发明名称 位置侦测器
摘要 一种位置侦测器,用以侦测一沿一测量路径相对移动之第一和第二构件,构件之一包括一磁场产生器,以产生一磁场;另一构件包括第一和第二导体,其电耦合到磁场产生器,第一、第二导体和磁场产生器之配置系使输出信号在第一和第二接收电路中产生,其位置随两构件之相对移动变化。此外,有关两构件相对移动之资料,在接收电路中引发之信号也包括定义两构件相对方位之资料,且藉接收信号之适当处理,两构件相对方位可以决定。在本发明之例子中,系统系操作以定义两构件在第一和第二方向之相对位置和方位,于含有两方向之平面的两构件之相对方位可以决定。在接收电路引发之信号也被处理以给定介于两电路之一间隙指示,及提供两构件之全部相对方位指示。
申请公布号 TW440683 申请公布日期 2001.06.16
申请号 TW087114120 申请日期 1998.08.26
申请人 新纳提克斯()有限公司 发明人 大卫汤马斯艾略特艾利;罗斯彼得琼斯;詹姆斯马克卡森艾格兰;亚历山大威尔森麦金诺;罗勃特马丁巴帝葛卢;安竹尼可拉斯但斯
分类号 G01D5/20;G06K11/16 主分类号 G01D5/20
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种位置侦测器,包括: 第一和第二构件,系设置用来沿一测量路径相对移 动; 该第一构件包括一磁场产生器,用以产生一磁场; 该第二构件包括一第一和第二导体,其电耦合到该 磁场产生器,该第一导体以具有一第一特性维之几 何变化方式沿一测量路径延伸,该第二导体以具有 一不同之第二特性维之几何变化方式沿该测量路 径延伸,导致,藉该磁场产生器产生之磁场的响应, 一第一信号产生于一第一接收电路,该第一信号随 该第一导体和磁场产生器之方位和相对位置而变, 一不同之第二信号产生于一第二接收电路,该第二 信号随该第二导体和磁场产生器之方位和相对位 置而变;及 一处理装置,处理该第一和第二信号,以使用该第 一、第二两导体之各自几何变化的第一、第二特 性维的关系,来决定该两个移动之第一、第二构件 之相对位置和方位。2.如申请专利范围第1项所述 之位置侦测器,其中,该些导体和该磁场产生器系 配致使该第一和第二信号随该两个移动构件之相 对位置做实质弦波变化。3.如申请专利范围第2项 所述之位置侦测器,其中,该两个移动构件之相对 方位导致在该弦波变化之相位偏移。4.如申请专 利范围第1项所述之位置侦测器,其中第二构件更 包括第三和第四导体,其电耦合到该磁场产生器, 该第三导体以具有和第一导体相同之特性维之几 何变化方式延伸,该第二导体以具有和第二导体相 同之特性维之几何变化方式延伸,其中,该第一和 第三导体彼此沿测量路径相对偏移,其中,该第二 和第四导体彼此沿测量路径相对偏移,其中,藉该 磁场产生器产生之磁场的响应,一第三信号产生于 一第三接收电路,该第三信号随该第三导体和磁场 产生器之方位和相对位置而变,一第四信号产生于 一第四接收电路,该第四信号随该第四导体和磁场 产生器之方位和相对位置而变。5.如申请专利范 围第4项所述之位置侦测器,其中,该第一和第三导 体沿该测量路径分隔,以便形成一相位差90度之对 。6.如申请专利范围第4项所述之位置侦测器,其中 ,该第二和第四导体沿该测量路径分隔,以便形成 一相位差90度之对。7.如申请专利范围第1项所述 之位置侦测器,其中,该处理装置系操作以处理该 第一和第二信号,进而提供一第一値,其依该相对 位置和方位而定,及一第二不同値,其依该相对位 置和方位而定。8.如申请专利范围第7项所述之位 置侦测器,其中,该处理装置系操作以藉执行该第 一和第二値之一加权组合,来决定该相对位置和方 位,并且该加权系依该些导体之几何变化的特性维 而定。