| 主权项 |
1.一种适用于至少一个高频范围的高功率电晶体晶片(17)之封装件,包括了一个导电和传热的凸缘(10),至少两个电绝缘基座(15),至少两个电连接器(16),和一个覆盖物;其中高功率电晶片(17)安置在凸缘(10)上,而电连接器(16)安置在电绝缘基座(15)上,其特征为电绝缘基座与凸缘(10)相连接,且和高功率高晶体晶片(17)分离而没有电通路。2.如申请专利范围第1项之封装件,其特征为凸缘是铜制成的。3.如申请专利范围第1项之封装件,其特征为凸缘(10)可由铜钼铜化合物、铜钨铜化合物、或是铜金刚石化合物组成。4.如申请专利范围第2或3项之封装件,其特征为电绝缘基座(15)系安置在位于凸缘侧面边缘之至少一边缘上的一凹槽内。5.如申请专利范围第2或3项之封装件,其特征为电绝缘基座(15)系延着该凸缘之侧面边缘之全长而分布。6.如申请专利范围第1或2项之封装件,其特征为电绝缘基座(15)是从上层面绕过侧面边缘,到下层面皆施以金属化而得。7.如申请专利范围第1项之封装件,其特征为电绝缘基座(15)包括导电介质,其是从电绝缘基座(15)的上层面延伸到下层面。8.如申请专利范围第7项之封装件,其特征为连接凸缘(10)的电绝缘基座(15)之侧面边缘,具有可适应性衔接凸缘(10)侧面边缘之形状及大小的几何形状,如此可使凸缘的上下层面,以及电绝缘基座的上下层面,各自做好准备进入共存的同一平面层。9.如申请专利范围第8项之封装件,其特征为该几何结构为阶梯状。图式简单说明:第一图是一个先前封装件去除覆盖物的侧面剖视图。第二图是第一图之去除覆盖物封装件的俯视图。第三图是另一个具体实施例中封装件去除覆盖物的侧面剖视图。第四图是本发明另一个封装件去除覆盖物的侧面剖视图。第五图展示的是第三图和第四图中去除覆盖物封装件的俯视图。第六图展示的是以上图式中去除覆盖物封装件的另一个实施例。第七图是本发明另一个具体实施例中无覆盖物之封装件的侧面剖视图。第八图本发明之无覆盖物之封装件又一实施例的侧面剖视图。 |
