| 主权项 |
1.一种乾蚀刻机台无晶片自动清机制程,包括下列步骤:将生产晶图片移出该蚀刻机台的反应室;当至少一制程因数达到预先设定条件时,自动启动无晶片电浆清洗程序,以清洗该反应室;以及清洗完毕后,将下一批生产晶图片移入该反应室,进行正常生产程序。2.根据申请专利范围第1项之无晶片自动清机制程,其中于清洗完毕步骤之前,更包括一无晶片复原步骤,其系通入至少一种反应气体,并以一400瓦至900瓦功率之电浆进行清洗。3.根据申请专利范围第2项之无晶片自动清机制程,其中在无晶片复原步骤之后,更包括一以惰性气体吹驱之步骤。4.根据申请专利范围第1项之无晶片自动清机制程,其中该制程因数为电浆操作时间。5.根据申请专利范围第1项之无晶片自动清机制程,其中该制程因数为反应室乾蚀刻生产晶圆片的数目。6.根据申请专利范围第2项之无晶片自动清机制程,其中该反应气体系氟化物气体。7.根据申请专利范围第3项之无晶片自动清机制程,其中该惰性气体为氦。图式简单说明:第一图显示WAC终点轨迹图;第二图显示WAC后复晶矽蚀刻率的变动;第三图显示WAC+WRS后复晶矽及氧化层蚀刻率的复原;第四图显示WRS参数与损失的氧化层厚度的矩阵关系图;第五图显示0.25m复晶矽CD偏差値的趋势图;及第六图显示0.25m复晶矽保留的闸氧化层趋势图。 |
