| 主权项 |
1.一种乾燥固态聚合物之方法,包括使由聚合反应所获得之固态聚合物(或固态聚合物之改质产物)与乾燥气体接触,由而移除残留在固态聚合物中之任何溶剂及/或未反应之聚合反应原料,以乾燥固态聚合物,其中该乾燥气体接触处理包括:(i)使该固态聚合物与作为乾燥气体之气态聚合反应原料接触,以乾燥固态聚合物,以及(ii)使所得之固态聚合物与含惰性气体之乾燥气体接触。2.如申请专利范围第1项之方法,其中残留于欲于步骤(i)中处理之固态聚合物中之溶剂及未反应之聚合反应原料的量为0重量%或以上及20重量%或以下。3.如申请专利范围第1项之方法,其中系自步骤(i)回收乾燥气体且其部份或全部循环至聚合反应步骤。4.如申请专利范围第1项之方法,其中系自步骤(i)回收乾燥气体且其部份循环至步骤(i)。5.如申请专利范围第4项之方法,其中循环至步骤(i)之乾燥气体含有氢。6.如申请专利范围第1项之方法,其中在步骤(ii)中供应含有作为惰性气体之氦,氮,氩,氖或其混合物且氧含量为0重量%或以上及5重量%或以下之含惰性气体之乾燥气体。7.如申请专利范围第1项之方法,其中在步骤(ii)中供应含有气态或液态之含惰性气体之乾燥气体。8.如申请专利范围第7项之方法,其中含惰性气体之乾燥气体具有0.1至70重量%之水含量。9.如申请专利范围第1项之方法,其中各乾燥气体与固态聚合物逆流地接触。10.一种固态聚合物之乾燥装置,包括:乾燥容器,固态聚合物供应口(b),系配置在乾燥容器顶端的附近,第一乾燥气体供应口(c),系配置在固态聚合物供应口(b)下方的位置,用于供应含气态聚合反应原料之第一气体。第一乾燥气体排放口(a),系配置在乾燥容器的顶端,用于排放已与固态聚合物逆流地接触之第一乾燥气体,第二乾燥气体供应口(d),系配置在乾燥容器底部的附近,用于供应含惰性气体之第二乾燥气体,第二乾燥气体收集器D,系配置在乾燥容器内,位于第一乾燥气体供应口(c)与第二乾燥气体供应口(d)之间,用于收集已与固态聚合物逆流地接触之第二乾燥气体,回收管线E,自第二乾燥气体收集器D延伸至乾燥容器外,用于引导已由第二乾燥气体收集器D所收集之第二乾燥气体至乾燥容器外,以及固态聚合物排放口(e),系配置在乾燥容器的底部,用于回收已藉由与第一乾燥气体及第二乾燥气体之逆流接触而予以乾燥之固态聚合物,其中第二乾燥气体收集器D分隔乾燥容器的内部,由而使固态聚合物与第一乾燥气体接触的区域界定在第二乾燥气体收集器D之上方及使固态聚合物与第二乾燥气体接触的区域界定在第二乾燥气体收集器D之下方。11.如申请专利范围第10项之乾燥装置,其中回收管线E在位于第二乾燥气体收集器D之较低部份的附近具有第二乾燥气体回收端。12.如申请专利范围第10项之乾燥装置,其中乾燥容器为具有在其顶端备有圆顶部且在其底部备有具有反圆锥形之料斗部之圆柱体部的料斗型乾燥容器。13.如申请专利范围第10项之乾燥装置,其中第二乾燥气体收集器D系由自乾燥容器的内壁向乾燥容器的中心轴突出而配置之突出板所组成,该突出板在其中心具有开口。14.如申请专利范围第13项之乾燥装置,其中突出板具有反圆锥或反多角金字塔之形式,其在顶点各具有开口。15.如申请专利范围第13项之乾燥装置,其中突出板包括在其中心具有开口之盘形体及自开口附近向下延伸之圆柱部。16.如申请专利范围第13至15项任一项之乾燥装置,其中D4/D1(其中D1表示圆柱体部的内径及D4表示第二乾燥气体收集器D之开口的最小内径)的比率为0.3至0.8。17.如申请专利范围第10项之乾燥装置,其中第二乾燥气体收集器D系由配置在乾燥容器中心之伞型收集构件所组成,由而在伞型收集构件的外周缘部份与乾燥容器的内壁间提供一空间。18.如申请专利范围第17项之乾燥装置,其中伞型收集器D具有圆锥,多角金字塔或盘子之形状。19.如申请专利范围第17或18项之乾燥装置,其中D2/D1(其中D1表示圆柱体部的内径及D2表示第二乾燥气体收集器D的最大内径)的比率为0.2至0.8。20.如申请专利范围第11项之乾燥装置,其中乾燥容器包括配置在内径为D1之圆柱体部与料斗部间之内径为D5之较大直径部份,上述D5大于上述D1,D1/D5比率为0.2至0.7。图式简单说明:第一图为显示依据本发明之固态聚合物之乾燥方法之较佳具体实例(其系使用分隔容器型的乾燥装置进行之)的概要图;第二图为显示依据本发明之固态聚合物之乾燥方法之另一具体实例(其系使用非分隔容器型的乾烘装置进行)的概要图;第三图为显示依据本发明之乾燥装置之较佳具体实例中之非分隔型乾燥容器的概要说明图;第四图为显示依据本发明之乾燥装置之其他具体实例中之非分隔型乾燥容器的概要说明图;以及第五图为显示依据本发明之乾燥装置之另一具体实例中之非分隔型乾燥容器的概要说明图。 |
