喃基、3-氧基环己基、1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、1-异丙氧基乙基、1-(正丁氧基)乙基或1-(第三丁氧基)乙基;以及A2代表具有下列单体单元的树脂:2.一种形成像的方法,其包括:于基质上形成一层可接受从170至220毫微米远紫外线曝光之感光性树脂组合物之薄膜,此薄膜接受170至220毫微米波长范围内之光曝光,及由此经曝光的薄膜进行显影,该感光性树脂组合物包含式(I)表示的以组合物总固形物成份为基准含量0.1至20重量%之N-羟基顺丁烯二醯亚胺型磺酸酯光酸生成剂:其中R1和R2,其可相同或不同,各代表氢原子,具有1至6个碳原子的烷基,或不超过6个碳原子的环烷基;R1和R2可经伸烷基链组合形成一个环;以及R3代表烷基、全氟烷基、环烷基、或樟脑基;和以组合物总固形物成份为基准含量40重量%至98重量%之具有可经由酸增加在硷性显影剂中的溶解度之取代基的选自以下树脂之一种以上的树脂:下式所示之树脂:其中R11.R13.R15和R16可为相同或相异,各表示一个氢原子或甲基;R12代表R14代表R17代表COOCH3.COOC2H5或CN;v代表从0.3至0.7;x代表从0.2至0.6;y代表从0.05至0.3;z代表从0至0.2;和v+x+y+z=1;v、x、y和z代表各单体单元的莫耳比;下式所示之树脂:其中R18.R20和R21,其可为相同或不同,各代表一个氢原子或一个甲基;R19代表以及A1代表其中R22.R24.R25和R27,其可为相同或不同,各代表一个氢原子或一个甲基;R23和R26可为相同或不同,各代表第三丁氧基羰基、2-四氢喃基、4-甲氧基四氢喃基、3-氧基环己基、1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、1-异丙氧基乙基、1-(正丁氧基)乙基或1-(第三丁氧基)乙基;以及A2代表具有下列单体单元的树脂:3.根据申请专利范围第4项之形成像的方法,其中光源是ArF准分子雷射。 |