9.如申请专利范围第1项所述之位置侦测器, 其中,该些导体为周期性,且其中,该些导体之特性 维包括节距。10.如申请专利范围第1项所述之位置 侦测器,其中,该些导体为倾斜,且从端点朝中心横 越点窄化,以定义一些实质三角形回路,其中该特 性维包括该些导体之倾斜。11.如申请专利范围第1 项所述之位置侦测器,其中,该处理装置系配置以 处理该第一和第二信号,以提供(1)粗略测量値,为 该两个移动构件之相对位置之指示,(2)精细之测量 値,为该两个移动构件之相对位置之指示,其依该 两个移动构件之相对方位而定。12.如申请专利范 围第11项所述之位置侦测器,其中,该相对方位导致 该精细之测量値相对粗略测量値偏移。13.如申请 专利范围第12项所述之位置侦测器,其中,该偏移大 约是两个移动构件沿该测量路径之相对倾斜角的 两倍。14.如申请专利范围第13项所述之位置侦测 器,其中该倾斜角系用以决定该些构件与该精细之 测量値之相对位置。15.如申请专利范围第1项所述 之位置侦测器,其中该磁场产生器包括一电源线圈 。16.如申请专利范围第1项所述之位置侦测器,其 中,该磁场产生器至少包括:一共振器,一短路线圈, 和一导电萤幕。17.如申请专利范围第16项所述之 位置侦测器,其中,该磁场产生器包括一导电器和 一电容共振电路。18.如申请专利范围第16项所述 之位置侦测器,其中,该磁场产生器包括一陶瓷共 振器。19.如申请专利范围第16项所述之位置侦测 器,其中,该第二构件更包括一激化电路,用来激能 该磁场产生器。20.如申请专利范围第19项所述之 位置侦测器,其中,该激化电路系配置一实质常数, 以耦合该磁场产生器于整个测量路径。21.如申请 导利范围第20项所述之位置侦测器,其中,该第一接 收电路包括该第一导体,其中,该第二接收电路包 括该第二导体。22.如申请专利范围第21项所述之 位置侦测器,其中,该第三接收电路包括该第三导 体,其中,该第四接收电路包括该第四导体,且该处 理装置系操作以结合该第一和第三接收电路之信 号,及结合该第二和第四接收电路之信号,以引出 该位置和方位资料。23.如申请专利范围第22项所 述之位置侦测器,其中,各接收信号随该相对位置 而沿测量路径弦波变化,且其中,该弦波变化之峰 値幅度依该磁场产生器和导体间隙而定,且该处理 装置系操作以结合该第一和第三接收电路之信号, 及/或结合该第二和第四接收电路之信号,以决定 该第一和第二构件之间隙。24.如申请专利范围第 22项所述之位置侦测器,其中,该处理装置系藉从该 第一和第三接收电路接收之信号及从该第二和第 四接收电路接收之信号引出测量之are-tangent率的 决定,而操作以萃取该位置资料。25.如申请专利范 围第24项所述之位置侦测器,其中,该处理装置系操 作以结合从该第一和第三接收电路接收之信号及 从该第二和第四接收电路接收之信号萃取之位置 资料,以提供,粗略位置测量値,其不依该两个移动 构件之方位而定,及提供一精细之位置测量値,其 依该相对方位而定。26.如申请专利范围第19项所 述之位置侦测器,其中,该激化电路包括该第一和 第二导体之一。27.如申请专利范围第26项所述之 位置侦测器,其中,当依据专利范围第4项,该激化电 路包括该第一和第三导体,该第一接收电路包括该 第二导体,该第二接收电路包括该第四导体。28.如 申请专利范围第19项所述之位置侦测器,其中,更包 括一驱动装置,用以提供一激能信号给该激化电路 。29.如申请专利范围第28项所述之位置侦测器,其 中,该驱动装置系操作以激能该第一和第三导体, 该处理装置系操作以处理因该第一和第三导体之 激化而从该第二和第四导体接收之信号。30.