| 主权项 |
1.一种线上监控化学机械研磨速率的方法,该方法 至少包含: 将第一批产品放入该研磨机台中研磨; 以曲线逼近法计算化学机械研磨速率; 将该测得之移除速率输入该研磨机台中以计算下 一批产品的研磨时间;及 进行下一批产品的研磨。2.如申请专利范围第1项 之方法,其中上述之控制晶圆包含一底材与一研磨 层。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之曲 线逼近法系以本次的移除速率减去移除速率下降 的趋势。4.如申请专利范围第3项之方法,其中上述 之移除速率下降趋势系以前一次与本次的移除速 率的差除以一参数。5.如申请专利范围第4项之方 法,其中上述之参数研磨片的性质,研磨条件,研磨 过程参数等有关。6.如申请专利范围第1项之方法, 更包含在研磨该第一批产品之前先以控制晶片测 量研磨速率。7.一种以曲线逼近法线上监控化学 机械研磨速率的方法,该方法至少包含: 以控制晶片测量研磨速率; 将第一批产品放入研磨机台中研磨; 以本次的移除速率减去移除速率下降的趋势得到 下一批产品的研磨速率; 将该测得之移除速率输入该研磨机台中以计算下 一批产品的研磨时间;及 进行下一批产品的研磨。8.如申请专利范围第7项 之方法,其中上述之控制晶圆包含一底材与一研磨 层。9.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之移 除速率下降趋势系以前一次与本次的移除速率的 差除以一参数。10.如申请专利范围第9项之方法, 其中上述之参数研磨片的性质,研磨条件,研磨过 程参数等有关。11.一种以曲线逼近法线上监控化 学机械研磨速率的方法,该方法至少包含: 以控制晶片测量研磨速率; 将第一批产品放入研磨机台中研磨; 以本次的移除速率减去移除速率下降的趋势得到 下一批产品的研磨速率,该移除速率下降趋势系以 前一次与本次的移除速率的差除以一参数。; 将该测得之移除速率输入该研磨机台中以计算下 一批产品的研磨时间;及 进行下一批产品的研磨。12.如申请专利范围第11 项之方法,其中上述之控制晶圆包含一底材与一研 磨层。13.如申请专利范围第11项之方法,其中上述 之参数研磨片的性质,研磨条件,研磨过程参数等 有关。图式简单说明: 第一图为传统的化学机械研磨制程的示意图; 第二图为化学机械研磨制程在半导体制程中所提 供的平坦化的示意图; 第三图A到第三图E为不同的研磨机台表面配置图 示意图; 第四图为另一种传统的化学机械研磨制程的示意 图; 第五图为使用传统的离线式监控技术,计算研磨片 移除速率的流程图; 第六图为使用本发明的线上监控技术,计算研磨片 移除速率的流程图;及 第七图显示在不同的研磨时间与研磨片的移除速 率的关系图;及 第八图显示以曲线逼近法与传统的离线式检测法 之间的比较的关系图。 |
