| 主权项 |
1.一种体积电路中接触窗(Contact)蚀刻的方法,包括:(a)提供一已完成前段制程的半导体基板,所述基板上已覆盖一介电层及一层已具有接触窗图案之光阻;(b)对未被光阻覆盖之所述介电层,进行接触窗形成之主要蚀刻(Main Etch);(c)进行第一次光阻移除(PR Strip),并同步进行接触窗形成之附加蚀刻(In-Situ Soft Etch)。2.如申请范围第1项所述积体电路中接触窗蚀刻的方法,其中所述接触窗形成之主要蚀刻,系采用高能量(high PFpower)电浆蚀刻法(Plasma Etching)。3.如申请范围第1项所述积体电路中接触窗蚀刻的方法,其中所述第一次光阻移除及同步进行接触窗形成之附加蚀刻,系采用电浆处理法(Plasma Treatment)。4.如申请范围第3项所述积体电路中接触窗蚀刻的方法,其中所述电浆处理法之电浆系包含氧气(O2)及含氟(F)气体。5.如申请范围第4项所述积体电路中接触窗蚀刻的方法,其中所述含氟(F)气体可为CF4.CHF3或C2F6。6.如申请范围第4项所述积体电路中接触窗蚀刻的方法,其中所述氧气之流量系介于3000~5000 SCCM之间。7.如申请范围第4项所述积体电路中接触窗蚀刻的方法,其中所含氟(F)气体之流量系介于40~80 SCCM之间。8.如申请范围第3项所述积体电路中接触窗蚀刻的方法,其中,该电浆处理法之产生电浆能量为900~1000W。9.如申请范围第3项所述积体电路中接触窗蚀刻的方法,其中,该电浆处理法之电浆粒子本身不带有能量。10.如申请范围第3项所述积体电路中接触窗蚀刻的方法,其中,该电浆处理法之处理时间为15~30秒。11.如申请范围第1项所述积体电路中接触窗蚀刻的方法,其中所述步骤(c)之后,可进行第二次光阻移除。12.如申请范围第11项所述积体电路中接触窗蚀刻的方法,其中,该第二次光阻移除系采用湿式光阻移除法(PR Wet Strip)。13.一种去除光阻并同时平坦化受到伤害之粗糙基板表面的方法,包括:(a)提供一已完成前段制程的基板,所述基板上已具有一层图案化之光阻,以及不平整的粗糙表面;(b)利用电浆处理法(Plasma Treatment),进行光阻移除(PRStrip),并同步进行粗糙基板表面之附加蚀刻(In-SituSoft Etch)。14.如申请范围第13项所述去除光阻并同时平坦化受到伤害之粗糙基板表面的方法,其中所述电浆处理法之电浆系包含氧气(O2)及含氟(F)气体。15.如申请范围第14项所述去除光阻并同时平坦化受到伤害之粗糙基板表面的方法,其中,该含氟(F)气体可为CF4.CHF3或C2F6。16.如申请范围第14项所述去除光阻并同时平坦化受到伤害之粗糙基板表面的方法,其中,氧气(O2)的流量系介于3000~5000 SCCM之间。17.如申请范围第14项所述去除光阻并同时平坦化受到伤害之粗糙基板表面的方法,其中,含氟(F)气体的流量系介于40~80 SCCM之间。18.如申请范围第13项所述去除光阻并同时平坦化受到伤害之粗糙基板表面的方法,其中所述电浆处理法之产生电浆能量为900~1000W。19.如申请范围第13项所述去除光阻并同时平坦化受到伤害之粗糙基板表面的方法,其中所述电浆处理法之电浆粒子本身不带有能量。20.如申请范围第13项所述去除光阻并同时平坦化受到伤害之粗糙基板表面的方法,其中所述电浆处理法之处理时间为15~30秒。图式简单说明:第一图A是习知技艺中,进行接触窗形成之主要蚀刻步骤(Main Etching)之剖面示意图。第一图B是习知技艺中,进行接触窗形成之附加蚀刻步骤(Soft Etching)之剖面示意图。第一图C是习知技艺中,进行接触窗形成之去光阻步骤之剖面示意图。第二图A是本发明中,进行接触窗形成之主要蚀刻步骤(Main Etching)之剖面示意图。第二图B是本发明中,同时进行接触窗形成之附加蚀刻及去光阻步骤之剖面示意图。 |
