Method for producing a semiconductor device

摘要

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbausteins (1) vorgeschlagen, der einen Halbleiterchip (2) mit Verdrahtungsanschlüssen (3) und Leiterbahnen (4) zum elektrischen Anschluß des Halbleiterchips (2) aufweist sowie eine Komponente (5) einer Gehäuseanordnung, die organisches, siliziumhaltiges Material enthält. Der Halbleiterchip (2) wird dazu auf die Komponente (5) der Gehäuseanordnung aufgebracht und mit ihr dauerhaft verbunden. Die Leiterbahnen (4) und/oder die Verdrahtungsanschlüsse (3) werden im Anschluß einem Reinigungsprozeß unterzogen, in dem auf einer Oberfläche haftendes siliziumhaltiges Material beseitigt wird. Die Leiterbahnen (4) werden im Anschluß mit den Verdrahtungsanschlüssen (3) elektrisch leitend verbunden. Durch den vorgesehenen Reinigungsprozeß wird die Kontaktqualität dieser elektrischen Verbindungen spürbar verbessert. <IMAGE>