| 主权项 |
1.一种金氧半导体元件之制造方法,包括下列步骤:于一基底上形成一闸极介电层;于该闸极介电层上形成一闸极导体层;定义该闸极导体层与该闸极介电层,以形成一闸极结构;进行一闸极结构处理步骤;进行一第一离子植入步骤,于该基底中形成一源极/汲极之延伸区;于该闸极结构的侧壁形成一间隙壁;以及进行一第二离子植入步骤,于该基底中形成该源极/汲极之接触区。2.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体元件之制造方法,其中该闸极结构处理步骤包括一快速热回火制程。3.如申请专利范围第2项所述之金氧半导体元件之制造方法,其中该快速热回火制程的温度系在摄氏800度至1050度之间。4.如申请专利范围第3项所述之金氧半导体元件之制造方法,其中该快速热回火制程系在摄氏800度至950度之间施行约10秒至60秒。5.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体元件之制造方法,其中该闸极结构处理步骤系于摄氏600度至900度之间的炉管中施行回火制程。6.如申请专利范围第5项所述之金氧半导体元件之制造方法,其中该闸极结构处理步骤系于摄氏600度至900度之间的炉管中施行回火制程约30分钟至120分钟。7.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体元件之制造方法,其中该闸极结构处理步骤包括一快速热氮化制程。8.如申请专利范围第7项所述之金氧半导体元件之制造方法,其中该快速热氮化制程系于氮气之中施行。9.如申请专利范围第7项所述之金氧半导体元件之制造方法,其中该快速热氮化制程的温度系在摄氏700度至1050度之间。10.如申请专利范围第9项所述之金氧半导体元件之制造方法,其中该快速热氮化制程的温度系在摄氏700度至1050度之间施行约10秒至60秒。11.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体元件之制造方法,其中该闸极介电层之材质包括以热氧化法形成之氧化矽。12.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体元件之制造方法,其中该闸极导体层之材质包括复晶矽。13.如申请专利范围第1项所述之金氧半导体元件之制造方法,其中该闸极导体层之材质包括金属矽化物。14.一种金氧半导体元件之制造方法,用以减少闸极结构在氧化制程中所形成之氧化层的厚度,适用于已形成一闸极结构之一基底,其方法包括下列步骤:在温度为摄氏600度至900度之间的炉管中施行一回火制程30分钟至120分钟。15.一种金氧半导体元件之制造方法,用以减少闸极结构在氧化制程中所形成之氧化层的厚度,适用于已形成一闸极结构之一基底,其方法包括下列步骤:进行一快速热回火制程,其温度在摄氏800度至1050度之间。16.如申请专利范围第15项所述之金氧半导体元件之制造方法,其中该快速热回火制程持续进行10秒至60秒。17.一种金氧半导体元件之制造方法,用以减少闸极结构在氧化制程中所形成之氧化层的厚度,适用于已形成一闸极结构之一基底,其方法包括下列步骤:进行一快速热氮化制程,其温度在摄氏700度至1050度之间。18.如申请专利范围第17项所述之金氧半导体元件之制造方法,其中该快速热氮化制程系于氮气之中施行。19.如申请专利范围第17项所述之金氧半导体元件之制造方法,其中该快速热氮化制程持续进行10秒至60秒。图式简单说明:第一图A至第一图C是习知一种金氧半导体元件之制造流程的剖面示意图。第二图是习知一种金氧半导体元件之示意图。第三图A至第三图C系依照本发明一较佳实施例之一种金氧半导体元件之制造流程的剖面示意图。第四图是依照本发明一较佳实施例之一种金氧半导体元件之制造流程图。 |
