薄膜电晶体之制造方法

摘要

提供一种可抑制离子植入所致之基板温度的上升之 TFT的制造方法。在玻璃基板10上，形成由SiＯ2膜所成之绝缘性保护膜ll，又于其上形成由p-Si膜12所成之活性层12，再于其上积层形成由SiＯ2膜所成之下层的第l闸极绝缘膜13，及由SiN膜所成之上层的第2闸极绝缘膜14，以闸电极15为遮罩，将第2闸极绝缘膜14加以蚀刻除去，仅通过第l闸极绝缘膜13进行离子植入，故得以低加速能量进行对 p-Si膜12之植入作业者。

主权项

1.一种薄膜电晶体的制造方法,系于基板上,依序形成半导体膜、第1闸极绝缘膜、第2闸极绝缘膜及闸电极而成的薄膜电晶体的制造方法,系以上述闸电极为遮罩,以蚀刻方式除去上述第1闸极绝缘膜上之第2闸极绝缘膜后,再以上述闸电极为遮罩对上述半导体膜进行离子植入后,予以加热处理者。2.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体的制造方法,其中,上述第1闸极绝缘膜为氧化矽膜,而上述第2闸极绝缘膜为氮化矽膜者。图式简单说明:第一图为以本发明之TFT的制造方法制成的TFT的剖面图。第二图(a)至第二图(e)为表示本发明之制造工序剖面图。第三图为表示以习知TFT的的制造方法制成的TFT的剖面图。第四图(a)至第四图(d)为表示习知的制造工序剖面图。