| 主权项 |
1.一种湿式氧化装置,其具备有:可收容半导体晶圆之反应管;用于产生水蒸气之水蒸气产生装置;对于上述反应管供应气体之气体供应管;排气路;及将来自上述水蒸气产生装置之水蒸气,可切换为上述气体供应路及上述排气路中任一方之气体切换手段;及可控制上述水蒸气产生装置及上述气体切换手段之控制手段,其特征为:上述控制手段为,至少上述半导体晶圆之湿式氧化处理在上述反应管内进行规定次数期间,藉由上述水蒸气产生装置连续产生水蒸气;每当开始一次上述湿式氧化处理时,将来自上述水蒸气产生装置之水蒸气切换为上述气体供应路边侧;及每当结束一次上述湿式氧化处理时,将来自上述水蒸气产生装置之水蒸气切换为上述排气路边侧者。2.如申请专利范围第1项之湿式氧化装置,其中再具有供应惰气之惰气供应手段,上述气体切换手段为切换来自上述水蒸气产生手段之水蒸气及来自上述惰气供应手段之惰气将上述水蒸气及上述惰气中任一方可供给上述气体供应路之气体切换手段。3.如申请专利范围第2项之湿式氧化装置,其中若欲进行上述半导体晶圆之湿式氧化时,除了停止来自上述惰气供应手段之惰气供给上述气体供应路之外,并且,将来自上述水蒸气产生手段之水蒸气供应给上述气体供应路,若不进行上述半导体晶圆之湿式氧化时,就将来自上述水蒸气产生手段之水蒸气不供应给上述气体供应路而由上述排气路使其排气,并且,将来自上述惰气供应手段之惰气供应给上述气体供应路。4.如申请专利范围第1项之湿式氧化装置,其中再具有供应惰气之惰气供应手段,上述气体切换手段为,切换来自上述水蒸气产生手段之水蒸气及上述惰气气体供应手段之惰气而将上述水蒸气及上述惰气中任一方可供给上述气体供应路,上述控制手段为,除至少上述半导体晶圆之湿式氧化处理在上述反应管内进行规定次数之期间由上述水蒸气产生装置连续产生水蒸气之外,并且,加以控制如下;每当开始一次上述湿式氧化处理时,将来自上述水蒸气产生装置之水蒸气切换为上述气体供应路边侧,每当结束一次上述湿式氧化处理时,将来自上述水蒸气产生装置之水蒸气切换为上述排气路边侧的同时,并且,将来自上述惰气供应手段之惰气供应于上述气体供应路。5.一种湿式氧化装置,其具备有:可收容半导体晶圆之反应管;用于产生水蒸气之水蒸气产生装置;用于供应惰气之惰气供应手段;对于上述反应管内供应气体之气体供应路,与切换来自上述水蒸气产生手段之水蒸气及来自上述惰气气体供应手段之惰气而将上述水蒸气及上述惰气中任一方可供应给上述气体供应路之气体切换手段,及可控制上述水蒸气产生装置及上述气体切换手段之控制手段,其特征为:上述控制手段为,至少上述半导体晶圆之湿式氧化处理在上述反应管内进行规定次数之期间,藉由上述水蒸气产生装置连续产生水蒸气;每当开始上述湿式氧化处理一次时,将来自上述水蒸气产生装置之水蒸气切换为上述气体供应路边侧;及每当结束上述湿式氧化处理一次时,将来自上述水蒸气产生装置之水蒸气切换为来自上述惰气供应手段之惰气而将上述惰气能供应给上述气体供应路般,加以控制者。6.一种湿式氧化装置,为具有:可收容半导体晶圆之反应管,产生水蒸气之水蒸气产生装置其特征为:至少上述半导体晶圆之湿式氧化处理在上述反应管内进行规定次数之期间藉由上述水蒸气产生装置连续产生水蒸气;每当开始一次上述湿式氧化处理时,将来自上述水蒸气产生装置之水蒸气供应给上述反应管内,及每当结束一次上述湿式氧化处理时,将来自上述水蒸气产生装置之水蒸气停止供应给上述反应管内者。7.如申请专利范围第4或6项之湿式氧化装置,其中上述控制手段为,预先藉由上述水蒸气产生装置产生水蒸气,俟水蒸气之状态安定后,始进行上述规定次数之湿式氧化处理般,加以控制者。