| 主权项 |
1.一种监测一下光阻抗反射层制程的方法,该下光阻抗反射层制程用以在一晶圆上形成复数个被一多晶矽所包围之金氧半电晶体的闸极结构,包括以下步骤:在该晶圆的切割道上形成至少一个监测下光阻抗反射层制程的测试键电晶体,该测试键电晶体的闸极系利用该下光阻抗反射层制程,而与该些金氧半电晶体的闸极结构同时形成;将该测试键电晶体的闸极与源/汲极之一分别导接出来;以及量测该测试键电晶体的闸极与源/汲极之一是否为短路,以监测该下光阻抗反射层制程是否有异常现象。2.如申请专利范围第1项所述之监测一下光阻抗反射层制程的方法,其中该晶圆上包括一场氧化层,用以将该些金氧半电晶体隔离,以及复数个第一多晶矽层形成在该场氧化层上,且围绕于金氧半电晶体外,常用以当作产品应用之电阻;且其中该些金氧半电晶体和该测试键电晶体的闸极结构系由复数个第一多晶矽层和金属矽化物层所形成。3.如申请专利范围第2项所述之监测一下光阻抗反射层制程的方法,其中该些金属矽化物层包括矽化钨层。4.如申请专利范围第1项所述之监测一下光阻抗反射层制程的方法,更包括在该晶圆的切割道上形成复数个监测下光阻抗反射层制程的测试键电晶体;且其中该量测步骤包括该些测试键电晶体的闸极与源/汲极之一是否短路,以监测该下光阻抗反射层制程是否有异常现象。5.如申请专利范围第4项所述之监测一下光阻抗反射层制程的方法,其中该些围绕的多晶矽层具有不同的尺寸。6.一种监测一下光阻抗反射层制程的方法,包括以下步骤:提供一矽底材;该矽底材包括一场氧化层,用以定义出复数个主动区域;复数个第一导电层,形成在该场氧化层上,且围绕于各主动区域外,常用以当作产品应用的电阻;一测试区,该测试区上包括至少一个主动区域;沉积一第二导电层于该矽底材上;利用下光阻抗反射层制程,定义该第二导电层,以在该些主动区域中形成复数个电晶体的闸极结构;形成该些电晶体的源/汲极于该矽底材中;以及量测该切割道上的该至少一个电晶体的闸极与源/汲极之一是否短路,以监测该下光阻抗反射层制程是否有异常现象。7.如申请专利范围第6项所述之监测一下光阻抗反射层制程的方法,其中该矽底材的切割道上包括复数个主动区域,以及复数个电晶体形成在该些主动区域中;且其中该量测步骤包括量测该些切割道上的电晶体的闸极与源/汲极之一是否短路,以监测该下光阻抗反射层制程是否有异常现象。8.如申请专利范围第7项所述之监测一下光阻抗反射层制程的方法,其中该些切割道上的电晶体具有不同的尺寸。9.如申请专利范围第6项所述之监测一下光阻抗反射层制程的方法,其中该些第一导电层包括多晶矽层。10.如申请专利范围第6项所述之监测一下光阻抗反射层制程的方法,其中该些第二导电层包括多晶矽层和金属矽化物层。11.如申请专利范围第10项所述之监测一下光阻抗反射层制程的方法,其中该金属矽化物层包括矽化钨层。图式简单说明:第一图绘示在矽底材上形成主动区域、场氧化层与多晶矽层之示意图。第二图绘示形成多晶矽层、下光阻抗反射层与光阻之示意图。第三图绘示以乾式蚀刻方式形成多晶矽的图案。第四图绘示多晶矽层残留在晶片表面上的样子。第五图绘示由本发明之监测一下光阻抗反射层制程的方法所制作的测试键之剖面图。第六图绘示由本发明之监测一下光阻抗反射层制程的方法所制作的测试键之上视图。 |
