| 主权项 |
1.一种掩模之洗净方法,其为具备:用高温之硫酸与过氧化氢水溶液之混合液来洗净被用于制造半导体装置之照相制版步骤中作为原盘之掩模之表面以使存在于该表面之有机物分解且除去金属不纯物之第一步骤;除去该掩模表面上残留之硫酸之第二步骤;除去该掩模表面上附着之异物之第三步骤;以及使该掩模乾燥之第四步骤而成之掩模之洗净方法,其特征为,在第二步骤使用阳极水以除去该掩模表面上残留之硫酸者。2.如申请专利范围第1项之方法,其特征为,该第二步骤为使用被加温至30℃以上之阳极水之洗净步骤者。3.如申请专利范围第1项之方法,其为具备:用高温之硫酸与过氧化氢水溶液之混合液来洗净被用于制造半导体装置之照相制版步骤中作为原盘之掩模之表面以使存在于该表面之有机物分解且除去金属不纯物之第一步骤;除去该掩模表面上残留之硫酸之第二步骤;除去该掩模表面上附着之异物之第三步骤;以及使该掩模乾燥之第四步骤而成之掩模之洗净方法,其特征为,该第三步骤为使用阴极水以除去异物之洗净步骤者。4.如申请专利范围第3项之方法,其特征为,该第三步骤所用之阴极水为含有微量氨者。5.如申请专利范围第3项之方法,其特征为,该第二步骤为使用阳极水以除去该掩模表面上残留之硫酸之洗净步骤者。6.如申请专利范围第5项之方法,其特征为,该第二步骤为使用被加温至30℃以上之阳极水之洗净步骤者。7.如申请专利范围第1项之方法,其特征为,在第一步骤至第三步骤中之至少一步骤兼并使用超音波处理者。8.如申请专利范围第1项之方法,其特征为,被洗净之该掩模为一石英基板,形成有遮光膜在其上者。9.如申请专利范围第8项之方法,其特征为,被洗净之该掩模为一中间调掩膜,即在石英基板上具有遮光膜(半透明膜)图型作为移相器者。10.如申请专利范围第9项之方法,其特征为,该移相器为由MoSiON膜所构成者。11.如申请专利范围第1项之方法,其特征为,被洗净之该掩模为在石英基板上具有由金属或金属化合物所构成之遮光膜图型之掩模者。12.一种掩模之洗净装置,其特征为具备:酸槽,藉此使用高温之硫酸与过氧化氢水溶液之混合液来洗净被用于制造半导体装置之照相制版步骤中作为原盘之掩模之表面以使存在于该表面之有机物分解且除去金属不纯物;电解水制造装置;漂洗槽,藉此使用该电解水制造装置所产生之阳极水以洗净该掩模之表面;异物去除槽,藉此使用该电解水制造装置所产生之阴极水以洗净该掩模之表面;乾燥槽,被用于洗净后之掩模之乾燥;以及洗净液供给/控制机构,被用以按指定之浓度或温度控制各别供给于该酸槽,该漂洗槽以及该异物去除槽之洗净液者。13.如申请专利范围第12项之装置,其特征为,该酸槽,该漂洗槽以及该异物去除槽中之至少一槽为兼具超音波处理之功能者。14.如申请专利范围第12项之装置,其特征为,在漂洗槽所用之阳极水为已被加温至30℃以上者。15.如申请专利范围第12项之装置,其特征为,具有被用以将指定浓度之氨水供给于异物去除槽之机构;在异物去除槽所用之阴极水为含有微量氨者。图式简单说明:第一图为展示依照实施形态1之藉各种药液施行漂洗处理后之残留硫酸离子量之图。第二图为被用以说明电解水制造装置及电解水之产生过程之图。第三图为展示依照实施形态2在使用各种药液之下所得CrON膜上之异物(二氧化矽粒子)之去除率之图。第四图为设有超音波振动子之溢流槽之说明图。第五图为展示依照实施形态3之MoSiON膜经过各种药液有关之硷处理后之透射率变动量之图。第六图为展示依照实施形态3在使用各种药液之下施行洗净处理后所得之MoSiON膜上之氧化铝粒子之去除率之图。第七图展示依照实施形态4之掩模之洗净方法之全部流程之图。第八图为依照实施形态5之掩模洗净装置之结构图。第九图为被用以说明一种使掩模水平旋转之同时予以洗净之方法之图。第十图为被用以说明利用线型极超音波喷嘴之掩模洗净方法之图。第十一图为展示依照习知方法之掩模洗净方法之全部流程之图。 |
