| 主权项 |
1.一种InAlGaN发光装置,包含:一主基材(12);一AlInGaN发光结构(20),包括第一及第二极性之装置层,接近主基材顶侧;一第一装置接触(18)黏附于AlInGaN发光结构顶侧;一晶圆黏结层(16)插置于主基材与AlInGaN结构间;以及一第二装置接触(22)置于晶圆黏结层内部且电连接至AlInGaN发光结构底侧。2.如申请专利范围第1项之装置,其中第二装置接触(22)含有至少50%银。3.如申请专利范围第1项之装置,其中第二装置接触(22)含有至少50%铝。4.如申请专利范围第1项之装置,其中该主基材(12)系选自包括金属及半导体。5.如申请专利范围第4项之装置,其中该主基材(12)系选自包括矽,锗,玻璃,铜及砷化镓。6.如申请专利范围第4项之装置,其中该主基材(12)为半导体,进一步包含一第一基材欧姆接触(24A)置于主基材顶侧。7.如申请专利范围第6项之装置,其进一步包含一第二基材欧姆接触(24B)其系电连接至主基材底侧。8.如申请专利范围第1项之装置,其进一步包含一对研磨镜设置于InAlGaN发光结构之两相对侧面形成一边缘发光雷射。9.如申请专利范围第1项之装置,其进一步包含:一第一介电布拉格反射镜(26A)置于InAlGaN发光结构顶侧;以及一第二介电布拉格反射镜(26B)设置于晶圆黏结层内毗邻InAlGaN发光结构底侧。10.一种制造立式导电AlInGaN发光装置之方法,包含下列步骤:生成一种AlInGaN发光结构其具有具第一及第二极性之装置层于生长基材上;沈积一第一欧姆金属层于InAlGaN发光结构之反侧上;沈积一第二欧姆金属层于一主基材上;以及晶圆黏合第一及第二欧姆金属层而于晶圆黏合交界面内部形成第一电接触。11.如申请专利范围第10项之方法,其中第一欧姆金属层系选自一组包括银,镍,铝,金及钴。12.如申请专利范围第10项之方法,其进一步包含下列步骤:移开生长基材;以及制造一第二电接触至InAlGaN发光结构之新暴露侧。13.如申请专利范围第12项之方法,其进一步包含蚀刻台面贯穿AlInGaN发光结构对应预定装置大小之步骤。14.如申请专利范围第13项之方法,其进一步包含将主基材单一化之步骤。15.如申请专利范围第10项之方法,其中该生长InAlGaN发光结构之步骤包含生长具有厚度大于50微米之AlInGaN薄膜于生长基材上之步骤。16.如申请专利范围第10项之方法,其中该主基材系选自包括金属及半导体。图式简单说明:第一图说明InAlGaN发光装置之较佳具体例具有一黏结层包含欧姆接触层黏合至InAlGaN非同质结构及黏附层至主基材。第二图说明InAlGaN发光装置之较佳具体例,其具有一黏结层包含欧姆接触层黏合至InAlGaN非同质结构,以及欧姆接触层黏合至导电主基材。第三图说明InAlGaN发光装置之较佳具体例,其具有两相对分布布拉格反射镜(DBR)堆叠于发光层各边上形成立式腔穴装置。黏结层包含欧姆接触层黏合至InAlGaN非同质结构以及欧姆接触层至导电性主基材。第四图A-第四图D说明InAlGaN发光装置切晶粒之较佳方法。第四图A中,生长于蓝宝石基材之InAlGaN层涂布以欧姆接触及黏结层。第四图B中,主基材系于移开蓝宝石基材之前黏合至InAlGaN层。第四图C中,InAlGaN装置系藉由台面蚀刻贯穿InAlGaN装置接地。第四图D中,装置最终经由将主基材切晶粒而单一化。 |
