| 主权项 |
1.一种自动对准金属矽化物的制造方法,适用于积体电路的制程中,该方法包括:提供具有一电晶体结构之一基底,其中该电晶体结构包括位于该基底中之一源极/汲极,以及位于该基底上之一闸氧化层、一复晶矽闸极、一盖层与一间隙壁,其中该盖层覆盖于该复晶矽闸极上,且该间隙壁紧接于该复晶矽闸极与该盖层的侧壁;于该源极/汲极之表面形成一第一自动对准金属矽化物;形成一介电层全面覆盖该基底与该电晶体结构;平坦化该介电层;移除部分该介电层与该间隙壁,并完全移除该盖层,以暴露出该复晶矽闸极的上表面与部分的侧壁;于该暴露出之复晶矽闸极部份之表面形成一含矽结构;形成一金属层完全覆盖该含矽结构、该复晶矽闸与该介电层;进行一加热步骤,以使该含矽结构以及部分该复晶矽闸极与该金属层进行一金属矽化反应,以形成一第二自动对准金属矽化物;移除未进行该金属矽化反应之该金属层;以及进行一快速加热制程。2.如申请专利范围第1项所述之自动对准金属矽化物的制造方法,其中系以湿蚀刻移除部分该介电层与该间隙壁,并完全移除该盖层,并于该暴露出之复晶矽闸极部份之表面形成一磊晶矽层。3.如申请专利范围第1项所述之自动对准金属矽化物的制造方法,其中系以湿蚀刻移除部分该介电层与该间隙壁,并完全移除该盖层,并于该暴露出之复晶矽闸极之侧壁形成一复晶矽间隙壁。4.如申请专利范围第1项所述之自动对准金属矽化物的制造方法,其中系以乾蚀刻移除部分该介电层与该间隙壁,并完全移除该盖层,并于该复晶矽闸极暴露出之侧壁形成一复晶矽间隙壁。5.如申请专利范围第1项所述之自动对准金属矽化物的制造方法,其中该第二自动对准金属矽化物的宽度大于该复晶矽闸极的宽度。6.如申请专利范围第1项所述之自动对准金属矽化物的制造方法,其中形成该介电层的方法包括:高密度电浆化学气相沉积法。7.如申请专利范围第1项所述之自动对准金属矽化物的制造方法,其中该第一自动对准金属矽化物的厚度大约为200埃至400埃。8.如申请专利范围第1项所述之自动对准金属矽化物的制造方法,其中该第二自动对准金属矽化物的厚度大约为500埃至800埃。9.如申请专利范围第1项所述之自动对准金属矽化物的制造方法,其中进行该快速加热制程系加热至大约摄氏800度至900度。10.如申请专利范围第1项所述之自动对准金属矽化物的制造方法,其中该金属层系选自钛与钴所组成之族群。11.如申请专利范围第1项所述之自动对准金属矽化物的制造方法,其中平坦化该介电层之方法包括化学机械研磨法。12.一种制作T型闸极的方法,适用于已形成有一复晶矽闸极之一基底,该方法包括:形成一介电层全面覆盖该基底与该复晶矽闸极;平坦化该介电层;以湿蚀刻法移除部分该介电层,并暴露出该复晶矽闸极之上表面与部分的侧壁;进行一选择性磊晶生长步骤,以于该复晶矽闸极暴露出之表面长出一磊晶矽层;形成一金属层至少覆盖该磊晶矽层;进行一加热步骤,以使该磊晶矽层以及部分该复晶矽闸极与该金属层进行一金属矽化反应,以生成一自动对准金属矽化物;移除未参与该金属矽化反应之该金属层;以及进行一快速加热制程。13.如申请专利范围第12项所述之制作T型闸极的方法,其中形成该介电层的方法包括:以高度电浆化学气相沉积法。14.如申请专利范围第12项所述之制作T型闸极的方法,其中平坦化该介电层之方法包括化学机械研磨法。15.一种制作T型闸极的方法,适用于已形成有一复晶矽闸极之一基底,该方法包括:形成一介电层全面覆盖该基底与该复晶矽闸极;平坦化该介电层;移除部分该介电层,以暴露出该复晶矽闸极之上表面与部分的侧壁;形成一复晶矽间隙壁紧接于该复晶矽闸极暴露出之侧壁;形成与该复晶矽闸极、该复晶矽间隙壁以及该介电层共形之一金属层;进行一加热步骤,以使该复晶矽间矽壁以及部分该复晶矽闸极与该金属层进行一金属矽化反应,以生成一自动对准金属矽化物;移除未参与该金属矽化反应之该金属层;以及进行一快速加热制程。16.如申请专利范围第15项所述之制作T型闸极的方法,其中移除部分该介电层,以暴露出该复晶矽闸极之上表面与部分侧壁的方法系选自湿式蚀刻与乾式蚀刻所组成之族群。17.如申请专利范围第15项所述之制作T型闸极的方法,其中形成该介电层的方法包括:以高密度电浆化学气相沉积法。18.如申请专利范围第15项所述之制作T型闸极的方法,其中平坦化该介电层之方法包括化学机械研磨法。图式简单说明:第一图A至第1图F绘示依照本发明之自动对准金属矽化物之制作方法之第一较佳实施例流程剖面图;以及第二图A至第二图C绘示依照本发明之自动对准金属矽化物之制作方法之第二较佳实施例流程剖面图。 |
