发明名称 | 用于绝缘栅双极晶体管的驱动电路 | ||
摘要 | 本发明提供了一种用于驱动IGBT的驱动电路,这种电路包含正向偏置电源、反向偏置电源、正向偏置半导体开关、反向偏置半导体开关、第一电阻器和第二电阻器。电容器的一端连接在第一电阻器和第二电阻器的公共节点与IGBT的栅极之间。工作中,模式切换半导体开关被接通和断开,以建立一给定的电压变化速率,独立地选出这个速率,用于IGBT的接通和断开。$#! | ||
申请公布号 | CN1067497C | 申请公布日期 | 2001.06.20 |
申请号 | CN98107900.8 | 申请日期 | 1998.05.08 |
申请人 | 富士电机株式会社 | 发明人 | 石井新一 |
分类号 | H02M1/08 | 主分类号 | H02M1/08 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 沈昭坤 |
主权项 | 1.一种用于驱动IGBT的驱动电路,包含:第一电源,用于产生正向偏置电流;第二电源,用于产生反向偏置电流;第一半导体开关,用于使IGBT正向偏置;第二半导体开关,用于使IGBT反向偏置;第一电阻器,用于限制正向偏置电流;第二电阻器,用于限制反向偏置电流;其特征在于还包含:电容器,所述电容器的第一端连接在用于限制正向偏置电流的第一电阻器和用于限制反向偏置电流的第二电阻器的公共节点与IGBT的栅极之间;模式切换半导体开关,所述开关的第一端连接到所述电容器的第二端,而所述开关的第二端连接到所述第一电源和所述第二电源的公共节点,所述模式切换半导体开关被接通和断开,以建立电压的变化速率,所述速率被独立地选出,用于IGBT的接通和断开。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |