改良矽化钨沉积之方法

摘要

一种改良矽化钨沉积之方法，在已形成沟渠的半导体基底上成长多晶矽层，然后在多晶矽上，先成长一层薄的氮化钛，再进行矽化钨的沉积。先成长氮化钛可使矽化钨阶梯覆盖的效果大为提升，对元件的可靠性及良率都有很好的改善。

主权项

1.一种改良矽化钨沉积之方法,包括下列步骤: a.在一具有沟渠的半导体基底上成长一多晶矽层; b.在该多晶矽层上成长一氮化钛层; c.在该氮化钛层上进行形成一矽化钨层。2.如申请 专利范围第1项所述之方法,其中,该氮化钛层系以 化学气相沉积法形成。3.如申请专利范围第1项所 述之方法,其中,该氮化钛层系以溅镀法形成。图 式简单说明: 第一图绘示乃传统在多晶矽上沉积矽化钨之制程 剖面图。 第二图绘示依照本发明一较佳实施例,在多晶矽与 矽化钨之间,形成一氮化钛层之制程剖面图。