稀疏向量光栅化

摘要

揭示光栅化方法，将电压对时间之资料位址对组光栅化成数位元波器或类似的电子资料撷取仪器之多位元光栅显示记忆体的水平及垂直位置。其提供控制数位强度之新方法，其允许操作者及/或以仪器触发速率为基础的函数可设定强度单位数目，强度单位数目系可用于使受每一撷取资料对的光栅化影响之像素明亮。假使向量具有比可利用的强度单位还多的像素时，则要被照亮的像素数目会受限但会由包含至少某种程度的随机化之演绎化散布于向量长度上。假使可利用的强度单位比接收它们的像素还多时，则额外的强度单位可以分布至每一像素或延着向量随意地添加或被忽略。假使向量不具有长度，则所有可利用的强度，或某些较少量的强度会被置于一像素上。设定小的最小向量长度，则可以藉由限制花费在无意义的细节上之数目而节省时间，在此最小向量长度之下，仅会使用有限的向量填充。对那些受光栅化处理影响的像素设定最大及最小的强度位准，可限制饱合及确保仅收到一或少量冲击之区域仍可具有可感觉的强度位准。稀疏向量光栅化可避免在使用点模式或向量模式之间难以选择，且给予使用者类似类比的强度控制，类似类比的强度控制能产生可感觉的观视选择之连续性。视有多少波形要被取得及需要处理的情形，而使被更新的像素数目最大。

