| 主权项 |
1.一种浸渍型阴极基体,其特征为包括:大粒径低空孔率领域;及设在该大粒径低空孔率领域之电子放射面侧,应用包含具有平均粒径小于该大粒径低空孔率领域之平均粒径之高融点金属粉末的糊浆,烧成此糊浆而得,空孔率大于该大粒径低空孔率领域之空孔率之小粒径高空孔率领域,又浸渍有电子放射物质,上述小粒径高空孔率领域之平均粒径为0.1m以上,2.0m以下,空孔率为25至40%。2.如申请专利范围第1项之基体,其中上述大粒径低空孔率领域之平均粒径为2至10m,空孔率为15至25%。3.如申请专利范围第1项之基体,其中上述小粒径高空孔率领域之厚度为30m以下。4.如申请专利范围第1项之基体,其中上述小粒径哥空孔率领域在上述大粒径低空孔率领域之电子放射面侧成为线状或点状存在。5.如申请专利范围第1项之基体,其中从上述大粒径低空孔率领域至上述小粒径高空孔率领域之平均粒径及空孔率以阶梯状变化。6.如申请专利范围第1或2项之基体,其中在其电子放射面上又形成包含从铱,锇,铼,钌,铑及钪所构成之群中选择之至少一种金属之层。7.一种制造浸渍型阴极基体之方法,属于制造如申请专利范围第1项所述之浸渍型阴极基体之方法中,其特征为包括:形成做为大粒径低空孔率之多孔质烧结体之过程;在该多孔质烧结体之电子放射面侧应用包含具有平均粒径小于该大粒径低空孔率领域之平均粒径之高融点金属粉末的糊浆,藉由烧成此糊浆,且形成空孔率大于该大粒径低空孔率领域之空孔率之小粒径高空孔率领域,制作多孔质阴极构件之过程;切断该多孔质阴极构件而形成多孔质阴极基体之过程;及在该多孔质阴极基体中浸渍电子放射物质之过程。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述小粒径高空孔率领域系利用从印刷法,旋转涂敷法,喷射法,电着法,或熔射法中选择之方法形成。9.一种制造浸渍型阴极基体之方法,属于制造如申请专利范围第1项所述之浸渍型阴极基体之方法中,其特征为包括:形成做为大粒径低空孔率之多孔质烧结体之过程;在该多孔质烧结体之电子放射面侧应用包含具有平均粒径小于该大粒径低空孔率领域之平均粒径之高融点金属粉末的糊浆,藉由烧成此糊浆,且形成空孔率大于该大粒径低空孔率领域之空孔率之小粒径高空孔率领域而制作多孔质阴极构件之过程;在该多孔质阴极构件之电子放射面上配置从融点1200℃之金属及合成树脂所形成之群中选择之填充材料之过程;以该填充材料可熔融之温度加热配置上述填充材料之多孔质阴极构件,在该多孔质阴极构件中浸渍该填充材料之过程;将上述多孔质阴极构件切断或冲压成一定大小而形成多孔质阴极基体之过程;将该多孔质阴极基体供给于打磨处理,去除毛边及污染物之过程;从经过该打磨处理之多孔质阴极基体上去除上述填充材料之过程;及在去除填充材料之该多孔质阴极基体中浸渍电子放射物质之过程。10.一种制造浸渍型阴极基体之方法,属于制造如申请专利范围第1项中所述之浸渍型阴极基体之方法中,其特征为包括:形成做为大粒径低空孔率领域之高融点金属多孔质烧结体之过程;制作包括从平均粒径小于该大粒径低空孔率领域之平均粒径之高融点金属粉末,及融点1200℃以下之金属及合成树脂所构成之群所形成之填充材料中选择之至少一种之糊浆之过程;将该糊浆涂敷于做为上述大粒径低空孔率领域之高融点金属多孔质烧结体之电子放射面侧之过程;将涂敷该糊浆之大粒径低空孔率领域之高融点金属多孔质烧结体加热至上述填充剂可熔融之温度,在该高融点金属多孔质烧结体上形成平均粒径小于该大粒径低空孔率领域之平均粒径,空孔率大于该大粒径低空孔率领域之空孔率之小粒径高空孔率而制作多孔质阴极构件之过程;将该多孔质阴极基体供给于打磨处理,去除毛边及污染物之过程;从经过该打磨处理之多孔质阴极基体上去除上述填充材料之过程;及在去除填充材料之该多孔质阴极基体中浸渍电子放射物质之过程。11.一种浸渍型阴极构体,其特征为:包括申请专利范围第1,2,3,4,5或6项中之任一项所述之浸渍型阴极基体。12.如申请专利范围第11项之构体,其中上述浸渍型阴极构体为阴极射线管用。13.如申请专利范围第12项之构体,其中包括筒状阴极套管,固定在该阴极套管之一端部内面之浸渍型阴极基体固定构件,固定在该浸渍型阴极基体固定构件上之申请专利范围第1,2,3,4,5或6项中之任一项所述之浸渍型阴极基体,包围上述阴极套管,成为同轴的配置在外侧之筒状保持器,一端固定在该阴极套管之外侧,另一端固定于该筒状保持器内侧之许多狭条,及配置在该阴极套管内侧之加热器。