| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Silizium-Kristalls, bei dem der Kristall nach dem Czochralski-Verfahren (CZ-Verfahren) aus einem Quarztiegel gezogen wird und die Verwendung eines mit einem Cz-Verfahren hergestellten Siliziumkristalls mit einer Grunddotierung durch mindestens einen Dotierstoff aus den chemischen Hauptgruppen III und/oder V. Um einen Siliziumkristall mit einer geeigneten Grunddotierung kostengünstig herzustellen, ist vorgesehen, dass der Kristall nach dem Czochralski-Verfahren aus einem Quarztiegel gezogen wird, wobei die Schmelze zur gezielten Grunddotierung mindestens einen Dotierstoff aus den chemischen Hauptgruppen III und/oder V aufweist, und wobei die Schmelze mit Siliziummaterial und/oder Dotierstoffen derart nachchargiert wird, dass sich die Dotierungsunterschiede im Kristall in vorgegebenen Grenzen halten.</p> |