8.如申请专利范围第4或6项之湿式氧化装置,其中上述湿式氧化处理系按每1片半导体晶圆或少数片半导体晶圆进行。9.如申请专利范围第4或6项之湿式氧化装置,其中上述湿式氧化处理系按每1片半导体晶圆进行。10.如申请专利范围第4或6项之湿式氧化装置,其中上述湿式氧化处理系按每2片至10片之半导体晶圆进行。11.如申请专利范围第1至第6项中任一项之湿式氧化装置,其中上述水蒸气产生装置为燃烧氢气以产生水蒸气之装置。12.如申请专利范围第1至第6项中任一项之湿式氧化装置,其中上述气体切换手段具备着分岐之配管与具有多数阀之气体分岐部,上述湿式氧化装置更具有上述分岐之配管与将上述多数阀保持为高温之高温保持手段者。13.一种湿式氧化方法,其特征为;至少半导体晶圆之湿式氧化处理在反应管内进行规定次数之期间,除藉由水蒸气产生装置连续产生水蒸气之外;每当开始一次上述湿式氧化处理时,将来自上述水蒸气产生装置之水蒸气供应给上述反应管内而进行上述半导体晶圆之湿式氧化处理;及每当结束一次上述湿式氧化处理时,将来自上述水蒸气产生装置之水蒸气切换为排气路边侧。14.一种湿式氧化方法,其特征为;至少半导体晶圆之湿式氧化处理为在反应管内进行规定次数之期间,除藉由水蒸气产生装置连续产生水蒸气之外;每当开始一次上述湿式氧化处理时,将来自上述水蒸气产生装置之水蒸气供应给上述反应管内而进行上述半导体晶圆之湿式氧化处理,及每当结束一次上述湿式氧化处理时,将来自上述水蒸气产生装置之水蒸气切换于排气路边侧,并且,将来自惰气供应手段之惰气供应给上述反应管内。15.一种湿式氧化方法,其特征为:至少半导体晶圆之湿式氧化处理为在反应管内进行规定次数之期间,除藉由水蒸气产生装置连续产生水蒸气之外;每当开始一次上述湿式氧化处理时,将来自上述水蒸气产生装置之水蒸气供应给上述反应管内进行上述半导体晶圆之湿式氧化处理;及每当结束一次上述湿式氧化处理时,将来自上述水蒸气产生装置之水蒸气切换成来自惰气供应手段之惰气而将上述惰气供应给上述反应管内。16.一种湿式氧化方法,其特征为:至少半导体晶圆之湿式氧化处理在反应管内进行规定次数之期间,除藉由水蒸气产生装置连续产生水蒸气之外,每当开始一次上述湿式氧化处理时,将来自上述水蒸气产生装置之水蒸气供应给上述反应管内而进行上述半导体晶圆之湿式氧化处理,及每当结束一次上述湿式氧化处理时,停止上述水蒸气产生装置之水蒸气对于上述反应管内之供应。17.如申请专利范围第13至16项中任一项之湿式氧化方法,其中预先藉由上述水蒸气产生装置产生水蒸气,俟水蒸气状态安定后,将来自上述水蒸气产生装置之水蒸气供应给上述反应管内,而进行上述规定次数之湿式氧化处理。18.如申请专利范围第13至16项中任一项之湿式氧化方法,其中上述湿式氧化处理系按每1片之半导体晶圆或少数片之半导体晶圆进行。19.如申请专利范围第13至16项中任一项之湿式氧化方法,其中上述湿式氧化处理系按每1片之半导体晶圆进行。20.如申请专利范围第13至16项中任一项之湿式氧化方法,其中上述湿式氧化处理系按每2至10片之半导体晶圆进行。21.如申请专利范围第13至16项中任一项之湿式氧化方法,其中上述水蒸气产生装置为燃烧氢气以产生水蒸气之装置。图式简单说明:第一图系用来说明本发明一实施形态之湿式氧化装置所需之概略图。第二图系用来说明习知技术之湿式氧化装置所需之概略图。第三图系用来说明使用习知技术之湿式氧化装置时之湿式氧化顺序所需之图。 |
