| 主权项 |
1.一种附有隆起接点的卷带载体,主要乃将半导体晶片载置于电路基板之用之附有隆起接点之卷带载体,其特征为:具备有:绝缘薄片,及形成于该绝缘薄片上之导体图样,及形成于该导体图样上之半导体晶片连接用金属隆起接点,上述金属隆起接点系具有对于上述导体图样面而具有实质成垂直之侧面之柱状体所构成者。2.如申请专利范围第1项所述之附有隆起接点的卷带载体,其中上述导体图样系备有与电路基板连接用之接点柱,在上述接点柱之下侧之上述绝缘薄片上开设有孔,在此孔中形成有接合用电极,而介着此接合用电极连接上述导体图样与电路基板者。3.如申请专利范围第1项所述之附有隆起接点的卷带载体,其中上述金属隆起接点乃由焊锡所构成。4.如申请专利范围第2项所述之附有隆起接点的卷带载体,其中上述金属隆起接点及上述接合用电极均系备有多层构造。5.如申请专利范围第4项所述之附有隆起接点的卷带载体,其中上述金属隆起接点乃包含由焊锡所成之最上层,及具有较焊锡为高之融点之金属所成之下层而构成。6.一种附有隆起接点之卷带载体之制造方法,具有:于由绝缘薄片及金属箔所成之叠层体之金属箔上,形成第1之感光性树脂层之过程;将上述第1之感光性树脂层予以图样形成,以资形成电路形成用之第1树脂图样之过程;施予第1电镀,而对于由上述第1树脂图样露出之上述金属上箔形成金属图样之过程;去除上述第1树脂图样,而对于包含上述金属图样之全面形成第2感光性树脂层之过程;将上述第2感光性树脂层予以形成图样,以资形成只露出金属隆起接点形成部地形成第2树脂图样之过程;施予第2电镀,以资于由上述第2树脂图样所露出之上述金属图样上形成金属隆起接点之过程;去除上述第2树脂图样之过程;以及以上述金属图样为遮蔽罩,选择地去除上述金属箔,以资形成上述金属箔图样之过程;而构成为其特征者。7.如申请专利范围第6项附有隆起接点之卷带载体之制造方法,其中再具备,在形成上述第1感光性树脂层之过程之前,对于上述绝缘薄片上,形成较上述导体图样之接点柱为小直径之孔之过程者。8.如申请专利范围第7项附有隆起接点之卷带载体之制造方法,其中藉由上述第1电镀,而对于露出于上述孔内之上述金属箔上,形成第1金属层,藉由上述第2电镀而对于上述孔内之上述第1金属层上形成第2金属层者。9.如申请专利范围第6项附有隆起接点之卷带载体之制造方法,其中更具备,在形成上述金属图样之过程之后,且形成上述金属隆起接点之过程之前,对于上述绝缘薄片上,开设较上述导体图样之接点柱之直径为小直径之孔之过程者。10.如申请专利范围第9项附有隆起接点之卷带载体之制造方法,其中藉由上述第2电镀,对于露出于上述孔内之上述金属箔上形成金属层。11.如申请专利范围第6项附有隆起接点之卷带载体之制造方法,其中上述金属隆起接点乃由焊锡所成。12.一种附有隆起接点之卷带载体之制造方法,具备有:对于由绝缘薄片与金属箔所成之叠层体之金属箔上形成第1感光性树脂层之过程;将该第1感光性树脂层予以图样形成,以资形成只有金属隆起接点形成部露出地形成第1树脂图样之过程;施予电镀由而对于由上述第1树脂图样露出之上述金属箔上形成金属隆起接点之过程;去除上述第1树脂图样,对于包含上述金属隆起接点之全面以电着法形成第2感光性树脂层之过程;将上述第2之感光性树脂层予以图样形成以资形成电路形成用之第2树脂图样之过程;使用上述第2树脂图样为屏蔽罩以资选择的去除上述金属箔形成金属箔图样之过程,而构成为其特征者。