发明名称 PROCEDE DE FABRICATION DE STRUCTURES ACTIVES ET DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS AINSI OBTENUS.
摘要
申请公布号 FR2687008(B1) 申请公布日期 2001.06.22
申请号 FR19920001293 申请日期 1992.02.05
申请人 LAUNAY PATRICK 发明人 LAUNAY PATRICK
分类号 H01L21/20;H01L21/331;H01L21/74;H01L21/762;H01L29/06 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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