| 主权项 |
1.一种非塔式产制去垢剂颗粒之方法,该颗粒包含 超过20重量%之阴离子界面活性剂,至少15重量%之磷 酸盐助洗剂及1-40重量%之铝矽酸盐助洗剂,该方法 包含下述之步骤:将该磷酸盐助洗剂和包含该阴离 子界面活性剂和水之膏状物导入至包含乾燥区之 闪蒸反应器中,于该乾燥区加热该膏状物,该乾燥 区含有搅拌装置以搅拌并输送其内部之膏状物及 通过该乾燥区自其所生成之颗粒,其中加入至少部 份之铝矽酸盐以充作分层剂。2.如申请专利范围 第1项之方法,其中乾燥区之平均滞留时间系少于5 分钟。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中位 于乾燥区之后的冷却区系积极地冷却该去垢剂颗 粒。4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中乾燥 区实质上系截面循环式,以圆柱壁界定。5.如申请 专利范围第1或2项之方法,其中该搅拌装置包含一 系列径向延伸之踏板及/或叶片,其架设于轴向架 设之可转式心轴上。6.如申请专利范围第1或2项之 方法,其中阴离子界面活性剂包含超过20重量%以该 颗粒重量计之直链烷基苯磺酸盐。7.如申请专利 范围第1或2项之方法,其中阴离子界面活性剂包含 一级烷基硫酸盐。8.如申请专利范围第1或2项之方 法,其中该去垢剂颗粒包含至少35重量%之阴离子界 面活性剂。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该 去垢剂颗粒包含超过40重量%之阴离子界面活性剂 。10.如申请专利范围第1或2项之方法,其中该去垢 剂颗粒包含15-60重量%之磷酸盐助洗剂。11.如申请 专利范围第10项之方法,其中该去垢剂颗粒包含20- 50重量%之磷酸盐助洗剂。12.如申请专利范围第1或 2项之方法,其中该去垢剂颗粒进一步包含无机共 助洗剂。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该 无机共助洗剂包含碳酸钠。14.如申请专利范围第 12项之方法,其中该无机共助洗剂之量系为该颗粒 之1-50重量%。15.如申请专利范围第14项之方法,其 中该无机共助洗剂之量系为该颗粒之2-35重量%。16 .如申请专利范围第1或2项之方法,其中该磷酸盐助 洗剂包含三聚磷酸钠。17.如申请专利范围第1项之 方法,其中导入膏状物至乾燥区系藉由导入阴离子 界面活性剂之酸前驱物及中和剂至乾燥区。 |