如申 请专利范围第29项所述之位置侦测器,其中,该处理 装置系操作以结合:当该第一导体随该第四导体于 该第三导体激能时接收之信号而激能时在该第二 导体接收之信号,及结合:当该第一导体随该第二 导体于该第三导体激能时接收之信号而激能时在 该第四导体接收之信号。31.如申请专利范围第30 项所述之位置侦测器,其中,该结合包括该些信号 之和与差。32.如申请专利范围第30项所述之位置 侦测器,其中,该处理装置系操作以从该结合之信 号萃取位置资料,其藉该结合之信号的arc-tangent率 决定,以提供一粗略位置测量値,其不依该两个移 动构件之方位而定,并提供一精细之位置测量値, 其依该相对方位而定。33.如申请专利范围第28项 所述之位置侦测器,其中,该驱动装置系操作以在 一第一时区提供一该激能信号之脉冲给该激化电 路,其中,该处理装置系操作以处理在该第一时区 后之第二时区时之引发信号。34.如申请专利范围 第1项所述之位置侦测器,其中,该导体系配置以形 成沿测量路径依序配置之至少两个回路,每个回路 沿该路径延伸,且该回路属于串联且系配置使相邻 回路藉背景交互磁场引发之EMFs彼此对抗。35.如申 请专利范围第34项所述之位置侦测器,其中,该回路 为一矩形。36.如申请专利范围第34项所述之位置 侦测器,其中,该回路为一六角形。37.如申请专利 范围第34项所述之位置侦测器,其中,该回路包括一 个以上转折之导体。38.如申请专利范围第1项所述 之位置侦测器,其中,该第一和第二信号是时变信 号,其幅度变化随该两个移动构件之相对位置和方 位而定。39.如申请专利范围第38项所述之位置侦 测器,其中,该处理装置包括一解调器,用以解调接 收之信号。40.如申请专利范围第1项所述之位置侦 测器,其中,该导体藉打线在一层以上之基板形成 。41.如申请专利范围第1项所述之位置侦测器,其 中,该第一和第二导体系实质形成于同一平面或平 行平面。42.如申请专利范围第1项所述之位置侦测 器,其中,该第二构件系固定且该第一构件可移动 。43.如申请专利范围第1项所述之位置侦测器,其 被配置来侦测复数个第一构件之相对位置和方位, 第一构件各具有特有之磁场产生器。44.一种二维 位置侦测器,包括: 第一和第二构件,系设置用来在一测量平面之第一 和第二方向相对移动; 一根据专利范围第1项之第一位置侦测器,用来侦 测第一和第二构件在第一方向之相对位置和方位; 一根据专利范围第1项之第二位置侦测器,用来侦 测第一和第二构件在第二方向之相对位置和方位; 及 结合在该第一方向和第二方向之相对方位以决定 该第一和第二构件在测量平面中之相对方位。45. 如申请专利范围第44项所述之位置侦测器,其中,该 第一构件包括第一和第二磁场产生器,其操作以产 生各自不同之磁场于实质不同之方向,且该处理装 置可操作以区分来自两个磁场产生器之信号,以决 定该平面之相对位置和方位。46.如申请专利范围 第45项所述之位置侦测器,其中,该第一磁场产生器 ,其操作以产生一实质垂直该平面之方向的磁场, 且该处理装置可操作以处理来自第一磁场产生器 之信号,以决定该第一和第二构件之相对位置之精 细和粗略之位置测量,且该第二磁场产生器,其操 作以产生一对该平面实质倾斜一既定角度之方向 的磁场,且该处理装置可操作以处理来自第二磁场 产生器之信号,以决定该第一和第二构件之相对方 位。47.如申请专利范围第46项所述之位置侦测器, 其中,该第一和该第二磁场产生器系彼此一致。48. 如申请专利范围第45项所述之位置侦测器,其中,该 第一和该第二磁场产生器系彼分隔一既定距离,且 该处理装置可操作以处理来自第一和第二磁场产 生器接收之信号,以决定该第一和第二构件之完全 之相对方位。49.