| 主权项 |
1.一种感测放大器,为由供给电流于经由记忆晶胞电晶体连接于第1电位之位元线(106)以检出应于记忆晶胞电晶体之导通状态而变动之位元线(106)之电位的感测放大器,具备:串联连接于第2电位与位元线(106)之间的负荷元件(212)及第1电晶体(213);连接于第2电位与位元线(106)之间的第2电晶体(214),该第2电晶体(214)具有比第1电晶体(213)为高的临限値;含有连接于位元线(106)的输入端子,及连接于第1与第2电晶体(213.214)之闸极之输出端子的反相器(215),以及含有连接于负荷元件(212)与第1电晶体(213)间之节点的第1输入端子,连接于基准电位的第2输入端子,以及输出用以表示位元线(106)之电位的检出结果之讯号的输出端子之差动放大器(211)。2.如申请专利范围第1项的感测放大器,其中,前述第1及第2电晶体(213.214)分别具有源极、汲极及闸极,前述闸极系离开源极及汲极而配置者。3.一种感测放大器,为由供给电流于经由记忆晶胞电晶体连接于第1电位之位元线(106)以检出因应于记忆晶胞电晶体之导通状态而变动之位元线(106)之电位的感测放大器,具备:串联连接于第2电位与位元线(106)之间的负荷元件(312)及第1电晶体(313);连接于第2电位与位元线(106)之间的第2电晶体(314);含有连接于位元线(106)的输入端子及连接于第1电晶体(313)之闸极之输出端子的第1反相器(315);含有连接于位元线(106)的输入端子及连接于第2电晶体(314)之闸极的输出端子之第2反相器(316),该第2反相器(316)具有比第1反相器(315)为低的临限値;以及含有连接于负荷元件(312)与第1电晶体(313)之间之节点的第1输入端子,及连接于基准电位的第2输入端子,以及输出用以表示位元线(106)之电位的检出结果之讯号的输出端子之差动放大器(311)。4.如申请专利范围第3项的感测放大器,其中前述第2电晶体(314)具有比前述第1电晶体(313)为大的电流供给能力者。5.如申请专利范围第3项的感测放大器,其中,前述第1及第2电晶体(313.314)分别具有源极、汲极及闸极,前述闸极系离开源极及汲极而配置者。6.一种感测放大器,为由供给电流于经由记忆晶胞电晶体连接于第1电位之位元线(106)以检出因应于记忆晶胞电晶体之导通状态而发动之位元线(106)之电位的感测放大器,具备:串联连接于第2电位与位元线(106)之间的负荷元件(412)及第1电晶体(413);连接于第2电位与位元线(106)之间的第2电晶体(414);连接于第2电位与第2电晶体(414)之间的开关电晶体(416);含有连接于位元线(106)之输入端子,及连接于第1及第2电晶体(413.414)之闸极之输出端子的反相器(415),以及含有连接于负荷元件(412)与第1电晶体(413)之间之节点的第1输入端子,连接于基准电位的第2输入端子,以及输出用以表示位元线(106)之电位的检出结果之讯号的输出端子之差动放大率(411)。7.如申请专利范围第6项的感测放大器,其中前述开关电晶体(416)于位元线(106)充电到预定的电位后成为断通者。8.如申请专利范围第6项的感测放大器,其中前述第2电晶体(414)具有比前述第1电晶体(414)为大的电流供给能力者。9.如申请专利范围第6项的感测放大器,其中,前述第1及第2电晶体(413.414)分别具有源极、汲极及闸极,前述闸极系离开源极及汲极而配置者。图式简单说明:第一图表示习用例之感测放大器的电路图。第二图表示第一图之感测放大器的动作波形图。第三图表示本发明之第1实施形态的感测放大器的电路图。第四图表示第三图之感测放大器的动作波形图。第五图A表示省闸极容量构造之电晶体的概略断面图。第五图B表示一般的电晶体之概略断面图。第六图表示本发明之第2实施形态的感测放大器的电路图。第七图表示第六图之感测放大器的动作波形图。第八图表示本发明之第3实施形态的感测放大器的电路图。第九图表示第八图之感测放大器的动作波形图。 |
