| 主权项 |
1.一种可避免导线氧化的方法,其步骤包括:提供一包含有元件之半导体基底;依序形成一由第一垫层、一导电层以及一第二垫层所形成的堆叠层于该半导体基底上;以微影程序以及蚀刻步骤定义该堆叠层,形成具特定形状的导线结构;形成一第三垫层适顺性地覆盖于上述制程所形成的基底表面,以及导线结构之侧面;以及施一回蚀刻处理,并于该导线结构之侧面形成一由第三垫层所构成的侧壁子。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该导线系由金属铜所构成。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一垫层系由化学气相沉积或物理气相沉积的耐热材料所构成,其厚度约为250-500。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二垫层系由化学气相沉积或物理气相沉积的耐热材料所构成,其厚度约为250-500。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第三垫层系由化学气相沉积或物理气相沉积的耐热材料所构成,其厚度约为250-500。6.如申请专利范围第3.4.5项其中之一所述之方法,其中该耐热材料可选自钽、氮化钽、氮化钛、或是钽/氮化钽所构成之族群。7.一种可避免导线氧化的方法,其步骤包括:提供一包含有元件之半导体基底;依序形成一由第一垫层、一导电层、一第二垫层以及一硬罩幕层所形成的堆叠层于该半导体基底上;以微影程序以及蚀刻步骤定义该堆叠层,形成具特定形状的导线结构;形成一第三垫层适顺性地覆盖于上述制程所形成的基底表面,以及导线结构之侧面;以及施一回蚀刻处理,并于该导线结构之侧面形成一由第三垫层所构成的侧壁子。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该导线系由金属铜所构成。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该第一垫层系由化学气相沉积或物理气相沉积的耐热材料所构成,其厚度约为250-500。10.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该第二垫层系由化学气相沉积或物理气相沉积的耐热材料所构成,其厚度约为250-500。11.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该第三垫层系由化学气相沉积或物理气相沉积的耐热材料所构成,其厚度约为250-500。12.如申请专利范围第9.10.11项其中之一所述之方法,其中该耐热材料可选自钽、氮化钽、氮化钛、或是钽/氮化钽所构成之族群。13.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该硬罩幕层系由氮化矽所构成,其厚度约为250-500。14.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该硬罩幕层系由氧化矽所构成,其厚度约为250-500。图式简单说明:第一图A-第一图B显示习知一种半导体之导线剖面制程。第一图B'则显示是如第一图B所示的导线在环境中发生氧化的现象。第二图A-第二图C显示根据本发明之第一实施例的剖面制程。第三图A-第三图C显示根据本发明之第二实施例的剖面制程。 |