如申请专利范围第45项所述之位 置侦测器,其包括三个一致之磁场产生器,各配置 以产生不同方向之磁场,且致使该处理装置可操作 以处理来自该些磁场产生器接收之信号,并引出该 第一和第二构件之完全之相对方位。50.如申请专 利范围第44项所述之位置侦测器,其中,该磁场产生 器包括一电源线圈及/或一共振器。51.如申请专利 范围第50项所述之位置侦测器,其中,该磁场产生器 包括一导电器和一电容共振电路。52.如申请专利 范围第44项所述之位置侦测器,其中,该用于两不同 方向之绕线具有实质相同之形式。53.一种用在申 请专利范围第1项所述之位置侦测器之共振器组, 包括第一和第二不同之共振器,各包括一导电线圈 和电容,该组系致使各共振器线圈之中心点相同, 且致使该线圈轴彼此相对倾斜。54.如申请专利范 围第53项所述之共振器组,更包括一第三共振器,包 括一导电线圈和电容,第三共振器线圈之中心点和 另两个共振器之线圈中心点一致,其中,该第三共 振器线圈之轴倾斜于另两个共振器线圈之轴,以便 容许该位置侦测器从形成位置侦测器之一部份的 接收绕线引发之信号,及从该接收绕线藉三个不同 之共振器引发之信号,决定带有共振器组之物体的 完整方位。55.一种位置侦测器,包括: 第一和第二构件,系设置用来沿一测量路径相对移 动; 该第一构件包括一磁场产生器,用以产生一磁场; 该第二构件包括一第一和第二导体,其电耦合到该 磁场产生器,该磁耦合于该第一导体和随一第一空 间频率变化之该磁场产生器之间,及磁耦合于该第 二导体和随一第二不同空间频率变化之该磁场产 生器之间,导致,藉该磁场产生器产生之磁场的响 应,一第一信号产生于一第一接收电路,该第一信 号随该第一导体和磁场产生器之方位和相对位置 而变,一不同之第二信号产生于一第二接收电路, 该第二信号随该第二导体和磁场产生器之方位和 相对位置而变;及 一处理装置,处理该第一和第二信号,以依该第一 和第二空间频率决定该两个移动之第一、第二构 件之相对位置和方位。56.一种位置侦测器,包括: 第一和第二构件,系设置用来沿一测量路径相对移 动; 该第一构件包括一磁场产生器,用以产生一磁场; 该第二构件包括一第一和第二组电路,以感测该第 一、第二构件在该平面之两个不同方向之相对位 置和方位;及 一装置,用以依该第一和第二方向之相对方位决定 该第一、第二构件在该平面之相对方位; 其特征在于,绕线组包括:第一和第二导体,其电耦 合到该磁场产生器,该第一导体以具有一第一特性 维之几何变化方式沿一对应方向延伸,该第二导体 以具有一不同之第二特性维之几何变化方式沿该 对应方向延伸。57.一种制造复数个形状导体以用 于专利范围第1项之位置侦测器的方法,包括下列 步骤: 以所需之方式绕线于一线织机,致使导体以具有各 自特性维之几何变化方式沿一测量路径延伸;及 打线于一个以上之基板。58.一种位置侦测器,包括 : 第一和第二构件,系设置用来沿一测量路径相对移 动; 该第一构件包括一磁场产生器,用以产生一磁场; 该第二构件包括一第一和第二电路,各包括一导体 ,其电耦合到该磁场产生器,该第一电路之导体以 具有一第一特性维之几何变化方式沿一测量路径 延伸,该第二电路之导体以具有一不同之第二特性 维之几何变化方式沿该测量路径延伸,导致,藉该 磁场产生器产生之磁场的响应,一第一信号产生于 该第一电路,一第二信号产生于该第二电路,该第 一、第二信号随该第一、第二构件之相对位置和 方位而变;及 一处理装置,处理该第一和第二信号,以依该两导 体之各自几何变化的特性维的关系,来决定该相对 位置和方位。59.