| 主权项 |
1.一种用以提供一实质平坦半导体构形之方法,其延伸在形成一积体电路之多个电气导体特征上,包含:蚀刻多个横向间隔虚拟渠道至一比较宽渠道和一列串比较窄渠道间介电层内;填充该等虚拟渠道及该宽和窄渠道以传导材料;抛光该传导材料以形成虚拟导体在该虚拟渠道内及互连在该窄和宽渠道内,其中该虚拟导体则与多个电气导体特征电气分离及与该互连共平面。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该传导材料包含选自由铝、铜、钨、钼、钛及合金等所构成群组之金属。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该传导材料抛光是在该虚拟渠道和该宽和窄渠道上的一实质均一抛光率执行。4.如申请专利范围第1项之方法,其中来自该虚拟渠道的相邻对间虚拟介电凸出物内的抛光,该虚拟介电凸出物具有第一较上表面实质与该虚拟导体的第二较上表面共平面。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该抛光包含施予一研磨抛光表面至该传导材料的一较上表面,同时移动该相对较上表面的研磨抛光表面。6.如申请专利范围第5项之方法,其中该抛光包含施予一液体实质免于该研磨抛光表面和该传导材料间微粒的物质。7.如申请专利范围第5项之方法,其中该研磨抛光表面包含粒子至少部份固定至一聚合体基础矩阵,及其中该等粒子包含选自氧化铈、二氧化铈、氧化铝、二氧化矽、氧化钛、氧化铬、及氧化锆之群组之物质。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该抛光包含置一CMP浆至一抛光垫表面,及以该传导材料的一较上表面接触该抛光垫表面同时旋转该相对该较上表面的抛光垫表面。9.一种用以提供一具有多个电气传导特征及一实质平坦半导体构形之方法,包含:蚀刻多个横向间隔虚拟渠道至一接受一比较宽互连特征的渠道和一列串接受一比较窄互连特征的渠道间介电层内;填充该等多个虚拟渠道予传导材料;及抛光该传导材料以形成虚拟导体结合在该与电气传导特征电气分离的虚拟渠道内,及使得该虚拟导体的第一较上表面实质与该表较宽和窄互连特征共平面。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该传导材料包含选自由铝、铜、钨、钼、钛及合金等所构成群组之金属。11.如申请专利范围第9项之方法,其中该传导材料抛光是在该虚拟渠道和该宽和窄渠道上的一实质均一抛光率执行。12.如申请专利范围第9项之方法,其中来自该虚拟渠道的相邻对间虚拟介电凸出物内的抛光,该虚拟介电凸出物具有第一较上表面实质与该虚拟导体的第二较上表面共平面。13.如申请专利范围第9项之方法,其中该抛光包含施予一研磨抛光表面至该传导材料的一较上表面,同时移动该相对较上表面的研磨抛光表面。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该抛光包含施予一液体实质免于该研磨抛光表面和该传导材料的较上表面间微粒的物质。15.如申请专利范围第13项之方法,其中该研磨抛光表面包含粒子至少部份固定至一聚合体基础矩阵,及其中该等粒子包含选自氧化铈、二氧化铈、氧化铝、二氧化矽、氧化钛、氧化铬、及氧化锆之群组之物质。16.如申请专利范围第9项之方法,其中该抛光包含置一CMP浆至一抛光垫表面,及以该传导材料的一较上表面接触该抛光垫表面同时旋转该相对该较上表面的抛光垫表面。17.一种实质平坦半导体构形,其上升于多个电气传导特征之上以接收一积体电路内电气电晶体电压,包含:多个横向间隔虚拟渠道位于一比较宽渠道和一列串比较窄渠道间之一介电层内;虚拟导体结合在该等虚拟渠道内及与多个电气传导特征电气分离;及互连结合该等窄和宽渠道,其中互连较上表面则实质与虚拟导体较上表面共平面。18.如申请专利范围第17项的实质平坦半导体构形,另包含该等横向间隔虚拟渠道的相邻对间虚拟介电凸出物,该等虚拟介电凸出物具有虚拟介电较上表面实质与虚拟导体较上表面共平面。19.如申请专利范围第17项的实质平坦半导体构形,其中该虚拟导体包含选自由铝、铜、钨、钼、钛及合金等所构成群组之金属。20.如申请专利范围第17项的实质平坦半导体构形,其中该互连包含选自由铝、铜、钨、钼、钛及合金等所构成群组之金属。图式简单说明:第一图描述一可以用于化学机械抛光一半导体构形的装置之侧平面图;第二图描述一传统半导体构形的部份横剖面图,其中一串比较窄渠道形成在一与比较宽渠道间隔的层间介电内;第三图描述半导体构形的部份横剖面图,其中一传导材料被淀积在渠道内至一高于层间介电较上表面的位准;第四图描述半导体构形的部份横剖面图,其中该传导材料的表面被使用一传统CMP技术从一层间介电较上表面移走,由是形成一具有上升不一致的构形表面;第五图描述根据本发明的一具体例之半导体构形的部份横剖面图,其中多个横向间隔虚拟渠道形成在一比较窄渠道和一比较宽渠道间隔的层间介电内;第六图是一半导体构形的部份横剖面图,其中一传导材料被淀积在虚拟渠道,窄渠道,及宽渠道内直至一高于层间介电较上表面的位准;第七图是一半导体构形的部份横剖面图,其中该传导材料的表面被使用一根据本发明的一具体例之平坦化技术移走至一对称层间介电较上表面的位准,由是形成一平坦化的构形表面;及第八图是一可用于抛光该传导材料的固定研磨抛光技术的程序图。 |
