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1.一种闸极电极的制造方法,包括:于一基底上形成一导电层和一无机抗反射层;蚀刻该导电层和该无机抗反射层,使该导电层形成一闸极电极;于该闸极电极的侧壁形成一保护层;以及剥除该无机抗反射层。2.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该导电层的材质包括复晶矽。3.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该无机抗反射层的材质包括氮氧化矽。4.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中该保护层的材质包括氧化物。5.如申请专利范围第4项所述的制造方法,其中于该闸极电极的侧壁形成该保护层的方法,包括进行一快速热氧化制程。6.如申请专利范围第5项所述的制造方法,其中该快速热氧化制程系在O2的环境下进行。7.如申请专利范围第5项所述的制造方法,其中该快速热氧化制造系在摄氏800度至1400度左右进行。8.如申请专利范围第4项所述的制造方法,其中于该闸极电极的侧壁形成该保护层的方法,包括进行一电浆氧化制程。9.如申请专利范围第8项所述的制造方法,其中该电浆氧化制程所使用的电浆气体包括O2和H2O。10.如申请专利范围第8项所述的制造方法,其中该电浆氧化制程系在摄氏120度至400度左右进行。11.如申请专利范围第1项所述的制造方法,其中剥除该无机抗反射层的方法,包括以H3PO4为蚀刻液,进行湿蚀刻制程。12.一种半导体元件的制造方法,适用于闸极电极和导线,该制造方法包括;于一基底上依序形成一导电层和一无机抗反射层;定义该导电层和该无机抗反射层;于已定义之该导电层的侧壁形成一氧化物层;以及剥除该无机抗反射层。13.如申请专利范围第12项所述的制造方法,其中该导电层的材质包括复晶矽。14.如申请专利范围第12项所述的制造方法,其中该氧化物层的形成方法,包括进行一快速热氧化制程。15.如申请专利范围第14项所述的制造方法,其中该快速热氧化制程系在O2的环境下进行。16.如申请专利范围第12项所述的制造方法,其中该氧化物层的形成方法,包括进行一电浆氧化制程。17.如申请专利范围第16项所述的制造方法,其中该电浆氧化制程所使用的电浆气体包括O2和H2O。18.如申请专利范围第12项所述的制造方法,其中该无机抗反射层的材质包括氮氧化矽。19.如申请专利范围第12项所述的制造方法,其中剥除该无机抗反射层的方法,包括以H3PO4为蚀刻液,进行湿蚀刻制程。图式简单说明:第一图A至第一图D系绘示根据本发明一较佳实施例之一种闸极电极的制造方法。 |
