| 主权项 |
1.一种含有由波纹或波纹法所制成金属性电路的半导体晶圆表面之化学机械式平整方法,包括:(i)用抛光垫和第一浆液抛光含金属性电路之晶圆表面;(ii)检测抛光终点;(iii)对半导体晶圆表面实施淋洗;和(iv)用对介质的选择率大于金属的第二浆液,抛光半导体晶圆表面者。2.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(iv)之抛光包括使用对介质之除去率比金属高约1.2至约4倍的第二浆液抛光者。3.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(iv)之抛光包括使用对介质之除去率比金属高约1.5至约2.5倍的第二浆液抛光者。4.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(iv)之抛光包括使用对介质之除去率比金属高约1.8至约2.3倍的第二浆液抛光者。5.如申请专利范围第1项之方法,其中金属性电路包括金属性组成物,含有选自铜、银、金、铝组成群之金属为主要成份者。6.如申请专利范围第1项之方法,其中金属性电路包括选自铜、银、金、铝组成群之金属者。7.一种含有由波纹或波纹法所制成金属性电路的半导体晶圆表面之化学机械式抛光方法,包括:(i)用抛光垫和第一浆液抛光晶圆表面,表面之电路包括选自铜、银、金、铝组成群之金属,及其合金;(ii)检测抛光终点,并准备晶圆表面接受第二抛光步骤用第二浆液;以及(iii)用对介质的除去率比对金属高约1.2至约4倍之第二浆液抛光晶圆表面者。8.如申请专利范围第7项之方法,其中用第二浆液抛光包括使用对介质之除去率比对金属高约1.5至约2.5倍的浆液抛光者。9.如申请专利范围第7项之方法,其中用第二浆液抛光包括使用对介质之除去率比对金属高约1.8至约2.3倍的浆液抛光者。10.一种含有由波纹或波纹法所制成金属性电路的半导体晶圆表面之化学机械式平整方法,包括:(i)用抛光垫和第一浆液抛光含金属性电路之晶圆表面;(ii)当晶圆表面上的金属层大部份除去时,停止抛光;(iii)淋洗晶圆的抛光表面;以及(iv)用对介质的除去率大于金属的第二浆液,抛光淋洗过之晶圆表面者。11.如申请专利范围第10项之方法,其中步骤(iv)之抛光包括用对介质之除去率比对金属高约1.2至约4倍的第二浆液抛光者。12.如申请专利范围第10项之方法,其中步骤(iv)之抛光包括用对介质之除去率比对金属高约1.5至约2.5倍的第二浆液抛光者。13.如申请专利范围第10项之方法,其中步骤(iv)之抛光包括用对介质之除去率比对金属高约1.8至约2.3倍的第二浆液抛光者。14.如申请专利范围第10项之方法,其中金属性电路包括选自铜、金、银、铝组成群之金属,及其合金者。图式简单说明:第一图为波纹法所形成半导体晶圆表面部份之简略断面图,表示介质内的沟道结构,上面形成适应之薄障壁层,再于其上形成金属层;第二图为第一图半导体晶圆部之简图,CMP已除去大部份金属层;第三图为第一图半导体晶圆部之简图,CMP步骤已除去金属,并继续到过量金属已完全除去,而在介质沟道内形成凹陷之金属插座;第四图A为第一图半导体晶圆一部份之断面简图,在CMP第一阶段之后;第四图B为第四图A半导体晶圆部份之简图,在浆液选择比为1:1:1(金属:障壁:介质)之CMP第二阶段之后;第五图A为第一图半导体晶圆一部份之断面简图,在CMP使用浆液的第一阶段之后,表示金属的中度凹陷,金属线留在抛光后的表面;第五图B为第五图A半导体晶圆断面简图,在按照本发明使用选择比为1:1:2(金属:障壁:介质)的第二步骤浆液之CMP后。 |