一种位置侦测器,包括: 第一和第二构件,系设置用来沿一测量路径相对移 动; 该第一构件包括一磁场产生器,用以产生一磁场; 该第二构件包括一第一和第二周期绕线其沿该测 量路径延伸,且其电耦合到该磁场产生器,该第一 周期绕线之周期不同于第二周期绕线之周期,导致 ,藉该磁场产生器产生之磁场的响应,一第一信号 产生于该第一周期绕线,一第二信号产生于该第二 周期绕线,该第一、第二信号随该第一、第二构件 之相对位置和方位而以弦波方式变化; 一处理装置,处理该第一和第二信号,以提供一第 一値,其依该相对位置和方位而定,及一第二不同 値,其依该相对位置和方位而定;及 一结合装置,结合该第一和第二値以依该绕线之两 周期关系决定相对位置和方位。60.如申请专利范 围第59项所述之侦测器,其中,该结合装置包括和与 差装置,用以决定该第一値和第二値之和与差。61. 一种X-Y数位系统,包括: 第一和第二构件,系设置用来沿一X-Y方向相对移动 ; 该第一构件包括一第一磁场产生器,用以产生一磁 场于一第一方向,及一第二磁场产生器,用以产生 一磁场于一不同于第一方项之第二方向; 该第二构件包括两组周期绕线,每组各包括一第一 和第二周期绕线,其沿测量路径延伸,且其电耦合 到该第一和第二磁场产生器,该第一周期绕线之周 期不同于第二周期绕线之周期,导致,藉各该磁场 产生器产生之磁场的响应,一第一信号产生于该第 一周期绕线,一第二信号产生于该第二周期绕线, 该第一、第二信号随该第一、第二构件之相对位 置和方位变化; 一处理装置,从该各磁场产生器处理该第一和第二 信号,以提供一第一値,其依该相对位置和方位而 定,及一第二不同値,其依该相对位置和方位而定; 及 一结合装置,结合该第一和第二値以依该绕线之两 周期关系决定相对X-Y位置和相对方位。62.一种用 来处理从位置侦测器取得之信号的处理电路,包括 所有在申请专利范围第1项使用之处理电路之技术 特征。63.一种X-Y数位板,包括一第一组绕线,用来 决定一移动构件相对该数位板在一第一方向之位 置,及一第二组绕线,用来决定该移动构件相对该 数位板在一第二方向之位置; 其中,该每个绕线包括一导体,其沿对应之测量方 向延伸,具有对具有既定空间频率之磁场的敏感度 ;及 其中,该每个绕线包括至少两个回路,沿该测量路 径配置,每个回路沿该路径延伸,且该些口路属于 串联且系配置使相邻回路藉背景交互磁场引发之 EMFs彼此对抗。64.一种个人电脑包括一依据前述专 利范围任一项之位置侦测器,其中该第二构件包括 该导体,且该接收电路设置在一该电脑之显示器之 后,且其中,该第一构件包括一点选装置,用以指出 在该显示器之位置,其中从该位置侦测器决定之该 尖笔和该显示器之相对位置,系用来控制显示在该 显示器上之资料。65.一种位置侦测器包括第一和 第二构件,系设置用来沿一测量路径相对移动; 该第一构件包括复数个导体,以具有不同特性维之 几何变化方式,该测量路径延伸; 该第二构件包括随该导体互动之装置,致使响应一 输入驱动信号,提供给该些导体之一,并在其他导 体引发一输出信号,该互动装置和该些几何变化导 体系配置使该输出信号为该第一、第二构件间沿 该路径之相对位置的函数;及 处理装置用以处理该信号以引出该相对位置。66. 一种侦测设置用来沿一测量路径相对移动之第一 和第二构件的相对位置和方位的方法,包括下列步 骤: 提供一磁场产生器,用以产生在该第一构件之磁场 ; 提供第一和第二导体,其电耦合该磁场产生器或该 第二构件,该第一导体以具有一第一特性维之几何 变化方式沿一测量路径延伸,该第二导体以具有一 不同之第二特性维之几何变化方式沿该测量路径 延伸,导致,藉该磁场产生器产生之磁场的响应,一 第一信号产生于一第一接收电路,该第一信号随该 第一导体和磁场产生器之方位和相对位置而变,一 不同之第二信号产生于一第二接收电路,该第二信 号随该第二导体和磁场产生器之方位和相对位置 而变;及 使用该磁场产生器产生一磁场; 从该些接收电路接收该第一和第二信号;及 处理该第一和第二信号,以使用该两导体之各自几 何变化的特性维的关系,来决定该两个移动之构件 之相对位置和方位。