14.如申请专利范围第11项之构体,其中上述含浸型阴极构体为速调管用。15.如申请专利范围第14项之构体,其中包括至少如申请专利范围第1,2,3,4,5或6项中之任一项所述之浸渍型阴极基体,支持该浸渍型阴极基体之支持筒,及设在该支持筒内,而且填埋于绝缘物内之加热器。16.一种电子枪构体,其特征为:包括设有申请专利范围第11项中所述之浸渍型阴极构体之电子枪。17.如申请专利范围第16项之构体,其中该电子枪构体为阴极射线管用。18.如申请专利范围第17项之构体,其中又包括申请专利范围第12项所述之浸渍型阴极构体,成为同轴的配置于该浸渍型阴极构体之电子放射面侧之许多栅极,具有在上述许多栅极前面配置成同轴之聚焦电极之电子枪,及连接于上述电子枪之分压用电阻器。19.如申请专利范围第16项之构体,其中上述电子枪为速调管用。20.如申请专利范围第19项之构体,其中又包括如申请专利范围第14项中所述之浸渍型阴极构体,内部设有该浸渍型阴极构体之阴极部,及成为周轴的配置在该浸渍型阴极构体之电子放射面之阳极。21.一种电子管,其特征为:包括申请专利范围第11,12,13,14或15项中之任一项所述之构体。22.如申请专利范围第21项之电子管,其中该电子管为阴极射线管用。23.如申请专利范围第22项之电子管,其中又包括具有面部之真空外围器,设在该面部内面之萤光体层,配置在面对该真空外围器之面部之位置之申请专利范围第17项所述之电子枪构体,及配置在上述萤光体层与该电子枪构体之间之阴蔽罩。24.如申请专利范围第21项之电子管,其中该电子管为速调管用。25.如申请专利范围第24项之电子管,其中又包括申请专利范围第20项所述之电子枪构体,成为同轴的配置于该电子枪构体之电子放射面侧之许多谐振空胴在漂移间连接之高频作用部及集极部,及配置在该高频作用部之外周部之磁场产生装置,并且使用于速调管。26.如申请专利范围第21项之电子管,其中又包括设有申请专利范围第11项之浸渍型阴极构体之电子枪构体,成为同轴的配置于该浸渍型阴极构体之电子放射面侧之信号放大用慢波电路,及使电子束变细之集极,并且使用于进行波管。27.如申请专利范围第21项之电子管,其中又包括设有如申请专利范围第11项中所述之浸渍型阴极构之电子枪构体,设在该浸渍型阴极构体之电子放射面侧之直径逐渐变小之倾斜状电子束压缩部,成为连续状的配置于该倾斜状电子束压缩部之空胴谐振部,成为连续状的配置于上述空胴谐振部之直径逐渐变大之倾斜状电磁波导引部,捕捉电子束之集极,及配置在上述谐振空胴部外周之磁场产生装置,并且使用于磁旋管。图式简单说明:第一图为用来说明本发明之阴极射线管用电子枪构体之一实施例之概略断面图;第二图为用来说明本发明之速调管用电子枪构体之一实施例之主要部分之概略断面图;第三图为用来说明本发明之阴极射线管用电子管之一实施例之概略断面图;第四图为用来说明本发明之速调管用电子管之一实施例之主要部分之概略断面图;第五图为用来说明本发明之进行波管用电子管之一实施例之概略断面图;第六图为用来说明本发明之磁旋管用电子管之一实施例之概略断面图;第七图为本发明之浸渍型阴极构体之第1实施例之一部剖断概略图;第八图为第七图之浸渍型阴极之构造模型图;第九图为第七图之浸渍型阴极构体之电子放射特性之图表;第十图为第2实施例所使用之阴极构体之构造之概略图;第十一图为第3实施例所使用之阴极构体之构造模型图;第十二图为第五图之放射电子特性之图表;第十三图为第6实施例所使用之阴极构体之构造模型图;第十四图为有关第6实施例之放射电子特性之图表;第十五图为用来说明本发明所使用之阴极基体之制造过程之图;第十六图为用来说明本发明所使用之阴极基体之制造过程之图;第十七图为用来说明本发明所使用之阴极基体之制造过程之图;第十八图为用来说明本发明所使用之阴极基体之制造过程之图;第十九图为用来说明本发明所使用之阴极基体之制造过程之图;第二十图为用来说明本发明所使用之阴极基体之制造过程之图;第二十一图为用来说明本发明所使用之阴极基体之制造过程之图;第二十二图为第7实施例之阴极基体之构造模型图;第二十三图为第7实施例之阴极基体之构造模型图;第二十四图为用来说明本发明所使用之阴极构体之其他制造过程之有关第7实施之阴极基体之构造模型图;第二十五图为用来说明本发明所使用之阴极构体之其他制造过程之图。 |
