发明名称 Circuitos de força inteligente configuráveis por máscara-aplicações e dispositivos gs-nmos
摘要 Patente de Invenção: <B>"CIRCUITOS DE FORçA INTELIGENTE CONFIGURáVEIS POR MáSCARA-APLICAçõES E DISPOSITIVOS GS-NMOS"<D>. Esta invenção refere-se a importantes aperfeiçoamentos em projetos de Força Inteligente que fazem uso de disposições com base em um único tipo de célula NMOS (Semicondutor de óxido Metálico de Canal N) em disposições de matriz adequadas para implementar funções genéricas exigidas pelos blocos de controle de força. Esta técnica permite projetos semipersonalizados de baixo custo e novas estratégias de configuração ICs (Circuitos Integrados) de fácil implementação industrial voltada para a Força Inteligente que usa tecnologias CMOS (Semicondutor de óxido Metálico Complementar) padrão desejadas nos circuitos integrados, sem quaisquer etapas de processamento adicionais. A mesma tecnologia pode também ser aplicada às tecnologias sofisticadas de Força Inteligente para a prototipação rápida.
申请公布号 BR0006053(A) 申请公布日期 2001.06.19
申请号 BR20000006053 申请日期 2000.04.28
申请人 INSTITUTO SUPERIOR TECNICO;FUNDACAO CENTRO TECNOLOGICO PARA A INFORMATICA BRASILEIRA 发明人 MARIA INES SIMAS;SAULO FINCO;ANTONIO PEDRO CASIMIRO;PEDRO MENDONCA SANTOS;FRANK HERMAN BEHRENS;CARLOS I. Z. MAMMANA
分类号 H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/02;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/423;H03K19/0185;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L21/822
代理机构 代理人
主权项
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