67.一种位置侦测器,包括: 第一和第二构件,系设置用来相对移动; 该第一构件包括一磁场产生器,用以产生一磁场; 该第二构件包括一第一和第二组电路,用以感测第 一和第二构件在两个不同方向上之相对位置和倾 斜度; 其中,每组电路包括至少两个绕线,其电耦合到该 磁场产生器,且其中,于至少两个绕线之间的磁耦 合随空间不同频率变化;及 一装置,使用在第一和第二方向感测到之倾斜度决 定该第一和第二构件之相对旋转。68.一位置感测 器,具有两组绕线,各组以不同方向延伸,且各自包 括至少两个绕线,磁耦合到一磁场产生器,且在各 组中,磁场产生器和至少两个绕线之间的磁耦合随 不同空间频率而变化,及一装置,处理自接收电路 引发之信号,导致藉磁场产生器产生之磁场的产生 ,以便决定磁场产生器和使用该空间频率之绕线组 的相对位置和方位。69.如申请专利范围第68项所 述之位置侦测器,其中,该磁场产生器包括一共振 器或共振器组。70.如申请专利范围第68项所述之 位置侦测器,其中,一复数个磁场产生器系予以提 供,其相对该些绕线组移动,且各产生一定义之信 号,以容许各磁场产生器和绕线组的相对位置和方 位由该接收电路引发之信号决定。71.如申请专利 范围第68项所述之位置侦测器,其中,该用来处理该 接收信号之装置,系配置以决定磁场产生器和绕线 组的间隙。72.如申请专利范围第68项所述之位置 侦测器,其中,该磁场产生器于两个不同方向产生 两个磁场,且其中,该处理装置系操作以引出该磁 场产生器和该绕线组的相对方位的三度自由度。 73.一板面游戏包括复数个棋子,各自移动于一游戏 平面,及一申请专利范围第70项所述之位置侦测器, 用以感测棋子和游戏平面之相对位置和方位。图 式简单说明: 第一图系显示一电脑系统,具有一X-Y数位板,用以 输入资料至电脑系统。 第二图系显示如第一图所示之数位板的爆炸图,其 显示两组绕线,形成数位板之一部份,且其用来感 测尖笔相对于数位板之X-Y之位置。 第三图系显示尖笔之形成,其可用于第一图所示之 X-Y数位板。 第四图a显示具有第一周期之第一周期性绕线之形 成,其形成一组用来感测尖笔相对于数位板之X位 置之绕线的一部份。 第四图b显示具有与第四图a相同周期但属于90度相 位差之第二周期性绕线之形成,其亦形成一组用来 感测尖笔相对于数位板之X位置之绕线的一部份。 第四图c显示具有与第四图a、第四图b不同周期之 第三周期性绕线之形成,其亦形成一组用来感测尖 笔相对于数位板之X位置之绕线的一部份。 第四图d显示具有与第四图c相同周期之第四周期 性绕线之形成,其亦形成一组用来感测尖笔相对于 数位板之X位置之绕线的一部份。 第四图e系显示一如第一图所示之部份X-Y数位板的 横剖面图。 第五图系显示一激化和处理回路,用以决定如第三 图所示之尖笔相对于如第一图所示之X-Y数位板之 位置。 第六图a显示一时变激化信号,其提供给如第四图 所示之一些绕线。 第六图b显示一时变电流,当第六图a之时变激化信 号提供给如第四图所示之一些绕线之一时,此时变 电流系流入共振器中,而共振器则形成第二图所示 之尖笔的一部份。 第六图c显示一从混合器(mixer)输出之信号的形成, 此混合器形成第五图所示之处理回路之一部份。 第六图d显示一从整合器/样本和保持电路(integrator /sample and hold circuit)输出电压的形成,此整合器/样 本和保持电路形成第五图所示之处理回路之一部 份。 