THIN-FILM RESISTOR WITH HIGH TEMPERATURE COEFFICIENT FOR USE AS PASSIVE SEMICONDUCTOR COMPONENT FOR INTEGRATED CIRCUITS, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

摘要

Die Erfindung beinhaltet ein Halbleiterbauelement unter Verwendung einer WSiN-Schicht als Dünnschichtwiderstandes mit hohem Temperaturkoeffizienten zum Einsatz als Thermistor in Bolometern. Das Herstellungsverfahren umfasst auch die thermische Entkopplung mittels freistehender oder auf einer Isolationsschicht befindlicher Thermistoren.