| 摘要 |
<p>Eine Gehäuseanordnung eines Halbleiterbausteins umfasst einen Halbleiterchip (2), eine Leiterplatte (8), auf die der Halbleiterbaustein (1) aufgesetzt ist, und eine Trägerschicht (3), die zwischen dem Halbleiterchip (2) und der Leiterplatte (8) angeordnet ist, zur Umverdrahtung der Verdrahtungsanschlüsse (11) des Halbleiterchips (2) auf die Leiterplatte (8). Die Trägerschicht (3) ist über Lötstellen (6) mit der Leiterplatte (8) verbunden, und ein Füllstoff (4) zwischen dem Halbleiterchip (2) und der Trägerschicht (3) dient zur mechanischen Entkopplung des Halbleiterchips (2) und der Lötstellen (6). Auf die Trägerschicht (3) ist eine Metallschicht (5) aufgebracht, die mit Lötstellen (6) verbunden ist. Auf die Metallschicht (5) ist wenigstens ein Formelement (7) aus wärmeabführendem Material aufgebracht, das mit der Metallschicht (5) wärmeleitend verbunden ist. Dadurch erhält die Gehäuseanordnung eine verbesserte Leitfähigkeit der abzuführenden Verlustleistung des eingebauten Halbleiterchips (2), wobei die erwünschten mechanischen Eigenschaften der Gehäuseanordnung erhalten bleiden.</p> |