第七图a显示在第四图a中之部分绕线横剖面图,及 显示流入绕线之电流和产生之磁场的关系。 第七图b显示一向量表示法,其中在第七图a中之磁 场的Z成分沿第一图之X-Y数位板之X方向变化,及显 示一对应估计方法,其中,向量系沿X方向之位置而 变化。 第七图c显示一向量表示法,其中在第七图a中之磁 场的X成分沿第一图之X-Y数位板之X方向变化,及显 示一对应估计方法,其中,向量系沿X方向之位置而 变化。 第八图为一操作者持有第二图之尖笔之透视图,其 显示尖笔纵轴距垂直方向之倾斜度。 第九图显示一三维座标图,其系关于尖笔之轴对第 一图之数位板的X,Y,Z座标系统。 第十图为一X-Z平面座标图,其显示第九图之尖笔轴 在X-Z平面之投影。 第十一图为一Y-Z平面座标图,其显示第九图之尖笔 轴在Y-Z平面之投影。 第十二图为一平面绘制图,其显示由第五图之处理 回路取得之两个输出信号,依尖笔相对于数位板之 X位置而变化,并显示因尖笔距垂直轴之倾斜度导 致之误差。 第十三图为一笛卡儿绘制图以显示两个数値,其中 ,若两倍角已知则可得到此角度。 第十四图显示小孩用电子游戏之形式。 第十五图为示意图,其代表用于第十四图之电子游 戏中玩具车,其显示用来侦测车子相对第十四图之 X-Y数位板之位置的共振器。 第十六图为示意图,其显示两个共振器组之形式, 其能用于第一图和第十四图之X-Y数位系统,以允许 产生正确之位置计算和方位计算。 第十七图为示意图,其显示三个共振器组之形式, 其能用来提供带有共振器组合之物体,其相对第一 图,第十四图之X-Y数位板之完整的方位资料和X,Y,Z 之位置。 第十八图为示意图,其显示两个共振器之设计形式 ,其能用来提供带有共振器组合之物体,其相对第 一图,第十四图之X-Y数位板之完整方位资料和X,Y,Z 之位置。 第十九图显示数位板之形式,其具有缠绕一组接收 绕线之嵌着激化绕线之周边。 第二十图a显示一绕线形式,其中,当能量产生一磁 场,其沿绕线长度线性变化,且其能用于数位板以 感测位置。 第二十图b显示一绕线形式,其中,当能量产生一磁 场,其沿绕线长度线性变化,且其能用于数位板以 感测位置。 第二十一图为一电子西洋棋游戏之透视图,其应用 一数位板来感测棋子之位置。 第二十二图为第二十一图之棋子之横剖面图。 第二十三图为一个人电脑之透视图,其在液晶显示 幕后具有X-Y数位板。 第二十四图为第二十三图之个人电脑之萤幕的横 剖面图,其显示数位板和液晶显示幕之绕线的位置 关系。 第二十五图a显示单周期绕线,其为用来感测尖笔 相对第二十三图之LCD显示幕之位置的一组绕线的 一部份。 第二十五图b显示第二单周期绕线,其具有与第二 十五图a相同周期但属于90度相位差之相同周期,其 为用来感测尖笔相对第二十三图之LCD显示幕之位 置的一组绕线的一部份。 第二十六图显示尖笔形式,其用于第二十三图之个 人电脑。 第二十七图为一电路图,其显示形成第二十六图之 尖笔部份之电子元件。 第二十八图a显示一维线性位置编码器。 第二十八图b显示具有第一周期之绕线之形式,其 形成第二十八图a之线性位置编码器的一部份。 第二十八图c显示具有与第二十八图b之绕线相同 周期但有90度相位差之第二周期性绕线之形式,其 亦形成第二十八图a之线性位置编码器的一部份。 第二十八图d显示具有与第二十八图b,第二十八图c 之绕线不同周期之第三周期性绕线之形式,其亦形 成第二十八图a之线性位置编码器的一部份。 第二十八图e显示具有与第二十八图d之绕线相同 周期但有90度相位差之第四周期性绕线之形式,其 亦形成第二十八图a之线性位置编码器的一部份。
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