| 主权项 |
1.一种高压钢储气筒,其包括:一具有内表面之储气筒壁;一覆盖内表面,厚度至少约20微米而孔隙度不大于约0.1%的无电(elec-troless)镍磷层,其表面粗糙度不大于约5微米,其中无电镍磷层进行酸洗及热去离子冲洗,接着在连续氮气流下进行第一次烘烤及在真空压力下进行第二次烘烤。2.根据申请专利范围第1项之储气筒,其中无电镍磷层包括一厚度约20到约50微米的镍磷层。3.根据申请专利范围第2项之储气筒,其中无电镍磷层包括一厚度约25微米的镍磷层。4.根据申请专利范围第1项之储气筒,其中无电镍磷层包括一孔隙度不大于约0.05%的镍磷层。5.根据申请专利范围第4项之储气筒,其中无电镍磷层包括一孔隙度不大于约0.01%的镍磷层。6.根据申请专利范围第1项之储气筒,其中无电镍磷层包括一表面粗糙度不大于约3微米的镍磷层。7.根据申请专利范围第1项之储气筒,其中储气筒壁包括低碳量之经抛光的钢。8.根据申请专利范围第1项之储气筒,其中无电镍磷层包括一具有至少约10重量%磷的镍磷层。9.一种用来储存及输送高纯度腐蚀性气体之高压储气筒,其包括:一具有内表面的储气筒主体;及一覆盖内表面的连续无电镍磷层,其中无电镍磷层的厚度至少约20微米,孔隙度约0.1到约0.15%,而表面粗糙度不大于约5微米,及其中无电镍磷层进行热去离子水冲洗,接着在连续氮气流下进行第一次烘烤及在真空压力下进行第二次烘烤。10.根据申请专利范围第9项之储气筒,其中镍磷层包括一具有至少约10重量%磷的镍磷层。11.根据申请专利范围第9项之储气筒,其中镍磷层包括一表面粗糙度不大于约3微米的镍磷层。12.根据申请专利范围第9项之储气筒,其中储气筒壁包括低碳量之经抛光的钢。13.根据申请专利范围第9项之储气筒,其中镍磷层包括一厚度约20到约50微米的镍磷层。14.一种适用于储存及输送高纯度腐蚀性气体之气体输送系统,其包括:一储气筒,其一端封闭并具有一内表面;一连续镍磷层,其覆盖内表面,其中镍磷层的平均厚度至少约20微米,其中无电镍磷层进行热去离子水冲洗,接着在连续氮气流下进行第一次烘烤及在真空压力下进行第二次烘烤,及其中高纯度腐蚀性气体包含不大于约60ppb重量的Fe浓度,不大于约10ppb重量的Cr浓度及不大于约5ppb重量的Ni浓度。15.根据申请专利范围第14项之气体输送系统,其中高纯度腐蚀性气体包括含有不大于约2ppb重量Cu,P,As,Cd,Na,Ph,Sn及Zn的气体。16.根据申请专利范围第14项之气体输送系统,其中高纯度腐蚀性气体包括选自由卤化氢气体,卤化硼气,及卤素气体所组成之族群中的液化气体。17.根据申请专利范围第14项之气体输送系统,其中镍磷层包括孔隙度约0.1到约0.15%的镍磷层。18.根据申请专利范围第14项之气体输送系统,其中镍磷层包括表面粗糙度不大于约5微米的镍磷层。19.根据申请专利范围第14项之气体输送系统,其中镍磷层包括至少约10重量%磷的镍磷层。20.根据申请专利范围第14项之气体输送系统,其中高纯度腐蚀性气体包括选自由氯,硼,氯化氢,硼化氢,及三氯化硼所组成之族群中的液化气体。21.一种抗腐蚀之气体输送系统,其包括:一气体歧管,其包括数个与共用气体管线连接的独立气体管线;一储气筒;一压力调整装置,其将储气筒与共用气体管线耦接;其中储气筒包括其内具有无电镍磷层的内壁表面;其中无电镍磷层的厚度约20到约50微米而孔隙度不大于约0.10%,及其中无电镍磷层进行热去离子水冲洗,接着在连续氮气流下进行第一次烘烤及在真空压力下进行第二次烘烤;在储气筒内的腐蚀性液化气体,其选自由HCl,BCl3,HBr及Cl2所组成之族群者,其中腐蚀性液化气体具有不大于约5ppb重量的Fe浓度,Cr浓度及Ni浓度。22.根据申请专利范围第20项之气体输送系统,其中腐蚀性液化气体具有不大于约60ppb重量的Fe浓度,不大于约10ppb重量的Cr浓度及不大于约5ppb重量的Ni浓度。23.一种制造储气筒之方法,其包括下列步骤:提供一储气筒壁,其具有一内表面;形成一覆盖内表面之无电镍磷层,其厚度至少约20微米,孔隙度不大于约0.1%而表面粗糙度不大于约5微米;及将储气筒进行热去离子水冲洗,接着在连续氮气流下进行第一次烘烤及在真空压力下进行第二次烘烤。24.根据申请专利范围第23项之方法,其中第一次烘烤包括下列步骤:将气体管线插入储气筒;将氮气流经气体管线;及烘乾储气筒,同时连续将氮气流入储气筒。25.根据申请专利范围第24项之方法,其中第一次烘烤步骤包括在约180℃到约210℃的温度下烘烤约0.75小时到约1.5小时。26.根据申请专利范围第23项之方法,其中在约55℃到约65℃的温度,约50到约20的真空压力下进行第二次烘烤。27.一种制造储气筒之方法,其包括下列步骤:提供一储气筒,其具有内表面;形成覆盖内表面的无电镍磷层;以酸性清洁剂冲洗无电镍磷层;进行第一次烘烤之步骤:将内表面暴露于氮气流并且烘乾储气筒;停止氮气流动;及进行第二次烘烤之步骤:将内表面暴露于真空压力并且烘乾储气筒。28.根据申请专利范围第27项之方法,其中第一次烘烤步骤包括:将气体管线插入储气筒;将氮气流经气体管线;及烘烤储气筒,而同时将氮气连续流入储气筒。29.根据申请专利范围第28项之方法,其中第一次烘烤步骤包括在约180℃到约210℃的温度下进行烘烤约0.75小时到约1.5小时。30.根据申请专利范围第27项之方法,其中在约55℃到约65℃的温度,约50到约20的真空压力下进行第二次烘烤。图式简单说明:第一图系为本发明之一具体实施例的气体输送系统的概视图;第二图A系为本发明之储气筒的剖面图;第二图B系为本发明之吨数储气筒的剖面图;第三图及第四图以剖面图方式,说明经历了用于形成本发明无电镍磷层之处理步骤的一部份储气筒壁;第五图系为本发明所形成之无电镍磷层之厚度对储气筒深度的图式。 |
