| 发明名称 |
AN ADVANCED LOW-LEAKAGE ARCHITECTURE FOR SUB-0.18MM SALICIDED CMOS DEVICES |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG81356(A1) |
申请公布日期 |
2001.06.19 |
| 申请号 |
SG20000003419 |
申请日期 |
2000.06.16 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD |
发明人 |
LIM ENG HUA;LIM CHONG WEE;SIAH SOH YUN;LEE KONG HEAN;LEE PEI CHING |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/762;H01L21/8234;(IPC1-7):H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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