13.如申请专利范围第12项附有隆起接点之卷带载体之制造方法,其中更具备,在形成上述第1感光性树脂层之过程之前,对于上述绝缘薄片上开设较上述导体图样之接点柱直径小之直径之孔之过程者。14.如申请专利范围第13项附有隆起接点之卷带载体之制造方法,其中藉由上述电镀,对于露出于上述孔内之上述金属箔上形成金属层者。15.如申请专利范围第12项附有隆起接点之卷带载体之制造方法,其中上述金属隆起接点系由焊锡所成者。16.一种半导体装置之制造方法,主要乃,备有绝缘薄片,及形成在此绝缘薄片上之导体图样,及形成于该导体图样上之半导体晶片连接用金属隆起接点,而上述金属隆起接点系由备有对于上述导体图样面上实质的垂直之侧面之柱状体而成之附有隆起接点之卷带载体上,接合半导体晶片而成之半导体装置之制造方法中,其特征为具备于上述半导体晶片之电极面或上述金属隆起接点之顶部涂布焊剂之过程;以上述半导体晶片之电极之能对应于上述卷带载体之金属隆起接点地将上述半导体晶片与上述卷带载体予以定位之过程;以固着材来固着,上述半导体晶片与上述卷带载体之过程;以及予以加热,以资熔融上述卷带载体之金属隆起接点以资连接上述半导体晶片之电极与上述卷带载体之金属隆起接点之过程而构成者。17.如申请专利范围第16项所述之半导体装置之制造方法,其中上述加热乃藉以加热工具来加热与设置上述半导体晶片之上述电极之面之相反侧之面来实施者。18.如申请专利范围第16项所述之半导体装置之制造方法,其中上述加热乃藉由将该固着了半导体晶片之卷带载体,通过该加热炉中来实施者。19.如申请专利范围第16项所述之半导体装置之制造方法,其中连接上述半导体晶片之电极与上述卷带载体之金属隆起接点之后,在上述半导体晶片与卷带载体之间之空隙中填充树脂者。20.一种半导体装置之制造方法,主要乃具备有绝缘薄片,及形成在此绝缘薄片上之导体图样,及形成于该导体图样上之半导体晶片连接用金属隆起接点,而上述金属隆起接点系由备有对于上述导体图样面上实质的垂直之侧面之柱状体而成之附有隆起接点之卷带载体上,接合半导体晶片而成之半导体装置之制造方法中,其特征为,具备于上述半导体晶片之电极面或上述金属隆起接点之顶部涂布焊剂之过程;以上述半导体晶片之电极之能对应于上述卷带载体之金属隆起接点地,将上述半导体晶片与上述卷带载体予以定位之过程;以及以加热工具加热,上述半导体晶片之设置上述电极之面之相反侧之面,由而使上述卷带载体之金属隆起接点熔融,以资连接上述半导体晶片之电极与上述卷带载体之金属隆起接点之过程;而构成者。21.如申请专利范围第20项所述之半导体装置之制造方法,其中连接上述半导体晶片之电极与上述卷带载体之金属隆起接点之后,在上述半导体晶片与卷带载体之间之空隙,填充树脂而构成者。图式简单说明:第一图表示使用习用之卷带载体之半导体封装之剖面图。第二图表示本发明之一实施例之附有金属隆起接点之卷带载体剖面图。第三图表示本发明之卷带载体之斜视图。第四图A-第四图O乃依过程顺序表示本发明之附有金属隆起接点之卷带载体之制造过程。第五图A-第五图K乃依过程顺序表示本发明之其他实施例之附有金属隆起接点之卷带载体之制造过程。第六图表示本发明其他实施例之附有金属隆起接点之卷带载体之剖面图。第七图A-第七图E表示依第1方法将半导体晶片连接于卷带载体之连接过程之剖面图。第八图A-第八图D表示依第2方法将半导体晶片连接于卷带载体之连接过程之剖面图。 |
