发明名称 表面黏着型排列二极体之制造方法
摘要 本发明系有关「表面黏着型排列二极体之制造方法」,其系将左、右长条形料带内侧冲压出相对应间隔排列之搭接端,外侧接触端仍呈长条形;再于左料带与右料带之搭接端间设置复数个间隔排列之晶片后,并在左、右料带外缘射出成型绝缘外层而形成长条状,使左、右料带之接触端露在外缘,且于每二片晶片之间的外缘设置凹沟,藉由凹沟将左、右料带接触端予以隔离绝缘成连结但互不导通的复数个排列二极体,而能视使用数量由凹沟处切断,即形成该等数量之表面黏着型排列二极体。
申请公布号 TW441139 申请公布日期 2001.06.16
申请号 TW089104453 申请日期 2000.03.10
申请人 黄文彬 发明人 黄文彬
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 黄启昌 台北巿复兴南路二段三八一号三楼之二
主权项 1.一种『表面黏着型排列二极体之制造方法』,系包括有下列制程:(1)将左、右长条形料带内侧冲压出相对应间隔排列之搭接端,外侧仍呈长条形;(2)左料带与右料带的每一组相对应之搭接端间设置晶片;(3)左、右料带外缘射出成型绝缘外层,并形成长条状,使左、右料带之左、右接触端露在外缘;(4)于每二片晶片之间的外缘底部设凹沟,并藉凹沟将左、右料带之左、右接触端予以隔离,俾形成长条状连结但互不导通的排列二极体;(5)视使用数量由凹沟处切断,即形成该等数量之表面黏着型排列二极体者。2.如申请专利范围第1项所述『表面黏着型排列二极体之制造方法』,其中,晶片与左搭接端、右搭接端之端底平面接触固定。图式简单说明:第一图为昔式二极体之制造方式示意图。第二图所示系为本发明之结构立体图。第三图所示系为本发明之二极体结构剖面图。第四图所示系为本发明之结构分解图。第五图所示系为本发明之排列二极体上制造凹沟之示意图。第六图所示系为本发明之排列二极体切断方式示意图。第七图所示系为本发明之二极体结构立体图。第八图所示系为本发明之二极体使用型式图。
地址 台北巿基隆路一段一○一巷十八号四楼