| 摘要 |
记忆胞(MC)依序被测试,记忆胞(MC)依序被测试,在确定所测试之记忆胞之缺陷之后相关之列线(WL)或相关之行线(BL)直接由这些备用线(RWL,RBL)中之一之程式化所取代,在指定数目之备用线(RWL,RBL)已程式化之后,在确定另一个缺陷时这些备用线中至少一条之程式化须停止,备用线(RWL,RBL)被程式化以便修复另一记忆胞(MC)之缺陷。 |
| 主权项 |
1.一种积体单胞中有缺陷之记忆体单胞(MC)修复用之方法,这些记忆胞(MC)配置在列线(WL)和行线(BL)之交点,本方法是藉由备用列线(RWL)和备用行线(RBL)之可反向之程式化来进行,其特征为以下各步骤:-记忆胞(MC)依序被测试,-在确定所测试之记忆胞之缺陷之后相关之列线(WL)或相关之行线(BL)直接由这些备用线(RWL,RBL)中之一之程式化所取代,-在指定数目之备用线(RWL,RBL)已程式化之后,在确定另一个缺陷时这些备用线中至少一条之程式化须停止,-备用线(RWL,RBL)被程式化以便修复另一记忆胞(MC)之缺陷。2.如申请专利范围第1项之方法,其中-记忆胞(MC)以列之方式来测试其缺陷,-在确定刚才所测试之记忆胞(MC)有缺陷时,则相关之行线(BL)是由备用之行线(RBL)所取代,只要已程式化之备用之字线RBL之数目(X)未超过极限値(Y)时,-在超过极限値(Y)时,备用之行线(RBL)之所有之程式化(其是由于相关之列线(WL)中已确定之缺陷而进行)须停止。-相关之列线(WL)是由这些备用之列线(RWL)中之一条所取代。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该极限値(Y)在测试期间须改变。4.如申请专利范围第1项之方法,其中-记忆胞(MC)是以一种起始位址作开始而被测试,-在所有之备用线(RWL,RBL)已程式化之后,在确定另一缺陷时这些备用线中之一条之程式化须停止,-记忆胞(MC)然后以起始位址开始又重新测试,-只要发觉一个缺陷(其位址是在另一缺陷之前),则相对应之备用线(RWL,RBL)之程式化不可停止,-然后三个先前进行之步骤须相对于这些备用线(RWL,RBL)中另一条之程式化之停止而重复进行,-只要在这些备用线(RWL,RBL)中之一之程式化停止之后在随后对记忆胞(MC)进行测试期间一发觉有缺陷(其位址在另一缺陷之前)存在,则此缺陷由其程式化之停止而变成空着的(free)此种备用线所修复。5.如申请专利范围第4项之方法,其中若在确定另一缺陷之后所有备用线(RBL,RWL)之程式化之依序进行之停止不能修复所有目前已辨认之缺陷时,则此记忆体称为不可修复。图式简单说明:第一图本修复方法之第一实施形式之流程图。第二图是第一图之流程图之补充部份。第三图本修复方法之第二实施例之流程图。第四图至第十图进行第三图所示修复方法用之实施例。第十一图至第十二图进行第一图所示修复方法用之实施例。 |
