| 主权项 |
1.一种在多层基板内建电容之方法,该方法至少包含下列步骤:形成复数个洞于该多层基板之中,该复数个洞系预留以做为该多层基板的连接洞,且该多层基板至少包含一第一介电层,一第二介电层及一第三介电层,该第二介电层上下两面具有第二导体层以预做为电压层及一接地层,而该第一介电层及该第三介电层则分别有一第一导体层及一第三导体层,该第二介电层与第二导体层并有贯孔以预留做为内建电容;填入比第二介电层之介电常数高的电容填充介电材料于上述第二介电层之贯孔中并固化之;以乾膜遮蔽该第二导体层需要镀铜的区域;施以蚀刻处理,用以去除曝露之第二导体层以分别形成该接地层及该电压层于该第二介电层之上、下;去除该乾膜;镀铜处理该第二介电层,用以沉积铜层于该接地层及该电压层上封住该贯孔以形成电容器;将该第一导体层/该第一介电层/该接地层/该第二介电层/该电压层/该第三介电层/该第三导体层组装并热压合以形成多层基板雏型;分别图案化该第一导体层,该第三导体层以形成具有连接线的讯号层;及施以贯孔电镀以连接该电压层,及接地层与对应之各该讯号层。2.如申请专利范围1之方法,更包含在第一导体层,及该第三导体层的其中之一形成至少一电压环及一接地环,该电压环及接地环并分别连接至电源层及接地层。3.如申请专利范围1之方法,更包含在上述第二介电层的复数个洞的其中若干个填入第二种电容填充介电材料于其内,该第二种电容填充介电材料的介电常数不同于第一介电层介电常数,用以形成不同电容量之电容器。4.一种具有内建电容之多层基板结构,该多层基板结构至少包含:一具有一上讯号层/一第一介电层/一接地层/一第二介电层/一电源层/一第三介电层/一下讯号层之组装电路板,该组装电路板具有复数个连接洞;及该第二介电层内具有至少一个已填入一种电容填充介电材料之洞于该电源层及该接地层内,以形成电容器,该电容填充介电材料比第二介电层之介电常数明显高,且该上讯号层至少包含一接地环及一电力环并分别有导孔连接至接地层及该电力层。5.如申请专利范围4之多层基板结构,更包含含有第二种电容填充介电材料于上述第二介电层所形成的电容,第二种电容填充介电材料的介电常数不同于第一介电层及第二介电层之介电常数。6.如申请专利范围4之多层基板结构,该多层基板结构系用以承载BGA晶片或覆晶晶片组或做为印刷电路母板使用。图式简单说明:第一图显示传统方法之多层印刷电路板以旁路电容跨接于电力环与接地环之间之示意图。第二图显示依据本发明之方法所形成具有内建电容多层基板板之示意图。第三图显示依据本发明之方法,形成导孔于多层基板之各层介电层的示意图。第四图显示依据本发明之方法,形成内建电容于多层基板之电压层及接地层之间的示意图。第五图显示依据本发明之方法,最后所形成具有内建电容多层基板之示意图。 |
