发明名称 可改善制程效率及可靠性之覆晶封装结构及浇注方法
摘要 本发明为一种可改善制程效率及可靠性之覆晶封装结构及浇注方法,其主要系在基板上覆置连接晶片,而基板上之中间区域为一非焊罩区域,其余区域则覆盖有一焊罩,又于该基板中间区域之则形成有一通孔,藉此,充填材料可由晶片之全部周围同时浇注时,并向内流至该非焊罩区域时即停止流动,而不会堵塞该通孔,可降低浇注时程并有效将该基板与该晶片间之空气控制在通孔附近形成空隙(VOID),在封装后续制程时,因该区域的空气透过通孔与外界流通,故不会造成在高温回焊(REFLOW)时产生膨爆(POPCORN)及晶片裂化(DI ECRACK)之现象。
申请公布号 TW441050 申请公布日期 2001.06.16
申请号 TW088106087 申请日期 1999.04.16
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 王维中;王学德;方仁广;陶恕
分类号 H01L23/28 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人 林镒珠 台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种覆晶封装结构,包括:一基板;一晶片,其底面具有复数个突块电极以连接至该基板;及浇注于该晶片与该基板间之充填材料;其中,该基板上之中间区域为一非焊罩区域,其余区域则覆盖有一焊罩,又于该中间区域之中央则形成有一通孔,藉此,该充填材料可由该晶片之全部周围同时浇注,并当其向内流至该非焊罩区域时即停止流动,而不会堵塞该通孔,故可有效将该基板与该晶片间之空气局限在通孔周围形成一空隙,并透过该通孔与外界保持流通状态。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装结构,其中该基板上形成有复数个焊垫以与该晶片之突块电极焊接,又该复数个焊垫系位于覆盖有焊罩之区域内。3.一种覆晶浇注方法,包括下述之步骤:提供一基板,该基板上之中间区域为一非焊罩区域,其余区域则覆盖有一焊罩,又于该中间区域之中央则形成有一通孔;将一底面具有复数个突块电极之晶片覆置连接于该基板上,其中该基板之通孔约对着该晶片之中间部分;及将充填材料由该晶片之全部周围同时浇注,其中,当该充填材料流至该非焊罩区域时即停止流动,而不会堵塞该通孔,故可有效将该基板与该晶片间之空气驱离,并局限残除之空气于通孔周围而形成一空隙。4.如申请专利范围第3项所述之覆晶浇注方法,其中该基板上具有有复数个焊垫以与该晶片之突块电极焊接,又该复数个焊垫系位于覆盖有焊罩之区域内。图式简单说明:第一图:系为本发明所使用之基板上视平面图。第二图:系为第一图之基板沿着2-2'切线之剖面放大图。第三图:系为本发明之覆晶封装结构剖面图。第四图:系为浇注充填材料示意图。第五图:系为习知之覆晶封装结构及浇注充填材料示意图。第六图:系为另一习知之覆晶封装结构剖面图。第七图:系显示充填材料在习知之覆晶浇注作业时流动示意图。
地址 高雄巿楠梓区加工出口区经三路二十六号