FORMACION DE PUERTAS EN TRANSISTORES.

摘要

SE PRESENTA UN METODO PARA LA FORMACION DE TRANSISTORES QUE TENGAN ELEMENTOS SUBLITOGRAFICOS, POR EJEMPLO, COMPUERTAS. SE CREA UNA MASCARA DURA MODELADA (FORMADA, POR EJEMPLO, A PARTIR DE PETEOS) DE MODO QUE QUEDE SUPERPUESTA A UNAS CAPAS DE OXIDO Y DE POLISILICIO. LAS DIMENSIONES DE LA MASCARA DURA SE REDUCEN MEDIANTE ATAQUE ISOTROPICO. LA MASCARA DURA DE DIMENSIONES REDUCIDAS SE UTILIZA EN UN PROCESO DE ATAQUE ANISOTROPICO PARA DEFINIR UN ELEMENTO DE DIMENSIONES REDUCIDAS TAL COMO UNA COMPUERTA.