主权项

1.一种光栅化方法,用以将第一变数相对于第二变数资料位址对组光栅化成电子资料撷取仪器的多位元光栅扫瞄显示中的像素之向量,该方法包括下述步骤:提供要光栅化的资料-位址对系列,每一资料-位址对的位址部份会指明多位元光栅扫瞄显示的特定行且每一资料-位址对的资料部份会指明该行内特定的像素;选取每一向量的冲击数目,该每一向量的冲击数目系会于每一向量光栅化期间执行的像素修改之近似数目;选择每一冲击的强度单位数目,每一强度单位代表要由多位元光栅扫瞄显示的像素所显示之亮度量;藉由下述步骤找出每一目前向量的一些数目:(1)从目前的资料-位址对中决定第一端像素位置,(2)也从下一资料-位址对中决定第二端像素位置,及(3)使用第一端像素位置及第二端像素位置以决定目前向量以像素为单位之长度;及假使所选取的每一向量之冲击数目等于或大于目前向量中的像素数目,则将所选取的每一冲击的强度单位数目、或其经决定之倍数,施加至目前向量的每一像素;或者假使所选取的每一向量之冲击数目小于目前向量中的像素数目,则将所选择的每一冲击之强度单位数目分布至几乎等于或小于所选取的每一向量的冲击数目之目前向量中的一些像素中的每一像素。2.如申请专利范围第1项之光栅化方法,其中该施加步骤(e)中经决定的倍数系由下述步骤发现,将所选取的每一向量之冲击数目除以代表目前向量中的像素数目之数目。3.如申请专利范围第2项之光栅化方法,其中该代表目前向量中的像素数目之数目系由向下舍入进位至为最接近的数目而近似化的目前向量中的像素之数目,该最接近的数目系2的幂方。4.如申请专利范围第1项之光栅化方法,其中该分布步骤(f)包括随机化函数。5.如申请专利范围第1项之光栅化方法,其中该分布步骤(f)包括下述步骤:(1)计算以像素度量之初始偏移値;(2)计算以像素度量之周期增量値;及(3)使用该初始偏移値及周期增量値以决定目前向量中的那些像素是要接收强度单位。6.如申请专利范围第5项之光栅化方法,其中该计算步骤(f)(1)包含使用随机化函数。7.如申请专利范围第1项之光栅化方法,其中该选取每一向量的冲击数目之步骤至少部份地依赖该电子资料撷取仪器之触发速率。8.如申请专利范围第1项之光栅化方法,其中该选择每一冲击的强度单位数目至少部份地依赖操作者的输入。9.如申请专利范围第1项之光栅化方法,其中,假使目前向量中的像素数目小于预先指定的最小値时,强度单位仅施加至目前向量中的单一像素。10.如申请专利范围第1项之光栅化方法,其中步骤(e)进一步包括下述步骤:(1)比较该所选择的每一冲击之强度单位数目之经决定的倍数中的总强度单位与预定的最大数目;及(2)假使步骤(1)的比较显示总强度单位超过预定的最大数目,则将该总强度单位减少至该预定的最大数目。11.如申请专利范围第1项之光栅化方法,其中该所选取的每一向量之冲击数目系被限制为总是为2的幂方。12.如申请专利范围第1项之光栅化方法,其中该第一变数系振幅,而该第二变数系频率。13.如申请专利范围第1项之光栅化方法,其中步骤(e)的该经决定之倍数会受可调整的常数値所影响以减少供应至目前向量中的每一像素之总强度单位。14.如申请专利范围第1项之光栅化方法,其中该多位元光栅扫瞄显示之像素的向量会垂直地对齐且在向量内的所有像素会位于该光栅扫瞄显示的一行之内。15.如申请专利范围第1项之光栅化方法,其中该多位元光栅扫瞄显示的像素之向量包含具有水平分量之向量且该向量中的某些像素会位于该光栅扫瞄显示中不同于第一端像素位置所处的行之内。16.如申请专利范围第1项之光栅化方法,其中该第一变数系电压,而该第二变数是时间。17.如申请专利范围第16项之光栅化方法,其中该施加步骤(e)中经决定的倍数系由下述步骤发现,将所选取的每一向量之冲击数目除以代表目前向量中的像素数目之数目。18.如申请专利范围第17项之光栅化方法,其中该代表目前向量中的像素数目之数目系由向下舍入进位至为最接近的数目而近似化的目前向量中的像素之数目,该最接近的数目系2的幂方。19.如申请专利范围第16项之光栅化方法,其中该分布步骤(f)包括随机化函数。20.如申请专利范围第16项之光栅化方法,其中该分布步骤(f)包括下述步骤:(1)计算以像素度量之初始偏移値;(2)计算以像素度量之周期增量値;及(1)使用该初始偏移値及周期增量値以决定目前向量中的那些像素是要接收强度单位。21.如申请专利范围第20项之光栅化方法,其中该计算步骤(f)(1)包含使用随机化函数。22.如申请专利范围第16项之光栅化方法,其中该选取每一向量的冲击数目之步骤至少部份地依赖该电子资料撷取仪器之触发速率。23.如申请专利范围第16项之光栅化方法,其中该选择每一冲击的强度单位数目至少部份地依赖操作者的输入。24.如申请专利范围第16项之光栅化方法,其中,假使目前向量中的像素数目小于预先指定的最小値时,强度单位仅施加至目前向量中的单一像素。25.如申请专利范围第16项之光栅化方法,其中步骤(e)进一步包括下述步骤:(1)比较该所选择的每一冲击之强度单位数目之经决定的倍数中的总强度单位与预定的最大数目;及(2)假使步骤(1)的比较显示总强度单位超过预定的最大数目,则将该总强度单位减少至该预定的最大数目。26.如申请专利范围第16项之光栅化方法,其中该所选取的每一向量之冲击数目系被限制为总是为2的幂方。27.如申请专利范围第16项之光栅化方法,其中步骤(e)的该经决定之倍数会受可调整的常数値所影响以减少供应至目前向量中的每一像素之总强度单位。28.如申请专利范围第16项之光栅化方法,其中该多位元光栅扫瞄显示之像素的向量会垂直地对齐且在向量内的所有像素会位于该光栅扫瞄显示的一行之内。29.如申请专利范围第16项之光栅化方法,其中该多位元光栅扫瞄显示的像素之向量包含具有水平分量之向量且该向量中的某些像素会位于该光栅扫瞄显示中不同于第一端像素位置所处的行之内。图式简单说明:第一图A系说明近乎一又二分之一周期的正弦波形之单一値点模式光栅化,此光栅化的输入于输出时在每一光栅像素行有单一取得的波形资料点。第一图B系说明近乎三周期的正弦波形之单一値点模式光栅化,此光栅化的输入于有输出时在每一光栅像素行有二个取得的波形资料点。第一图C系说明近乎四分之三周期的正弦波形之单一値点模式光栅化,此光栅化的输入于输出时在每二光栅像素行有一取得的波形资料点。第二图A系说明具有同于输入至第一图A的波形资料之单一値向量模式光栅化。第二图B系说明具有同于输入至第一图B的波形资料之单一値向量模式光栅化。第二图C系说明具有同于输入至第一图C的输入波形资料之单一値向量模式光栅化。第三图A系说明具有同于输入至第一图A及第二图A的波形之根据本发明的多重値稀疏向量模式光栅化,具有下述设定以作为控制光栅化器输入的控制参数:AVEC=2.AUNITS=3.及LMIN=0。第三图B系说明具有同于输入至第一图B及第二图B的波形之根据本发明的多重値稀疏向量模式光栅化,具有下述设定以作为控制光栅化器输入的控制参数:AVEC=2.AUNITS=3.及LMIN=0。第三图C系说明具有同于输入至第一图C及第二图C的波形之根据本发明的多重値稀疏向量模式光栅化,具有下述设定以作为控制光栅化器输入的控制参数"AVEC=2.AUNITS=3.及LMIN=0。第四图A及第四图B系逻辑流程图,说明本发明特定实施中的步骤。第五图系说明具有上升及下降边缘之单一値点模式光栅化。第六图系说明第五图中所示的相同脉冲讯号之单一値向量模式光栅化。第七图系说明具有同于第五图及第六图中所示的脉冲讯号之根据本发明的多重値稀疏向量模式光栅化,具有下述设定以作为控制光栅化器输入的控制参数"AVEC=4.AUNITS=3.LMIN=0.及WLESS=0.25。第八图系说明具有第七图中所示的型式之三个稀疏向量光栅化合成的累加光栅扫瞄影像。第四图的演绎法之随机部份系设为在每一情形中是不同的以便说明如何随机填充未由个别的光栅器输出所填充的像素。第九图系说明小的及有杂讯的波形上的杂讯突波之单一値点模式光栅化。第十图系说明具有同于第九图中的点模式光栅化所示的相同输入波形之单一値向量模式光栅化。第十一图系说明具有同于第九图及第十图中光栅化所示的讯号之根据本发明的多重値稀疏向量模式光栅化,具有AVEC=5.AUNIT=2.及LMIN=3之设定。