| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为具备:主面上具有复数 电极垫之的电路基板,及被搭载于前述电路基板上 的复数半导体晶片; 前述复数半导体晶片分别具备:于其中被形成内部 电路的主面以及被研削的背面之半导体基板,及 被形成于前述半导体基板主面上的复数接续电极, 及 透过前述复数之接续电极分别与前述内部电路导 电接续的复数导电球所构成的复数接续端子,该前 述复数接续端子系分别被接续于前述电路基板的 前述复数电极垫所对应的垫,及 于前述背面藉由溶融痕形成的标记。2.如申请专 利范围第1项之半导体装置,其中前述标记系由前 述粗面被溶融而形成的平坦面所构成的。3.一种 半导体装置的制造方法,其特征为具备: 于半导体晶圆主面上在复数晶片形成领域分别形 成内部电路的步骤,及 研削前述半导体晶圆的背面形成粗面的步骤,及 在前述被研削的背面于对应前述复数之晶片形成 领域的各个领域藉由雷射的溶融痕形成标记的步 骤, 形成前述标记之步骤系具有熔融经由前述雷射所 熔融平坦化之部分和前述粗面之凸部、呈部平坦 之步骤,更具有测定经由前述雷射所熔融平坦化之 部分和前述粗面之凸部高度差,根据此测定结果, 检测雷射强度,经由此检测结果,调节雷射输出之 步骤者。4.如申请专利范围第3项之半导体装置的 制造方法,其中进而具备:切割前述半导体晶圆分 离前述复数之晶片形成领域,形成复数半导体晶片 的步骤。5.如申请专利范围第3项之半导体装置的 制造方法,其中进而具备:于前述半导体晶片主面 形成接续电极的步骤,及在前述接续电极安装由导 电球所构成的接续端子的步骤。6.如申请专利范 围第3项之半导体装置的制造方法,其中形成前述 标记的步骤,包含溶融前述半导体晶圆的前述背面 的前述粗面之凸部使部份平坦化的步骤。7.如申 请专利范图第3项之半导体装置的制造方法,其中 进而具备:测定由前述雷射溶融平坦化的部份与前 述粗面的凸部的高度差,根据此测定结果检测雷射 的强度,而根据此检测结果调整雷射输出的步骤。 8.如申请专利范围第3项之半导体装置的制造方法, 其中前述雷射系藉由SHG元件调变的YAG雷射。9.如 申请专利范图第3项之半导体装置的制造方法,其 中前述雷射的能量为1.0107W/cm2以下。10.如申请专 利范围第3项之半导体装置的制造方法,其中藉由 前述雷射形成前述标记的步骤,系以前述半导体晶 圆的前述背面的温度上升的情形,只有在前述背面 4m以内实际发生的条件下进行的。图式简单说 明: 第一图A-第一图C系供阶段说明从前的标记方法之 用的晶片剖面图。 第二图A、第二图B系供说明矽晶圆的晶片形成领 域与标记处所之用的图,A系晶圆的主面,B系晶圆的 背面。 第三图A、第三图B系供说明研削晶圆背面之后的 条纹痕迹(grind mark)与晶片的切割方向的关系之用 的晶圆背面的平面图。 第四图A-第四图C系供阶段说明本发明的标记方法 之用的晶片剖面图。 第五图A、第五图B系施以本发明的标记的晶片的 平面图,A系平面标记(plane mark),B系三线标记(3-line mark)。 第六图系显示测试本发明的晶片的抗折强度的方 法之立体图。 第七图系显示以各种方法标记的平面标记晶片的 抗折强度之测试结果特性图。 第八图系显示以各种方法标记的三线标记晶片的 抗折强度之测试结果特性图。 第九图A、第九图B系显示本发明之进行标记时的 晶圆表面及背面温度的时间变化持性图,A系YAG雷 射的场合,B系SHG雷射的场合。 第十图A、第十图B系显示本发明之进行标记时的 晶圆深度方向的温度变化特性图,A系YAG雷射之晶 圆厚度方向的温度变化图,B系比较YAG雷射与SHG雷 射之由晶圆背面起至10m为止的温度变化图。 第十一图系被适用本发明的标记方法之半导体装 置(晶片)的剖面图。 第十二图系被适用本发明的标记方法之其他半导 体装置的剖面图。 第十三图系被搭载本发明的半导体装置(晶片)的 电路基板的平面图。 第十四图系供说明使用于本发明的标记方法的控 制系统之模式构成图。 |
