| 主权项 |
1.一种将高阻値具有P型掺杂的三族金属氮化物或二-六族化合物半导体薄膜活化成低阻値P型掺杂的三族金属氮化物或二-六族化合物半导体薄膜的制造方法,包括:提供第一P型掺杂的三族金属氮化物或二-六族化合物半导体薄膜;以特定升温速率,加热上述第一P型掺杂的三族金属氮化物或二-六族化合物半导体薄膜,使温度由初始温度快速上升到第一特定温度;以特定降温速率,使温度由上述第一特定温度快速降到第二特定温度,上述第一P型掺杂三族金属氮化物或二-六族化合物半导体薄膜被活化成第二P型掺杂的三族金属氮化物或二-六族化合物半导体薄膜;以及进行持续降温操作,使温度回到上述初始温度;其中,在温度变化过程中,温度大于上述第二特定温度之时间不大于1分钟;上述第二P型掺杂的三族金属氮化物或二-六族化合物半导体薄膜之阻値低于上述第一P型掺杂的三族金属氮化物或二-六族化合物半导体薄膜。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,上述升温速率大于50℃/sec。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,上述降温速率大于20℃/sec。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,上述第二特定温度为400℃。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,上述第一特定温度大于或等于850℃。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,当温度上升到上述第一特定温度,立即以上述特定降温速度进行降温,而不进行持温操作。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,上述持续降温操作,可使用上述降温速率、或其他之降温速率进行。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,上述第一P型掺杂的三族金属氮化物或二-六族化合物半导体薄膜系使用有机金属化学气相沈积法(MOCVD)、分子束磊晶成长(MBE)、或是卤化物化学气相沈积(HVPE)制造而得。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,上述第一P型掺杂的三族金属氮化物薄膜其材质系选择自:氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)、或氮化铝镓(AlGaInN)等。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,上述第一P型掺杂的三族金属氮化物薄膜其P型杂质系选择自:铍(Be)、镁Mg、钙Ca、钡Ba、镉Cd或锌(Zn)等元素。11.一种将高阻値P型掺杂的三族金属氮化物或二-六族化合物半导体薄膜活化成低阻値P型掺杂的三族金属氮化物薄膜的制造方法,包括:提供第一P型三族金属氮化物或二-六族化合物半导体;以特定升温速率,加热上述第一P型掺杂的三族金属氮化物或二-六族化合物半导体薄膜,使温度由初始温度上升到第一特定温度;在特定持温时间内,使温度保持为上述第一特定温度;以特定降温速率,使温度由上述第一特定温度降到第二特定温度;上述第一P型掺杂的三族金属氮化物或二-六族化合物半导体薄膜被活化成第二P型掺杂的三族金属氮化物或二-六族化合物半导体薄膜;以及持续降温,使温度回到上述初始温度;其中,在温度变化过程中,温度大于上述第二特定温度之时间不大于1分钟;上述第二P型掺杂的三族金属氮化物或二-六族化合物半导体薄膜之阻値低于上述第一P型掺杂的三族金属氮化物或二-六族化合物半导体薄膜。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中,上述升温速率大约50℃/sec。13.如申请专利范围第11项所述之方法,其中,上述降温速率大于20℃/sec。14.如申请专利范围第11项所述之方法,其中,上述第二特定温度为400℃。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中,上述第一特定温度大于或等于850℃。16.如申请专利范围第11项所述之方法,其中,上述持温时间不大于25秒。17.如申请专利范围第11项所述之方法,其中,上述持续降温操作,可使用上述降温速率、或其他之降温速率进行。18.如申请专利范围第11项所述之方法,其中,上述第一P型掺杂的三族金属氮化物或二-六族化合物半导体薄膜系使用有机金属化学气相沈积法(MOCVD)、分子束磊晶成长(MBE)、或是卤化物化学气相沈积(HVPE)制造而得。19.如申请专利范围第11项所述之方法,其中,上述第一P型掺杂的三族金属氮化物薄膜其材质系选择自:氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝镓(AlGaN)、或氮化铝镓(AlGaInN)等。20.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,上述第一P型掺杂的三族金属氮化物薄膜其P型杂质系选择自:铍(Be)、镁Mg、钙Ca、钡Ba、镉Cd或锌(Zn)等元素。图式简单说明:第一图显示本发明方法所使用之温度梯度曲线图;第二图显示持温时间与电洞(载子)浓度之关系;以及第三图显示退火温度和P型氮化物镓薄膜阻値之关系。 |
